原创 基础积累——MOSFET

2023-3-22 20:00 638 6 6 分类: MCU/ 嵌入式
一.MOS管是什么
MOS管是一种场效应管,相比三极管,其导通的过程或者说方案是不同的。三极管通过基极累计电子的方式,MOS管通过场效应的方式将一部分G极背面的区域改变。所谓场效应即为电容充电。所以MOS管为压控,三极管为流控。
二.MOS管的分类
分为PMOS,NMOS和CMOS
其中PMOS,NMOS衬底分别为PNP和NPN,CMOS一般为上P下NMOS的结构,有利于减少功耗和噪声,提高电路可靠性和抗干扰能力。
附图为NMOS                                                                                         
三.MOS管的导通过程
以NMOS为例,B,S级在加工时由金属导体短在一起,因此S级不受PN结影响。D级与沟道形成指向D级的PN结,可知D级应加正电压(在S级加正电压 则MOS管常开),后在G级加正电压,G级不直接连接在衬底上,而是与衬底相当于一个电容,对电容充电形成电场效应,在基底上积聚电子。形成沟道,G级电压越大,沟道越宽,能通过的电流也越大。通过控制电压控制沟道宽度从而控制通流能力。
四.参数及影响
1.Rdson 源级漏极导通时等效内部阻抗,电流一定时Rdson越大,损耗功率越大,所以越大功率MOS的Rdson越小
2.PD为最大耗散功率,一般需要保留余量,且数值较大时需附带散热片条件
3.Id漏极理论上允许通过连续通过的最大电流,实际应时考虑损耗问题,一般在1/3~1/4是选型的主要依据
4.Vdss为漏极到源级MOS管所能承受的最大电压
5.VGS(th)G到S的阀值电压,当G级电压与S压差达到VGH(th)时MOS管初步导通(NMOS),区别VGS。
6.此外还需注意导通时间和关闭时间

作者: 烟缈, 来源:面包板社区

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