2025年4月2日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开,此次会议旨在对《SiC器件功率循环试验方法》一项标准草案和《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》等4项标准送审稿进行研讨与评审。
会议现场全球能源互联网研究员有限公司教授级高工杨霏、中材人工晶体研究院有限公司教授级高工尹利君、中国科学院物理研究所王文军研究员、中国科学院半导体研究所研究员刘兴昉、北京大学教授王金延、中科院电工研究所高级工程师张瑾、中国科学院半导体研究所教授级高工钮应喜、中国科学院电工研究所研究员宁圃奇、怀柔实验室研究员许恒宇、工业和信息化部电子第四研究院高级工程师闫美存、北京航空航天大学副教授李晓、江苏卓远半导体有限公司技术总监李国平、北京天科合达半导体股份有限公司质量总监佘宗静、山西烁科晶体有限公司高级工程师侯晓蕊、宽禁带联盟秘书长刘祎晨、副秘书长郑红军等宽禁带联盟标准化委员会委员及此次团体标准起草单位代表等共二十余位参加了本次会议。
标委会委员讨论与评审
会议首先由刘秘书长介绍与会专家与评审规则。随后,标准评审环节由中国科学院物理研究所王文军研究员担任评审负责人,主持本次标准评审工作。各起草单位代表依次对5项团体标准的核心内容进行逐条解读,重点阐释技术框架及实施要点。评审专家围绕标准的术语规范,技术参数、引用文件,标准格式、内容结构、标注说明、编制说明等内容与牵头单位进行了多轮交流和研讨。起草单位表示,将充分吸收本次会议提出的评审意见、进一步修改和完善标准内容,规范标准结构,尽快形成征求意见稿/报批稿,上报至联盟秘书处,按照标准制定工作计划进度要求,有条不紊地推动标准工作,完成高质量团体标准的发布。
会议合影
目前宽禁带联盟已发布了团体标准22项,在研标准11项。未来,宽禁带联盟将持续深化团体标准体系建设,紧密贴合产业发展趋势与市场需求,通过标准引领技术攻关与成果转化,激发创新活力,促进产业升级,为宽禁带半导体产业的繁荣发展注入强劲动力。
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