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宽禁带联盟 2025-3-19 10:11: 中国科学技术大学龙世兵教授团队---低温退火改善β-Ga₂O₃二极管界面质量的研究; 由中国科学技术大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Improvement of interface quality through low-temperature annealin ...; 238 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-18 11:04: 芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台; 据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET ...; 221 3 0 3

宽禁带联盟 2025-3-18 10:34: 【成员风采】国家队再投一家化合物半导体大厂——昂坤视觉; 企查查最新消息显示，3月13日，国家集成电路产业投资基金二期（以下简称“大基金二期”）投资入股了昂坤视觉（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半 ...; 238 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-17 10:06: NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍！; 株式会社 Novel Crystal Technology （总部：埼玉县狭山市，社长仓又朗人）在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度（JP004596）“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体 ...; 340 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-17 10:01: 新商机！SiC MOS是瞬变电磁发射机设计趋势; 近日，中南大学地球科学与信息物理学院和无锡职业技术学院的研究团队发表一篇题为《基于SiC MOSFET的浅层高分辨瞬变电磁发射机研制》论文。瞬变电磁法是无 ...; 169 1 0 1

宽禁带联盟 2025-3-14 09:44: 观察｜比亚迪将推1000V高压平台，碳化硅平权来了？; 全民智驾” 战略发布一个月后，比亚迪将在超充技术的普及上又开一枪。为了增加 EV 产品的竞争力，比亚迪正集中升级纯电新车的快充能力。 3 月 9 日消息，博主 ...; 235 1 0 1

宽禁带联盟 2025-3-14 09:39: 论文推介丨垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本β-Ga₂O₃晶体生长技术突破; 近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而， ...; 614 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-13 10:32: 极氪/沃尔沃：新型SiC设计可使400V汽车电控能耗降低58%; 近日，极氪和沃尔沃研究团队发表了一篇题为《基于最佳直流链路电压和同步升压转换器的电动汽车SiC电驱设计》文献。该团队通过对电驱系统中的功率损耗进行了全 ...; 240 1 0 1

宽禁带联盟 2025-3-13 10:27: 宽禁带科技论|西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法; 宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。西湖大学 ...; 350 1 0 1

宽禁带联盟 2025-3-12 10:50: Yole Power GaN 2024 报告解读; 近期，知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》，“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。报告预测了GaN ...; 1219 4 1 4

宽禁带联盟 2025-3-12 10:39: 宽禁带科技论|西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展; 宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技 ...; 178 3 0 3

宽禁带联盟 2025-3-11 13:53: META 现实实验室 | 碳化硅填补了电子学和光子学之间的空白; 最近碳化硅半绝缘衬底被应用在AR眼镜市场的新闻热度持续走高，今日， META 现实实验室发布了一篇文章，来介绍增强现实（AR）设备有望加速碳化硅（SiC）采 ...; 196 3 0 3

宽禁带联盟 2025-3-11 13:49: 【成员风采】瀚天天成：8英寸SiC产线已建成，正式采购设备; 3月7日，据“中国（福建）自由贸易试验区厦门片区管理委员会”发文，瀚天天成的8英寸碳化硅外延晶片厂房已完成建设。据该报道，2月28日，瀚天天成董事长赵建 ...; 289 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-10 11:16: 比亚迪、长安自研SiC新进展：1200V沟槽、流片下线; 近日，比亚迪及长安汽车在车规SiC MOSFET主驱芯片的研制上均宣布了新进展—— 比亚迪：开始瞄准高耐压领域，宣布将开发1200V 沟槽SiC MOSFET；长 ...; 264 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-10 11:12: 英飞源：充电+储能双突破，2025年剑指46亿; 我们邀请到了英飞源战略营销高级总监鲁力，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。充电桩呈现三大特征：英飞源市占率、超充合作、国际化成绩 ...; 932 3 0 3

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