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宽禁带联盟 2025-3-14 09:44: 观察｜比亚迪将推1000V高压平台，碳化硅平权来了？; 全民智驾” 战略发布一个月后，比亚迪将在超充技术的普及上又开一枪。为了增加 EV 产品的竞争力，比亚迪正集中升级纯电新车的快充能力。 3 月 9 日消息，博主 ...; 195 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-14 09:39: 论文推介丨垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本β-Ga₂O₃晶体生长技术突破; 近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而， ...; 492 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-13 10:32: 极氪/沃尔沃：新型SiC设计可使400V汽车电控能耗降低58%; 近日，极氪和沃尔沃研究团队发表了一篇题为《基于最佳直流链路电压和同步升压转换器的电动汽车SiC电驱设计》文献。该团队通过对电驱系统中的功率损耗进行了全 ...; 184 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-13 10:27: 宽禁带科技论|西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法; 宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。西湖大学 ...; 270 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-12 10:50: Yole Power GaN 2024 报告解读; 近期，知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》，“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。报告预测了GaN ...; 888 3 1 4

宽禁带联盟 2025-3-12 10:39: 宽禁带科技论|西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展; 宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技 ...; 141 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-11 13:53: META 现实实验室 | 碳化硅填补了电子学和光子学之间的空白; 最近碳化硅半绝缘衬底被应用在AR眼镜市场的新闻热度持续走高，今日， META 现实实验室发布了一篇文章，来介绍增强现实（AR）设备有望加速碳化硅（SiC）采 ...; 151 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-11 13:49: 【成员风采】瀚天天成：8英寸SiC产线已建成，正式采购设备; 3月7日，据“中国（福建）自由贸易试验区厦门片区管理委员会”发文，瀚天天成的8英寸碳化硅外延晶片厂房已完成建设。据该报道，2月28日，瀚天天成董事长赵建 ...; 201 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-10 11:16: 比亚迪、长安自研SiC新进展：1200V沟槽、流片下线; 近日，比亚迪及长安汽车在车规SiC MOSFET主驱芯片的研制上均宣布了新进展—— 比亚迪：开始瞄准高耐压领域，宣布将开发1200V 沟槽SiC MOSFET；长 ...; 210 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-10 11:12: 英飞源：充电+储能双突破，2025年剑指46亿; 我们邀请到了英飞源战略营销高级总监鲁力，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。充电桩呈现三大特征：英飞源市占率、超充合作、国际化成绩 ...; 775 2 0 2

宽禁带联盟 2025-3-6 10:19: 飞锃半导体：依托SiC全产业链优势，多领域布局迎接发展机遇; 我们邀请到了飞锃半导体产品市场副总裁李和明，为我们更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。 SiC市场增速放缓技术突破与应用拓展齐驱 ...; 205 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-6 10:16: 华润微、瞻芯电子、重庆青山SiC新动态; 近期，华润微、瞻芯电子、重庆青山公布SiC新动态。 01 华润微：公司SiC产品可应用于AI服务器电源中华润微披露投资者关系活动记录表显示，该公司MOS ...; 202 1 0 1

宽禁带联盟 2025-3-5 11:38: 北京量子院基于单晶碳化硅薄膜刷新了国际记录; 据新华网最新消息，近日，我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录—— 基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新 ...; 135 0 0 0

宽禁带联盟 2025-3-5 10:46: 宽禁带科技论|突破色差瓶颈：超表面技术开创AR显示新纪元; 宽禁带科技论 Theory of Wide Bandgap Semiconductor "宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文，为读者提供行业内前沿科技信息。文章导读 ...; 157 1 0 1

宽禁带联盟 2025-3-4 11:09: 陈小龙：从气相到液相碳化硅晶体生长技术——攻坚与持续创新; 作为我国在先进材料领域深耕多年的科技工作者，中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室研究员陈小龙带领团队历经20余年，成功攻克了晶体扩径这一公认的 ...; 136 1 0 1

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