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宽禁带联盟 2025-4-8 10:17
双向GaN突破3000V!
近日,《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章,其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校,透露了单片双向GaN晶体管的 ...
宽禁带联盟 2025-4-8 10:14
基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计
文章来源:舰船电子工程 作者:李 楠(中航工业雷华电子技术研究所 无锡 214100) 摘 要:论文介绍了一种利用 3.3 kV 碳化硅(SiC)MOSFET ...
宽禁带联盟 2025-4-7 10:00
宽禁带科技论|低漏电Si基MIS-AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制
凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能,硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而,GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系 ...
宽禁带联盟 2025-4-7 09:56
【联盟动态】宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开
2025年4月2日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同 ...
宽禁带联盟 2025-4-3 09:59
意法半导体:推进8英寸SiC战略,引领行业规模化发展
我们邀请到了意法 半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁Francesco MUGGERI, 更好地解读产业格局,探索未来的前进方向 ...
宽禁带联盟 2025-4-3 09:57
半导体量检测装备,迎来新势力
在AI、智能汽车、机器人等前沿科技蓬勃发展的浪潮中,半导体产业正迎来前所未有的机遇与挑战。半导体全球产业链在发生着巨大变化的同时,中国半导体产业喜忧 ...
宽禁带联盟 2025-4-1 09:38
又一车企官宣GaN合作,携手打造新能源汽车核心部件
随着电动汽车对高效能、轻量化需求的爆发,氮化镓正加速从消费电子迈向汽车产业核心战场。 昨天,马自达宣布与罗姆联手开发氮化镓汽车组件;“行家说三代半” ...
宽禁带联盟 2025-3-24 10:34
【成员风采】科研引领 推动产业革新!《今日江苏》栏目走进苏州镓和半导体有限公司!
本期简介 氧化镓作为最有前景的第四代半导体材料,已成大国竞争焦点,随着我国对半导体材料研究的深入,第四代超宽禁带半导体材料被列入国家发展战略,江苏省 ...
宽禁带联盟 2025-3-24 10:32
垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨
GaN垂直器件作为下一代电力电子器件的绝佳解决方案,其可靠性作为关键核心一直是业内比较关注的问题。现从优化漂移区、电荷捕获等进行探讨。 优化漂移 ...
宽禁带联盟 2025-3-21 10:50
华润微旗下公司发力,氮化镓外延片项目将投产
海创集团官微消息,近日, 润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作, 宣布入驻黄泥川智能制造产业园。 上述项 ...
宽禁带联盟 2025-3-21 10:43
德国IKZ周大顺研究团队---基于MOVPE生长技术的β-Ga₂O₃薄膜原位反射率分析
近期,由德国莱布尼茨晶体生长研究所的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 In-situ reflectance analysis of Si-doped β-Ga2O3 fi ...
宽禁带联盟 2025-3-20 11:09
西电郝跃院士、张进成教授团队---优化β-Ga₂O₃薄膜晶体质量的新方法:氮离子注入诱导成核技术研究
由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Journal of Alloys and Compounds 发布了一篇名为 Improved crystal quality of β-Ga 2 O 3 on sapphire (00 ...
宽禁带联盟 2025-3-20 11:04
行业资讯 | GaN 功率器件如何改进架构并推广应用?
随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长,单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。 基于此,复合材料与创新架构逐渐成为改善 ...
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