标签: Oring控制器理想二极管

MX74610T 和 MX74610SS 使用笔记 在防止电流倒灌的应用中，除了传统的肖特基方案， PMOS 方案高边方案以及集成式样的高边 NMOS 驱动方案 我们尝试用了一款最简易和零静态功耗理想二极管，分享下心得 零静态功耗低理想二极管是采用取体二极管电压作为芯片电压，驱动高边MOS的方案， 目前有德州仪器的 LM74610 和无锡明芯微电子的 MX74610 ，其中 LM74610 只有一款封装耐压 40V 的 MSOP8 ，无锡明芯微电子有两款封装分别是 SOT23 和 MSOP8, 耐压是 60V 由于是 60V 电源所以一开始选用了 MX74610T 测试，在输入充电器是 60V 情况下系统正常工作， 插入 拔出电池负载也都没有问题 , 但是在输入充电器没有接的情况下，对输出端插拔 60V 电池负载，会看到打火的现象，芯片被烧坏，量测打火时候的输出端电压高达 100V 如下图 （超过了最大工作反向电压 60V ） 后来在输出 out 端加了一个 100 欧姆的电阻和 SMBJ60A 的 TVS 如下图，这种打火不见了，芯片被电阻挡了高压把尖峰从 TVS 泄放走了，芯片没有坏，但是由于串联了 100 欧姆的电阻，在输入充电的时候效率下降了， MOS 的导通实际变短了 最后我们选择了 MX16171D100 产品如下图，留有更大的余量就没有问题了，这里面几个技术分析下 1. 热插拔的时候会引入尖峰脉冲，如果尖峰脉冲超过芯片的最大耐压，芯片就会坏掉 2. 电阻可以用来挡高压能够保护芯片，但是却影响了芯片取电导致外接 MOS 导通时间变短 3. 测试发现如果是 40 以下的电路，即使在没有外接电容的情况下， MX74610 能够扛住这种热插拔的脉冲（不要超过70V） 4.60v的电池或者电源要用理想二极管一定不能用60v耐压的， 要用到80v甚至是100v耐压的理想oring二极管控制器