聚焦离子束技术

聚焦离子束（Focused Ion Beam，简称 FIB）技术是一种先进的微观加工与分析手段，广泛应用于材料科学、纳米技术以及半导体研究等领域。

FIB核心原理是利用离子源产生高能离子束，通常以镓（Ga）离子为主，部分设备还配备氦（He）或氖（Ne）离子源。离子束在轰击样品时，会产生溅射现象，从而实现材料的精准去除，同时通过二次电子信号获取样品的形貌图像，为制样过程提供直观的辅助。这种技术能够在纳米尺度上对样品进行微加工，为透射电子显微镜（TEM）样品的制备提供了高效、精准的解决方案。

FIB 在 TEM 制样的操作流程

1.样品定位与标记

在制样初期，需要从样品中精准定位出感兴趣的区域。由于样品的微观结构复杂，直接对其进行加工可能存在定位偏差。因此，采用离子束沉积技术在样品周围或特定位置进行标记是至关重要的一步。

通过离子束的作用，将一些容易识别的材料（如金属铂等）沉积在样品表面，形成清晰可见的标记点。这些标记点不仅为后续的加工操作提供了明确的参考，还能在制样过程中实时监控样品的位置变化，确保加工精度。

2.保护层沉积

离子束的溅射作用虽然能够高效去除材料，但同时也可能对样品表面造成损伤，尤其是对于一些对表面敏感的样品，如半导体材料、生物样品等。

为了避免样品在加工过程中受到不必要的破坏，需要在正式开展切割等加工操作前，在样品表面沉积一层保护性材料。常用的保护材料包括碳、铂、钨等。这层保护膜能够在一定程度上缓冲离子束的冲击，降低对样品原始结构和成分的破坏风险，从而保障样品在后续加工过程中的完整性以及最终的 TEM 观察效果

3.粗加工与切割

根据 TEM 样品所需的大致形状和尺寸要求，将块状或较大尺寸的原始样品逐步切割成接近目标形态的薄片。

在这个过程中，需要综合考虑样品自身的材料特性，如硬度、韧性等，以及期望达到的最终厚度，合理地调整离子束的各项参数。既要保证切割效率，又要避免因过度加工而导致样品出现裂纹、分层等损伤情况。这一步骤是整个制样流程的基础，其加工质量直接影响后续精加工的效果。

4.精加工与减薄

粗加工完成后，样品的形状和尺寸已基本接近目标要求，但此时样品的厚度和表面质量仍需进一步优化。因此，需要切换为较低能量和较小束流的离子束，对样品进行更为精细的加工和进一步减薄处理。通过改变离子束的参数以及补偿角度，对样品进行均匀减薄，使其达到 TEM 观察所需的厚度范围（通常为几十纳米）。

在减薄过程中，还需特别注意避免引入新的损伤和污染。最后，切换到低电压进行最终的清扫，清除样品表面在切割过程中可能产生的非晶污染，确保样品在 TEM 下能够呈现出清晰、准确的微观结构图像。

FIB 技术的优势与局限性

1.优势

FIB 技术在透射电子显微镜样品制备领域具有不可替代的重要地位。

例如，它能够在纳米尺度上对样品进行精准加工，避免了传统方法可能引入的样品损伤和污染；同时，FIB 技术的灵活性高，能够适应各种复杂样品和特殊需求，为材料微观结构研究提供了更广阔的应用空间。

2.局限性

设备成本较高，操作复杂，需要专业的技术人员进行操作和维护。

总结