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为我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展赋能助力!lianmeng@iawbs.com 合作
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为我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展赋能助力!lianmeng@iawbs.com 合作
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宽禁带联盟
2025-3-4 11:06
【成员风采】天科合达:6/8英寸双线突破,冲刺SiC“平替”新纪元
我们邀请到了 天科合达CTO刘春俊 ,为我们更好地解读产业格局,探索未来的前进方向。 双线突破+扩产提速 天科合达领跑国产SiC突围 行 家说三 ...
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宽禁带联盟
2025-3-3 09:59
采用氮化镓,中科半导体发布首颗具身机器人动力系统芯片
近期,中科半导体团队推出首颗基于氮化镓(GaN)可编程 具身机器人动力系统芯片 。 芯片技术 source:中科半导体官网 芯片采用 SIP封装技术 ,内置硬件 ...
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宽禁带联盟
2025-3-3 09:55
研制成功!我国团队在氧化镓领域取得重要进展
2月27日,从兰州大学获悉,该校物理科学与技术学院联合中科大组成的研究团队在宽禁带半导体光电探测领域取得重要进展, 成功开发出一种同时具备超快、超灵 ...
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宽禁带联盟
2025-2-28 10:17
英飞凌预测2025年GaN功率半导体应用趋势
近期,英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》,针对 氮化镓(GaN)功率半导体 在消费电子、储能、移动出行、电信基础设施等领域的应用以及未来前景展望做 ...
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宽禁带联盟
2025-2-28 10:14
【成员风采】优艾智合日本子公司成立,加速推进国际化布局
2月27日,工业移动机器人解决方案商优艾智合宣布日本子公司Youibot Robotics Japan株式会社(以下简称“Youibot Japan”)成立,并于东京举行开业典礼。 此 ...
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宽禁带联盟
2025-2-27 10:29
三个SiC相关项目迎来最新进展,投产/封顶/签约落地...
近期,碳化硅相关领域项目进展不断,从 博来纳润 CMP 材料项目 封顶,到 智新半导体 SiC 模块封装产线 取得新进展,以及 高裕电子签约落地第三代半导体可靠性测 ...
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宽禁带联盟
2025-2-27 10:25
单机SiC用量超480颗!eVTOL市场未来可期?
2月20日,国外媒体“RealIZM 博客”报道了一个eVTOL垂直升降飞行器的碳化硅电控设计,在碳化硅技术方面,该电控有2个亮点: ▲ 单个电控的SiC MOSFET芯片用量 ...
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宽禁带联盟
2025-2-26 11:17
征世科技成功研发2英寸单晶金刚石晶圆
2025年2月20日,上海征世科技股份有限公司(以下简称:征世科技)宣布成功研发出2英寸(1英寸=2.54 cm)单晶金刚石晶圆,如图1所示。这一重大突破标志着征世 ...
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宽禁带联盟
2025-2-26 11:09
【成员风采】微射流激光技术赋能碳化硅 AR 眼镜产业发展
一、发展背景 随着增强现实(AR)技术逐渐走进大众生活,AR 眼镜市场呈现出蓬勃发展的态势。在这一进程中,材料与加工技术的创新成为关键驱动力。微射流激光 ...
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宽禁带联盟
2025-2-25 10:22
宽禁带科技论|湖南大学&湖南师范大学:构建氧化镓薄膜的可控掺杂方法和高性能光电探测器的优化掺杂密度
宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文,为读者提供行业内前沿科技信息。 研究 ...
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宽禁带联盟
2025-2-25 10:16
【成员风采】天科合达与慕德微纳签署投资合同,共推AR眼镜镜片技术创新
2025年2月21日上午,天科合达与慕德微纳在徐州签署投资合同,共同出资成立合资公司。双方将在AR衍射光波导镜片技术研发与市场推广方面展开深度合作, ...
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宽禁带联盟
2025-2-24 14:21
【成员风采】江苏集芯:推出全新两用碳化硅晶片倒角机
近来,江苏集芯先进材料有限公司在碳化硅(SiC)制造领域展现了强大的创新能力,该公司成功获得了一项名为"两用碳化硅晶片倒角机"的专利,标志着在半导体制造 ...
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宽禁带联盟
2025-2-24 11:32
转折点到来:GaN正一步步超越传统Si MOSFET
GaN功率晶体管正处于一个转折点。在这个关头,任何微小的变化或行动都会导致重大且通常不可逆转的影响,这些器件的未来已经到了不归路,情况发生了巨大变化 ...
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宽禁带联盟
2025-2-21 09:58
AR眼镜风头劲,天科合达助力碳化硅材料新突破
AI如何映照现实生活? 2022年11月,OpenAI公司发布了ChatGPT,AI的魅力首次以具象化的形式走入我们的生活。2024年,Deepseek横空出世,这款开源模型凭借 ...
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宽禁带联盟
2025-2-21 09:54
【科研速递】氧化镓结型场效应晶体管击穿电压突破10千伏
来自美国和日本的研究团队报告了 一种击穿电压超过10kV增强型(E-mode)氧化镓(Ga₂O₃)横向结型场效应晶体管(JFETs) ,该器件采用了氧化镍(NiO) ...
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