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摘要： 以硅通孔（TSV）为核心的 2.5D/3D 封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直 TSV 的制造工艺复杂，容易造成填充缺陷。锥形 TSV 的侧壁倾斜，开口较大，有利于膜层沉积和铜电镀填充，可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形 TSV，并通过增加第二步刻蚀来改善锥形 TSV 形貌。成功制备了直径为 10~40 μm、孔口为喇叭形的锥形 TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充，成功实现了直径为 15 μm、深度为 60 μm 的锥形 TSV 的连续膜层沉积和完全填充，验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形 TSV 在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的 TSV 制备工艺，在降低成本的同时提高了 2.5D/3D 封装技术的性能。 0 引言 微电子技术的飞速发展促进了现代集成电路在高性能、低成本和低功耗方面的突破。然而，微电子封装技术的发展相对滞后，逐渐成为制约半导体技术进一步提升的主要瓶颈。以硅通孔（TSV）为核心的2.5D/3D 封装技术是一种新型的高密度封装技术，通过在硅基底上形成垂直方向的通孔，并用金属材料填充，实现了芯片之间的立体互联，被认为是未来高密度封装领域的主导技术。TSV 封装技术具有显著的优势，如缩减了芯片尺寸、提高了集成度、降低了信号传输延时和功耗、提升了数据传输速率和带宽等。 常规的 TSV 是采用基于等离子刻蚀、循环交替刻蚀/钝化过程的博世（BOSCH）工艺来刻蚀制备的，所得通孔侧边垂直度接近 90°。该垂直圆柱形通孔有利于提升通孔的数量和密度。但是 BOSCH 工艺的循环刻蚀过程会造成侧壁呈扇贝状，导致后续沉积的膜层厚度不均匀。此外，垂直侧壁也增加了后续电介质绝缘层、阻挡层和铜种子层的沉积难度，难以实现良好的阶梯覆盖。膜层沉积时往往只能在 TSV 开口处形成较厚的膜层，而在 TSV 较深处的侧壁和底部很难进行沉积。这种厚度差异会影响 TSV 的电镀填充效果，导致孔口过度填充，孔底出现空缺 [1] 。同时，由于电镀液中的 Cu 2+ 在 TSV 开口处补充的速率远高于 TSV孔深处补充的速率，从而加剧了孔口和孔底部的沉积速率的不一致，进一步导致了填充缺陷的产生。 为了解决这些问题，可以采用锥形TSV的结构。锥形TSV消除了侧壁上的扇贝状结构，并且具有倾斜的侧壁，可以显著提高绝缘层、阻挡层和铜种子层的均匀性和阶梯覆盖性能 [2] 。电镀过程中，其较大的开口也有利于电镀液中的Cu 2+ 在孔深处的快速补充，从而提高孔内部的电镀填充效率。因此，通过同时改善膜层质量和离子通道，锥形TSV可以改进TSV的填充效果和性能。 研究表明，锥形TSV还具有可靠性和传输性能方面的优势。对不同几何形状TSV（包括纺锤形、锥形、椭圆形、三角形、四角形和圆柱形）的可靠性影响的研究表明，与其他TSV形状相比，锥形TSV能更有效地均匀释放垂直方向的热应力。这意味着TSV底部的应力集中程度较低，从而降低了晶圆之间外部接触区域发生故障的可能性，提高了TSV封装的机械可靠性 [3] 。另外，对圆柱形和具有不同锥形角度的锥形TSV的功率损耗进行比较研究，发现锥形TSV由于表面积和寄生参数较小，具有更好的功率性能，能够降低功率反射损耗，提高功率传输效率 [4] 。 目前有两种方法可以制备锥形TSV，一种是改良的BOSCH工艺，一种是SF 6 /O 2 低温反应离子刻蚀（RIE）法。