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宽禁带联盟 2025-6-13 10:01
高功率器件又一材料选择!美国高校:n型AlN器件最新突破
超宽带隙氮化铝(AlN)作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而, AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。 在本工作中,通过直接应 ...
宽禁带联盟 2025-6-13 09:59
智能机器人与先进制造创新学院1.7kV碳化硅功率器件工作入选ISPSD 2025
近日,功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在日本熊本市举行。本届ISPSD共收到论文投 ...
宽禁带联盟 2025-6-4 10:04
首个基于GaN HEMT的后处理金刚石
美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)宣称,首次在射频(RF)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)上集成了后处理金刚石 。研究人员认为这是“使 ...
宽禁带联盟 2025-6-4 10:02
GaN在电机驱动/逆变器设计中的优势
本文详解GaN技术在3kW以内电机驱动与逆变器系统中的系统级优势,强调其在降低功耗、简化结构、减少BOM成本以及实现更高功率密度和更平稳控制方面的表现。Cambri ...
宽禁带联盟 2025-6-3 09:44
可实现碳中和的功率半导体
以宽禁带功率器件日益增长的应用为先导,半导体技术和电力电子技术的进展对于减少温室气体排放、在2050年之前构建碳中和能源系统至关重要。 作者:香港大学 ...
宽禁带联盟 2025-5-30 09:44
1500V:GaN功率器件突破电压极限的关键是什么?
横向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)目前在中低功率转换应用中呈现出强劲的增长态势。要将这种材料体系拓展到更高电压等级,必须在器件结构设计与衬底技术上进行 ...
宽禁带联盟 2025-5-28 11:33
动力总成功率半导体解析 | IGBT, SiC Mosfet, GaN HEMT半导体工作原理
导言: Si基IGBT在电力电子应用行业占据主导地位,比如 不间断电源、工业电机驱动、有轨电车以及电动汽车( EV) 等 ; 市场对更小型化产品的需求,使得碳化硅( S ...
宽禁带联盟 2025-5-27 09:37
小米SiC新车型亮相,有望搭载多家国产碳化硅?
5月22日晚,小米举行战略新品发布会,并发布多款新品。会上,小米集团董事长雷军携小米首款SUV车型 YU7 正式亮相,该车型全系采用800V碳化硅高压平台,将于今年 ...
宽禁带联盟 2025-5-27 09:34
深圳平湖实验室刘妍博士在Journal of Applied Physics发表科研成果
深圳平湖实验室第四代材料器件课题组的刘妍博士近期在《Journal of Applied Physics》上发表题为“The impact of many-body effects on the properties ...
宽禁带联盟 2025-5-7 16:20
揭秘上海车展“隐形主角”:碳化硅如何让新能源车跑得更远更快?
2025年上海车展已经圆满闭幕,近百款新车型在上海车展首发,吸引全球汽车行业目光。据知名咨询机构Yole预测,2030年碳化硅市场规模将突破 100亿美元 ,而在本次 ...
宽禁带联盟 2025-5-7 16:16
宽禁带科技论|西湖大学:开发新型碳化硅超透镜,有望解决高功率激光领域热管理难题
西湖大学仇旻教授课题组成功开发出一种新型的同质碳化硅(4H-SiC)超透镜,为解决高功率激光加工中的热漂移问题提供了全新的解决方案。 与传统商用物镜相比, ...
宽禁带联盟 2025-5-6 10:22
无锡:全力抢占“三代半”制高点
4月25日,《无锡日报》发表题为《以应用作牵引、加快前瞻布局、锻长项强弱项——无锡全力抢占“三代半”制高点》。文章表示,无锡第三代半导体产业链条逐步完善 ...
宽禁带联盟 2025-4-30 10:35
【科研速递】KAUST最新研究成果:用于AlGaN肖特基势垒二极管的原子层刻蚀表面处理
沙特阿拉伯的阿卜杜拉国王科技大学(KAUST) 报道了利用原子层刻蚀(ALE)技术改善富铝III族氮化物(III-N)肖特基势垒二极管(SBDs)性能的研究成果 ...
宽禁带联盟 2025-4-25 10:48
保时捷/博世:碳化硅嵌入式逆变器亮相,功率达720kW
近期,弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM) 的研究人员宣布,他们与保时捷和博世合作开发了一种新型逆变器Dauerpower,目标是突破传统主驱逆变器不可能 ...
宽禁带联盟 2025-4-23 10:21
投资3.1亿元,英飞凌无锡功率半导体项目扩产
4月15日,上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价(环评)公告。此次扩建项目拟新增总投资3.1 ...
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