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宽禁带联盟 2025-4-21 09:29: 宽禁带科技论|深圳平湖实验室与西安电子科技大学团队：多体效应对 β-(AlGa)₂O₃/Ga₂O₃量子级联结构特性的影响; 由深圳平湖实验室和西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 The impact of many-body effects on the propert ...; 78 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-18 11:11: 英诺赛科/英飞凌GaN创新：1200V；集成二极管; 4月14日，英诺赛科与英飞凌先后发布GaN创新产品，分别以高压平台突破与集成化方案推动行业技术迭代： ● 英诺赛科：1200V氮化镓产品实现量产，瞄准800V新能 ...; 79 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-18 11:09: 论文推介丨导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点; 在半导体材料科学领域， β-Ga 2O 3作为一种新兴的超宽带隙半导体材料，凭借优异的物理性能和在器件中的高性能表现，逐渐成为研究的热点。然而，晶体中的 ...; 131 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-17 10:09: 【成员风采】大连理工大学梁红伟团队在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展; 近日，大连理工大学集成电路学院梁红伟教授课题组在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展，以OVPE外延方法在（010）面实现10μm以上Ga2O3 ...; 106 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-17 10:04: 宽禁带科技论|西安电子科技大学：1.96 kV p-Cr₂O₃/β-Ga₂O₃异质结二极管，理想因子1.07; 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 1.96 kV p-Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction diodes with an ideality f ...; 61 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-16 09:47: 中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器; 记者4月11日从中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮 ...; 70 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-16 09:44: 独家对话方正微电子彭建华：碳化硅领域的突破与展望; Q1：近期贵公司在碳化硅芯片领域取得了哪些突破？彭建华：方正微电子从2023年底实现车规主驱SiC MOS芯片量产，2024年进一步提升生产制造质 ...; 110 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-15 09:46: 【成员动态】山东红点新材料有限公司推出第二代多孔石墨; 红点新材推出第二代多孔石墨加速关键材料进口替代近日，红点新材隆重推出第二代多孔石墨，解 ...; 100 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-15 09:42: 德州仪器宣布推出全新氮化镓产品; 近日，德州仪器宣布推出全新集成式氮化镓（GaN）功率级系列，包括LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070。该系列采用行业标准TOLL（晶体管外形无引线） ...; 259 1 0 1

宽禁带联盟 2025-4-10 11:24: 【成员风采】全球外延晶片龙头瀚天天成，申请赴港IPO; 4月8日，据香港证券交易所公示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司已递交招股说明书（申请版本），拟主板挂牌上市，由中金公司担任独家保荐人。具体来 ...; 98 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-10 11:20: 博世成立合资企业，瞄准芯片级金刚石量子传感器; 近日，欧洲汽车芯片及零部件大厂博世宣布，将其量子传感器初创公司分拆出来，与合成金刚石制造商 Element Six 成立一家合资企业，即博世量子传感（Bosch Quantu ...; 47 1 0 1

宽禁带联盟 2025-4-8 10:17: 双向GaN突破3000V！; 近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的 ...; 134 1 0 1

宽禁带联盟 2025-4-8 10:14: 基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计; 文章来源：舰船电子工程作者：李楠（中航工业雷华电子技术研究所无锡 214100）摘要：论文介绍了一种利用 3.3 kV 碳化硅（SiC）MOSFET ...; 96 1 0 1

宽禁带联盟 2025-4-7 10:00: 宽禁带科技论|低漏电Si基MIS-AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制; 凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能，硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而，GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系 ...; 98 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-7 09:56: 【联盟动态】宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开; 2025年4月2日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同 ...; 161 0 0 0

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