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为我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展赋能助力!lianmeng@iawbs.com 合作
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为我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展赋能助力!lianmeng@iawbs.com 合作
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宽禁带联盟
2025-2-9 15:23
全球竞逐金刚石半导体
近几年来,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)已经成功登上了半导体材料的舞台,凭借其卓越的节能和小型化优势,掀起了一场技术革新。然而,如果说它们是“明日之星 ...
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宽禁带联盟
2025-2-9 11:26
金刚石前沿应用来了:半导体散热新技术发布
1月23日消息,钻石巨头戴尔比斯旗下的高科技材料企业Element Six于1月22日宣布推出了一种应用于半导体器件散热的铜-金刚石复合材料,为半导体器件的散热问题提 ...
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宽禁带联盟
2025-1-24 11:04
首款国产高压抗辐射SiC功率器件实现空间验证及其在电源系统中的在轨应用
功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC ...
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宽禁带联盟
2025-1-24 11:01
宽禁带科技论|KAUST:超宽禁带氧化镓晶相异质结
研究梗概 在科技的快速发展中,超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(K ...
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宽禁带联盟
2025-1-24 10:55
宽禁带科技论|Nature Review EE: 第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
自2015年起,195个国家签署了《巴黎协定》,共同致力于减少温室气体排放,并设定了到2050年实现碳中和的目标。目前,能源使用约占全球温 ...
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宽禁带联盟
2025-1-21 11:28
宽禁带科技论|北京大学:高效热管理氮化镓器件的设计新思路
研究背景 随着电子器件向高功率和高密度的发展,III-氮化物半导体材料由于其优异的电子和热性能,逐渐引起了科学家的广泛关注。特 ...
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宽禁带联盟
2025-1-20 15:48
【政策措施】山东:重点发展碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料
据山东省科学技术厅官网消息,近日,山东省发布了《山东省新材料产业科技创新行动计划(2025—2027年)》(以下简称“《行动计划》”),提出实施标志性产业链 ...
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宽禁带联盟
2025-1-17 09:31
宽禁带科技论|分子束外延生长的Sn掺杂Ga₂O₃同质外延薄膜的电输运性质和电子结构特性
在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” (项目编号:2022YFB3605500)支持下,厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公 ...
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宽禁带联盟
2025-1-17 09:25
宽禁带科技论|山东大学开发出阈值电压为7.1V的高击穿电压的P-GaN HEMTs
山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积(OTALD)相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MI ...
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宽禁带联盟
2025-1-15 10:55
【项目申报】科技部已正式启动6个国家科技重大专项、82个国家重点研发计划!
根据党中央、国务院关于科技计划管理改革的有关要求,国家科技重大专项、国家重点研发计划主责单位由科技部调整至各部委。为了让大家更清楚地掌握我国科研 ...
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宽禁带联盟
2025-1-15 10:52
深圳平湖实验室:不同金属元素固溶对β相氧化镓能带结构的调控机制
深圳平湖实验室第四代材料器件课题组针对β相氧化镓p型导电困难问题,在理论上考察了不同金属元素固溶对β相氧化镓能带结构的调控机制。该成果“ Effect ...
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宽禁带联盟
2025-1-14 14:48
碳化硅减薄过程中减少纹路的方法
一、引言 碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率,在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器 ...
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宽禁带联盟
2025-1-14 14:39
金刚石半导体材料领先企业化合积电联合创始人、总经理 张星:携手产业链上下游,共同推动金刚石应用领域的持续拓宽
近年来,在国际压力及政府资金和其他激励措施的支持和推动下,国内涌现出一大批优秀且专业的化合物半导体团队和创业公司。由于强大的电信和汽车行业的存 ...
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宽禁带联盟
2025-1-13 15:17
一汽红旗新SiC车型上市,模块供应商是?
1月7日,中国一汽红旗举行了旗下天工家族首款车型天工08上市发布会,该车型定位为中大型纯电SUV,包括单电机后驱和双电机四驱版本。 据了解,天工08基于 ...
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宽禁带联盟
2025-1-13 15:14
又一企业开发出8英寸GaN单晶晶圆
1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸)氮化镓 (GaN)单晶晶圆。 据介 ...
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