MX16171D100 是个100V耐压的理想二极管OR-ing控制器,代替高边防电流倒灌场景功能的肖特基或PMOS,为多电源OR-ing结构的电源产品提供低功耗,小型化的解决方案, 可被广泛的应用在通讯电源,汽车,新能源,电动工具,通讯,安防等领域., MX16171D100采用无锡明芯微电子的发明专利内置多级电荷泵技术和高边浮地驱动技术解决了高侧驱动的应用问题
采用100V工艺的耐压等级覆盖了通讯48V电源,72V电源,以及电动工具的20V,40V和60V,80V和电动车的54V,72V和90V等应用的场景,使用多电池芯并联供电的储能,太阳能电池板并联防止电流倒灌等场景,在应用中建议客户把Vs偏执电压引脚放在输入端Vin,这样当Vin没有电压的时候,该电荷泵不工作,产品功耗低,当输入电压低于5v的时候,客户要采用外接电源的方式提供5v或者以上的偏置电压给Vs供电使得电荷泵正常工作
特别推荐客户在使用该产品或者美国TI产品的时候要把偏压Vs教放在输入端Vin做偏置电压,这样做的目的是防止在Vin没有电的时候,处于反向截至状态电荷泵还在从Vout取电导致有电流损耗
特征参数
1. 很宽的工作电压范围5V-100V,在不考虑成本的情况下能够覆盖最低5V和最高100V的应用,能够降低客户的产品使用个数,做到一个产品全电压覆盖
2. 110V的瞬态工作电压而不会损坏
3. 采用内部多级电荷泵技术驱动外接NMOS,外接NMOS的大小可选,适用于不同电流应用的需求
4. 反向电流50nS的响应速度
5. 2A的快速关断电流使得反向电流截至关断实际纳秒级
6. 通用的DFN3x2的封装尺寸
输入VIN = 29V,VVS = VIN, IO=1A,VOUT 从悬空到30.9V(点触),测试从VOUT=VIN到VGATE=VIN+1V的时间tGATE(REV)=96ns
从该图我们看出当输出电压(30.9V)突然高于输入(29V)的时候,芯片快速响应,在100ns 以内关断了外接MOS,Vgs电压从10v降低到0V
Vgs无论在输入电压是多少的情况下都能稳定的跟随在10V左右
作者: 王萌, 来源:面包板社区
链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-3932082.html
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