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宽禁带联盟 2025-2-12 15:54: 政策 | 北京市经信局北京市财政局关于印发2025年北京市高精尖产业发展项目资金和支持中小企业发展资金实施指南; 各有关单位：为贯彻落实中央经济工作会议、市委十三届六次全会精神，坚持“稳中求进、以进促稳，守正创新、先立后破，系统集成、协同配合”工作要求，促进产 ...; 483 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-12 15:36: 刘冰冰、姚明光教授团队，我国科学家人工“首次”合成“超级钻石”成功！; 您知道“陨石钻石”吗？钻石，即金刚石，可由碳原子在地壳深处经受巨大压力而天然形成，硬度极高，通常具有立方结构，因实现了人工合成而在众多领域得到了广泛 ...; 186 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-11 11:19: 士兰微进入全球前十，国产替代加速; 近日，国际领先功率半导体公司英飞凌发布2025财年第一季度财务报告。英飞凌在其财报中援引的第三方数据显示，2023年全球功率器件和功率模块市场规模约为357亿美 ...; 671 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-11 10:50: 宽禁带科技论|镓仁半导体：在β-氧化镓单晶生长领域取得关键技术突破; 宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。近日， ...; 360 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-10 10:55: 成果 | 杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展; 北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外 ...; 263 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-10 10:49: 5个SiC项目冲刺投产：超36万片、35万套; 新的一年，各大SiC项目也进入了复工复产关键期。我们近日发现，国内外多个SiC项目也传来了新进展，详情请看：长飞先进：武汉基地预计4-5月实现量产通线 ...; 158 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-9 15:23: 全球竞逐金刚石半导体; 近几年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已经成功登上了半导体材料的舞台，凭借其卓越的节能和小型化优势，掀起了一场技术革新。然而，如果说它们是“明日之星 ...; 237 3 0 3

宽禁带联盟 2025-2-9 11:26: 金刚石前沿应用来了：半导体散热新技术发布; 1月23日消息，钻石巨头戴尔比斯旗下的高科技材料企业Element Six于1月22日宣布推出了一种应用于半导体器件散热的铜-金刚石复合材料，为半导体器件的散热问题提 ...; 352 3 0 3

宽禁带联盟 2025-1-24 11:04: 首款国产高压抗辐射SiC功率器件实现空间验证及其在电源系统中的在轨应用; 功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为电力电子系统的心脏，是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅（Si）基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC ...; 224 3 0 3

宽禁带联盟 2025-1-24 11:01: 宽禁带科技论|KAUST：超宽禁带氧化镓晶相异质结; 研究梗概在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（K ...; 299 3 0 3

宽禁带联盟 2025-1-24 10:55: 宽禁带科技论|Nature Review EE: 第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径; 自2015年起，195个国家签署了《巴黎协定》，共同致力于减少温室气体排放，并设定了到2050年实现碳中和的目标。目前，能源使用约占全球温 ...; 414 3 0 3

宽禁带联盟 2025-1-21 11:28: 宽禁带科技论|北京大学：高效热管理氮化镓器件的设计新思路; 研究背景随着电子器件向高功率和高密度的发展，III-氮化物半导体材料由于其优异的电子和热性能，逐渐引起了科学家的广泛关注。特 ...; 220 3 0 3

宽禁带联盟 2025-1-20 15:48: 【政策措施】山东：重点发展碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料; 据山东省科学技术厅官网消息，近日，山东省发布了《山东省新材料产业科技创新行动计划（2025—2027年）》（以下简称“《行动计划》”），提出实施标志性产业链 ...; 565 6 1 2

宽禁带联盟 2025-1-17 09:31: 宽禁带科技论|分子束外延生长的Sn掺杂Ga₂O₃同质外延薄膜的电输运性质和电子结构特性; 在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公 ...; 672 4 0 4

宽禁带联盟 2025-1-17 09:25: 宽禁带科技论|山东大学开发出阈值电压为7.1V的高击穿电压的P-GaN HEMTs; 山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积（OTALD）相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MI ...; 355 3 0 3

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