原创 Toshiba推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对高散热和小尺寸的需求

​ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出两款车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。这两款产品采用Toshiba的新型S-TOGL™ （小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装和U-MOS IX-H制程芯片。产品于今日开始量产出货。

自动驾驶系统等安全关键（safety-critical）应用通过冗余设计来确保可靠性，因此与标准系统相比，其集成的器件数量更多，需要的贴装空间更大。因此，随着车载设备尺寸的不断缩小，需要能够以高电流密度贴装功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用了Toshiba的新型S-TOGL™封装（7.0mm×8.44mm[1]），利用无接线柱结构将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构，从而降低了封装电阻。

通过将S-TOGL™封装与Toshiba的U-MOS IX-H工艺结合，与Toshiba的TO-220SM (W)封装产品相比，导通电阻大幅下降了11%[2]，同时保持了相同的热阻特征。此外与TO-220SM (W)封装相比，新封装需要的贴装面积也减少了大约55%。除此之外，新封装的漏极额定电流为200A，高于类似大小的Toshiba DPAK +封装（6.5mm×9.5mm[1]），从而提供大工作电流。总之，S-TOGL™封装不仅实现了高密度和紧凑的布局，降低了车载设备的大小，同时也有利于实现高散热。

由于车载设备可能在极端温度环境中使用，表面贴装焊点的可靠性是一个需要考虑的关键因素。S-TOGL™封装采用的鸥翼式引脚可降低贴装应力，提高焊点可靠性。

当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，Toshiba支持这两款新品分组出货[3]，即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减少特性偏差。

Toshiba将不断扩展其功率半导体产品的阵容，以对用户更友好的高性能功率器件，促进碳中和目标的实现。

应用

• 车载设备：变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等

特性

• 新型S-TOGL™ 封装：7.0mm×8.44mm（典型值）

• 大额定漏极电流：

XPJR6604PB: ID=200A
XPJ1R004PB: ID=160A

• AEC-Q101认证

• 可提供IATF 16949/PPAP[4]

• 低导通电阻：

XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ（典型值）(VGS=10V)
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ（典型值）(VGS=10V)

注：

[1] 典型封装尺寸，含引脚。
[2] 采用TO-220SM(W)封装的TKR74F04PB。
[3] Toshiba提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V，但是不允许指定特定组别。请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
[4] 请联系Toshiba销售代表了解更多详情。

主要规格