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宽禁带联盟 2025-4-3 09:59: 意法半导体：推进8英寸SiC战略，引领行业规模化发展; 我们邀请到了意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁Francesco MUGGERI，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向 ...; 130 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-3 09:57: 半导体量检测装备，迎来新势力; 在AI、智能汽车、机器人等前沿科技蓬勃发展的浪潮中，半导体产业正迎来前所未有的机遇与挑战。半导体全球产业链在发生着巨大变化的同时，中国半导体产业喜忧 ...; 156 0 0 0

宽禁带联盟 2025-4-1 09:38: 又一车企官宣GaN合作，携手打造新能源汽车核心部件; 随着电动汽车对高效能、轻量化需求的爆发，氮化镓正加速从消费电子迈向汽车产业核心战场。昨天，马自达宣布与罗姆联手开发氮化镓汽车组件；“行家说三代半” ...; 85 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-24 10:34: 【成员风采】科研引领推动产业革新！《今日江苏》栏目走进苏州镓和半导体有限公司！; 本期简介氧化镓作为最有前景的第四代半导体材料，已成大国竞争焦点，随着我国对半导体材料研究的深入，第四代超宽禁带半导体材料被列入国家发展战略，江苏省 ...; 209 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-24 10:32: 垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨; GaN垂直器件作为下一代电力电子器件的绝佳解决方案，其可靠性作为关键核心一直是业内比较关注的问题。现从优化漂移区、电荷捕获等进行探讨。优化漂移 ...; 239 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-21 10:50: 华润微旗下公司发力，氮化镓外延片项目将投产; 海创集团官微消息，近日，润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作，宣布入驻黄泥川智能制造产业园。上述项 ...; 92 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-21 10:43: 德国IKZ周大顺研究团队---基于MOVPE生长技术的β-Ga₂O₃薄膜原位反射率分析; 近期，由德国莱布尼茨晶体生长研究所的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 In-situ reflectance analysis of Si-doped β-Ga2O3 fi ...; 130 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-20 11:09: 西电郝跃院士、张进成教授团队---优化β-Ga₂O₃薄膜晶体质量的新方法：氮离子注入诱导成核技术研究; 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Journal of Alloys and Compounds 发布了一篇名为 Improved crystal quality of β-Ga 2 O 3 on sapphire (00 ...; 328 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-20 11:04: 行业资讯 | GaN 功率器件如何改进架构并推广应用？; 随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善 ...; 125 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-19 10:28: 180万片，斯达半导重庆车规级功率模块项目封顶; 据西部重庆科学城最新消息，3月17日，斯达半导体重庆车规级模块生产基地正式封顶，标志着国内首条年产能达180万片的车规级IGBT与碳化硅（SiC）模块产线进入投 ...; 245 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-19 10:11: 中国科学技术大学龙世兵教授团队---低温退火改善β-Ga₂O₃二极管界面质量的研究; 由中国科学技术大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Improvement of interface quality through low-temperature annealin ...; 198 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-18 11:04: 芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台; 据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET ...; 179 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-18 10:34: 【成员风采】国家队再投一家化合物半导体大厂——昂坤视觉; 企查查最新消息显示，3月13日，国家集成电路产业投资基金二期（以下简称“大基金二期”）投资入股了昂坤视觉（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半 ...; 196 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-17 10:06: NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍！; 株式会社 Novel Crystal Technology （总部：埼玉县狭山市，社长仓又朗人）在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度（JP004596）“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体 ...; 273 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-17 10:01: 新商机！SiC MOS是瞬变电磁发射机设计趋势; 近日，中南大学地球科学与信息物理学院和无锡职业技术学院的研究团队发表一篇题为《基于SiC MOSFET的浅层高分辨瞬变电磁发射机研制》论文。瞬变电磁法是无 ...; 119 0 0 0

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