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1N60-ASEMI电源管理模块专用1N60
型号:1N60
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
最大漏源电流:1A
漏源击穿电压:600V
批号:最新
RDS(ON)Max:11.50Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
封装尺寸:如图
特性:MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
1N60系列MOS管是一类专为高压、高速开关场景设计的N沟道增强型功率器件,涵盖多个子型号,可满足不同封装和性能需求。其核心特性包括600-650V高耐压、1-2A电流承载能力以及低导通电阻,适用于电源转换、电机驱动、工业控制等高要求领域。
二、核心优势
高压与大电流支持
漏源电压(VDS)高达600-650V,脉冲漏极电流可达4A,支持高压环境下的稳定运行。
连续漏极电流(ID)覆盖1A至2A,兼顾低功率与中功率应用需求。
高效能开关性能
导通电阻(RDS(on))低至3.9Ω(VGS=10V),显著降低功率损耗,提升系统效率。
快速切换能力:开通/关断延迟时间仅7ns/13ns,支持高频电路设计。
可靠性与耐用性
雪崩能量单脉冲达33MJ,增强抗电压冲击能力。
支持±30V栅源电压(VGS),适应宽泛的驱动条件。
多样化封装选择
TO-247:散热性能优异,适合高压大电流场景(如工业电源)。
TO-220/TO-251:紧凑设计,适用于空间受限的消费电子和家电模块。
三、典型应用场景
电源管理模块
开关稳压器、DC-DC转换器中的高效能开关元件,提升电源转换效率。
工业与新能源设备
太阳能逆变器、电动车充电器的高压电路控制,确保系统稳定运行。
电机与驱动系统
继电器、螺线管及电机驱动器,实现快速响应与低功耗控制。
消费电子产品
适配器、LED驱动器等小型化设备,兼顾性能与成本。
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