原创 在使用零静态功耗的理想二极管LM74610和MX74610时候的心得笔记

   MX74610T和MX74610SS使用笔记

在防止电流倒灌的应用中，除了传统的肖特基方案，PMOS方案高边方案以及集成式样的高边NMOS驱动方案

我们尝试用了一款最简易和零静态功耗理想二极管，分享下心得零静态功耗低理想二极管是采用取体二极管电压作为芯片电压，驱动高边MOS的方案， 目前有德州仪器的LM74610和无锡明芯微电子的MX74610，其中LM74610只有一款封装耐压40V的MSOP8，无锡明芯微电子有两款封装分别是SOT23和MSOP8,耐压是60V

由于是60V 电源所以一开始选用了MX74610T测试，在输入充电器是60V情况下系统正常工作， 插入拔出电池负载也都没有问题,

但是在输入充电器没有接的情况下，对输出端插拔60V电池负载，会看到打火的现象，芯片被烧坏，量测打火时候的输出端电压高达100V 如下图（超过了最大工作反向电压60V）

后来在输出out端加了一个100欧姆的电阻和SMBJ60A的TVS如下图，这种打火不见了，芯片被电阻挡了高压把尖峰从TVS泄放走了，芯片没有坏，但是由于串联了100欧姆的电阻，在输入充电的时候效率下降了，MOS的导通实际变短了

最后我们选择了MX16171D100 产品如下图，留有更大的余量就没有问题了，这里面几个技术分析下

1.  热插拔的时候会引入尖峰脉冲，如果尖峰脉冲超过芯片的最大耐压，芯片就会坏掉

2.  电阻可以用来挡高压能够保护芯片，但是却影响了芯片取电导致外接MOS导通时间变短

3.   测试发现如果是40以下的电路，即使在没有外接电容的情况下， MX74610能够扛住这种热插拔的脉冲（不要超过70V）

4.60v的电池或者电源要用理想二极管一定不能用60v耐压的， 要用到80v甚至是100v耐压的理想oring二极管控制器