原创芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台

 2025-3-18 11:04  40 2 2 分类: 工业电子

据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。

该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。

据悉，芯粤能第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品单片最高良率超过97%，23mm2芯片尺寸下导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻为2.3mΩ•cm2，比肩国际领先厂商主流产品性能指标，温升系数、开关损耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效满足产业应用要求，2025年1月已经零失效通过HTGB、HTRB、HV-H3TRB等关键可靠性摸底测试的1000小时考核。

除第一代产品外，芯粤能也在积极研发布局第二代、第三代沟槽MOSFET，进一步巩固其在国内的技术领先地位，实现对国际领先厂商的赶超。

此前2024年，芯粤能完成10亿元A轮融资，由广东省集成电路基金、国投创业等机构领投，资金将用于8英寸产线建设及市场拓展。据透露，芯粤能规划总投资75亿元，分两期建设年产48万片碳化硅晶圆生产线，目标在2026年实现产能全面释放。

来源：集邦化合物半导体

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