Q1:近期贵公司在碳化硅芯片领域取得了哪些突破?
彭建华:方正微电子从2023年底实现车规主驱SiC MOS芯片量产,2024年进一步提升生产制造质量与良率,夯实基础。
我们将实现交付车规主驱SiC MOS芯片上新能源乘用车数量从几万辆车到数十万辆车的历史跨越。
总体来看,方正微电子是目前国内对SiC领域投入最大的厂家,无论是产线建设还是技术研发的投入都是最大的,已建成目前国内车规SiC MOS最大的实际产能。且公司非常重视供应可连续性、供应链安全,构建了从原材料到生产制造的国产供应链,积极支持国产材料、设备的发展。
source:方正微电子
Q2:新能源汽车对SiC器件的需求激增,贵公司在该领域的进展如何?
彭建华:方正微电子的车规SiC MOSFET已经大规模交付国内头部OEM厂商以及Tier1厂商,尤其是乘用车主驱SiC MOS出货进入行业第一梯队。主驱用SiC MOS产品的核心性能指标可比肩国际头部同行产品,个别指标处于领先地位,产品质量获得了客户的高度认可。
公司的车规产品在行业内率先通过了3000小时的可靠性测试,测试时长3倍于行业车规认证要求,在可靠性等关键技术工艺上有关键突破以及长期积累。
source:方正微电子
Q3:您怎样看待8英寸SiC产业的发展,贵公司目前进展如何?
彭建华: 英寸SiC转型的主要动机之一是降低成本,但近年来6英寸衬底价格下降速度太快,因此8英寸晶圆与6英寸晶圆的成本平衡点会推迟。另外,国内的6英寸SiC产品技术与制造工艺能力还有很大的提升空间,加上目前产业产能过剩,供应远大于需求,因此应谨慎对待8英寸技术升级与投资。
Q4:您认为当前国内SiC产业链的主要短板是什么?如何突破?
彭建华:当前国内最主要的短板还是体现在晶圆制造和设备环节。虽然SiC芯片制程难度不如逻辑芯片的先进制程,但要把产品做好并不容易,在车规质量与关键工艺上等同先进制程工艺难度。
部分国内厂商过于追求性能指标,忽视了产品质量,牺牲比如栅氧等环节的工艺质量,导致器件寿命大幅缩短,可靠性存在风险,引发应用端的失效事故。另外,目前仍有少部分碳化硅设备高度依赖进口,也是国内的短板的之一。
我们呼吁,国内供应商,要守住质量的底线,投资在可靠性等核心工艺上的研发技术与制造工艺上。
Q5: 国内SiC产业竞争激烈,贵公司如何通过差异化策略突围?
彭建华:方正微电子始终瞄准下游头部客户的核心需求,从产品质量、性能等角度提升公司实力,通过技术提升与制造规模实现成本降低。
Q6:2025年贵公司的运营重点和业务规划是怎样的?
彭建华:首先是做好客户交付工作,确保给头部OEM厂以及Tier1的产品供应高质量;其次是持续压强投入技术研发与工艺提升,加快新一代工艺平台的开发;另外就是做好FAB 2的扩产工作。2025年是方正微电子发展过程中最关键的一年,我们将实现交付车规主驱SiC MOS芯片上新能源乘用车数量从几万辆到数十万辆的历史跨越。
我们相信,首先要把产品做好,交付服务做好,产能供应建设好,产品有竞争力,构建方正微电子的高质量品牌,与客户做长期的战略发展伙伴,做中长跑选手,不牺牲质量去追求短期的利益,树立好的口碑,这是我们的经营理念。
来源:集邦化合物半导体
*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论