全民智驾” 战略发布一个月后,比亚迪将在超充技术的普及上又开一枪。为了增加 EV 产品的竞争力,比亚迪正集中升级纯电新车的快充能力。
3 月 9 日消息,博主 @常岩 CY 在微博发文,展示了一张称是“比亚迪新款超充设备”的实拍照片,并声称相应设备电压达 1000V,功率达 1000kW。这意味着如果车辆也支持 1000kW 超充速率,100 度的电池包可在 10-15 分钟内充满。
核心参数:比亚迪即将发布的1000V高压平台,以“3个1000”定义行业天花板:最高输出电压1000V、最大电流1000A、峰值功率1000kW(双枪模式)。单枪800kW的充电功率远超特斯拉V4超充桩(500kW)和小鹏S4(480kW)。搭载该平台的车型可实现充电5分钟续航300公里,10分钟充满100度电池包,补能效率比肩燃油车加油。
对比来看,特斯拉V4超充桩:北美最大功率500kW,充电速度落后比亚迪60%;理想MEGA:5C超充功率530kW,充电10分钟续航500公里;华为“巨鲸”800V平台:充电5分钟续航150公里。而比亚迪这一技术直接将行业天花板推高至“千伏时代”,甚至预留了升级空间——下一代刀片电池或支持8C快充,充电时间将进一步压缩至6-8分钟。
从800V跃升至1000V,比亚迪面临热管理、高压安全、电网兼容性三大挑战,其解决方案也堪称行业教科书:
在热失控防控方面,比亚迪沿用e平台3.0的16合1热泵系统,能耗降低20%,搭配液冷桩散热效率提升50%;采用碳化硅模块的高压集成电驱系统使得整体能量损耗减少70%,并且可以兼容比亚迪现有的高端800V车型;除此之外,考虑到电网“削峰填谷”的需求,比亚迪还宣布超充站标配储能柜,夜间低谷储电、日间高峰放电,降低对电网冲击。1000V平台将率先搭载于汉、唐家族等高端车型,年内逐步下放至王朝系列。这一策略直击两大痛点:
1.打破“高端专属”:此前800V平台仅用于仰望、腾势品牌,而新平台下放后,20万级车型也能实现超充;2.形成领先优势:理想、小鹏的800V+5C技术尚未普及,比亚迪已用千伏平台+更低定价(传汉EV千伏版起售价25万)形成降维打击;比亚迪的千伏平台并非孤立行动,其同步推进的“BOX”纯电架构计划于下半年发布,目标是实现电驱系统高度集成,能量效率再提升15%。而吉利、蔚来等车企虽已布局900V技术,但规模化应用仍需1-2年。
有行业专家预判,2025年将成为“超充普及元年”,而比亚迪凭借全产业链控制力,可能在未来3年内垄断50%以上的超充市场。这场战役的终局,或许不是技术高低,而是生态之争——谁掌握充电网络,谁就掌控电动车的未来。
1000V平台为何必须“绑定”碳化硅?
一直以来,续航低、充电慢是困扰新能源车的难题,为缩减充电时间和提升续航里程,近年来,通过提升整车电压平台成为主要解决方案。逻辑是当系统电流维持不变,充电功率会随着系统电压翻倍,也就是峰值充电速度增加一倍,充电时间会大大缩短。此外,在提升整车运行效率方面,电流不变时,电池电压越高,电机的功率越大,电机驱动的效率也越高,高压平台容易实现高功率和大扭矩,以及更好的加速性能。
实际上,在800V时代,碳化硅就已经是必选项了,整车电压平台升高后使用碳化硅,其耐高压、低损耗的特性可显著提升充电效率并降低能耗,满足高压系统对功率器件的性能要求,2020-2024年间,碳化硅车型已合计达百余款,其中800V以上的所有纯电车型均搭载了碳化硅产品。
根据调研,SiC 的车载应用场景目前主要包括: 驱动电机控制器、车载充电机(OBC)、DC/DC 变换器、空调压 缩机、高压 PTC 加热器和预充继电器,甚至在小米汽车全系碳化硅的战略下,整车的空悬系统控制领域,也使用了碳化硅产品。
从导入时序来看,车载电源是较早采用 SiC 的领域,2018 年开始就有 20 多家企业将 SiC SBD 和 SiC MOSFET用在 OBC 上,而电机控制器是增长空间最大的车用 SiC 应用场景,2024年预计占 SiC 芯片市场 50% 以上。2023-2024 年,SiC 再次实现了汽车场景应用突破——空调压缩机、PTC、预充继电器和保险丝等高压部件也采用 SiC MOSFET,整车搭载碳化硅颗数超140余颗。
2)快充电源模块需求撑起国产碳化硅市场
1000V高压快充桩需匹配SiC器件以支持更高功率输出,随着各大车企推出的高压快充车型数量逐渐增加,我们预计到2030年,超充桩数量将超100万根。
充电桩方面,目前单桩功率已逐步从前几年的120kW以下向160-480kW及更大功率快充桩、超充堆方向发展。但由于充电桩的功率提升主要依赖于充电模块的功率叠加,且受限于产品体积、占地面积及制造成本,单纯增加模块数量已不再是最佳方案。因此,如何在不增加额外体积的情况下,提升单个模块的功率密度,成为主流技术方向。
通过SiC MOSFET替代IGBT器件,配合LLC谐振与同步整流技术,系统损耗降低35%。某头部厂商实测数据显示,采用动态均流算法的60kW模块集群,在50%负载下仍保持97.2%转换效率,年节电量超12000kWh。
我们预计在超充桩中的碳化硅渗透会逐步加快,根据我们的调研数据,碳化硅单管(MOS+SBD)数量在240kW充电桩中的使用颗数已接近40余颗。值得一提的是,目前国产碳化硅在充电模块中的渗透已占比较大比例,以飞锃半导体、清纯半导体等为例,国内碳化硅器件企业已全面与国内前十名的充电模块公司达成合作。
3)“光储充一体”,光储系统带来的新增量
根据披露的信息,比亚迪的超充站采用“光储充一体”设计,通过储能系统实现电网调峰,缓解高峰时段电网压力,并利用峰谷电价差降低成本这种模式已在欧洲试点,未来大规模推广将直接拉动储能电池需求,单个超充站需配置225kWh储能柜,形成规模化部署。结合光伏发电,超充站可实现绿电自足,减少对传统电网的依赖,契合“双碳”目标。储能系统在光伏发电波动性调节中的作用进一步凸显,推动分布式储能市场增长。
而SiC解决方案在光储产品中展现出了明显的优势,光储系统正朝着1500V-2000V高压平台发展,碳化硅器件的高耐压(3300V以上)特性可支持更高电压等级,减少线路损耗30%以上。碳化硅的高频特性(75-100kHz vs. 硅基的10-15kHz)使电感、电容等无源器件体积缩小50%,功率密度提升至硅基的3倍。
过去以来,碳化硅受限于光储市场敏感的价格体系和技术可靠性缺乏长期验证等原因渗透较慢,但随着碳化硅在其他汽车或工业市场应用加快,供应链成熟度提高,价格下降迅速,光储市场对碳化硅的接受程度也在加深,渗透率有望持续提升。
做好准备!碳化硅供应链从“产能溢出”到“规模反哺”
实际上,前两年国内碳化硅行业在新能源汽车、光伏等下游需求预期下,地方政府通过土地、税收补贴推动企业快速扩张产能,国内碳化硅项目涌出,产能无序竞争之下是价格战带来的企业短期阵痛,前不久,碳化硅(SiC)大厂如意法半导体(STM)、安森美(onsemi)、英飞凌(Infineon)、Wolfspeed等陆续发布2024年第4季财报,业绩纷纷“不及预期”,引发市场发出“SiC黄金时代是否终结”的疑问。
来源: 碳化硅芯观察
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