改良的 BOSCH 工艺是在传统的 BOSCH 工艺的基础上，通过调整脉冲时间，增加刻蚀脉冲时间，减少钝化时间，从而形成锥形 TSV [5] 。然而，这种方法只能获得有限的锥形角度（85°~90°），不能满足大多数应用的需求。为了改善锥形 TSV 的开口度，有些研究在 BOSCH 工艺后再进行一次各向异性刻蚀，使孔口呈喇叭状 [6-7] 。该工艺改善了孔口位置的膜层连续性，但对孔底，尤其是孔底拐角处的膜层改善还有待提高。 另一种方法是 SF 6 /O 2 低温 RIE 法，此方法中 SF 6 分解得到的 F*自由基各向同性地刻蚀硅，O 2 的加入将F自由基与Si发生反应生成物SiF x 氧化成SiO x F y ，SiO x F y 附着在刻蚀槽的侧壁上，在侧壁上形成保护层，从而增加刻蚀的方向性 [8] 。低温可以增加对氧化硅掩膜的刻蚀选择比，降低反应产物 SiF 4 的挥发性，从而增强钝化效果，增加各向异性 [9] 。SF 6 /O 2 低温 RIE 法可以实现小于 85°且可控的倾斜角并得到较大的深宽比，扩大了 TSV 工艺整合的可能性 [10] 。但是，SF 6 /O 2 低温 RIE 法也存在一些缺点，如在掩膜与晶圆交界处容易形成侧掏尖角，导致在该处沉积的介质和金属薄膜断裂，增加了 TSV 通孔填充的难度和漏电的风险[11] 。另外，低温 RIE 通常要求极低的温度（-40~ -100 ℃），使得大部分刻蚀机难以实现 [10] 。 因此，改良的 BOSCH 工艺和低温 RIE 法都有一定的局限性，不能适应大多数应用场景。为了解决这个问题，本文提出了一种在非低温条件下制备锥形 TSV 的两步刻蚀法，并研究了如何控制和改善锥形角度和锥形 TSV 形貌。同时，通过研究锥形 TSV 中的膜层厚度和电镀填充深度验证了所得到的锥形 TSV 在膜层沉积和电镀填充过程中的优势。 1 锥形 TSV 的两步刻蚀 1.1 锥形 TSV 的两步刻蚀法 锥形 TSV 的等离子体各向异性刻蚀是在 F * 自由基刻蚀和氧气钝化之间找到一个平衡，使得侧壁有节制地被刻蚀，且其刻蚀速率明显小于孔底的刻蚀速率。锥形深孔的刻蚀是在 SPTS 反应离子刻蚀机中进行的。在这个刻蚀过程中，温度、电感耦合等离子体（ICP）功率、腔室压力、射频（RF）偏压、气体体积流量、SF 6 与 O 2 的体积流速比均会影响刻蚀结果，如刻蚀速率、选择性、通孔轮廓、侧壁倾斜程度、侧掏。 ICP 功率和 RF 偏压是影响刻蚀速率的主要因素。ICP 功率越高，等离子体的密度越大，离子通量越大，刻蚀速率越高。RF 偏压越高，轰击晶圆的离子能量越大，刻蚀速率和陡直度越高。 腔室压力会影响反应离子的平均自由程，进而影响到各向异性。腔室压力的减小会产生较高的各向异性，增加刻蚀垂直度。而腔室压力增加，离子浓度增加，反应离子的平均自由程减小，离子偏转严重，会导致侧掏现象。侧掏会在掩膜下方形成侧掏尖角（或下切），形成如图 1(a)所示的孔形。 F 与 O 原子数比是影响侧壁倾斜度（即锥形角度）的主要因素 [12] 。这是由于 F 原子和 O 原子在表面的竞争吸附，O 原子的吸附导致钝化，而 F 原子的吸附导致硅刻蚀。F 与 O 原子数比增加，表面吸附的 O原子的侧壁钝化跟不上 F 原子的吸附导致的刻蚀，从而导致负锥度，孔形下大上小，同时侧掏现象严重。当 F 与 O 原子数比减小，O 原子的竞争吸附减少了 F 原子的吸附刻蚀，钝化效果增强，形成正锥形深孔。 温度对各向异性和侧掏均有影响。温度降低，可降低反应产物 SiF 4 的挥发性，生成钝化层，增强钝化效果。在孔底，由于等离子体产生的离子轰击使钝化层脱离，进行所谓的溅射刻蚀。而侧壁由于受到较少的离子轰击，其上的钝化层得到部分保留。这样，温度降低，各向异性提高，侧掏减少。研究表明，将基底温度设置为约 -100 ℃，可以将各向异性刻蚀减至最低程度 [13] 。 但是，这样的极低温对于大多数刻蚀机来说是很难实现的。为了找到更易于实现的技术方法，此处将温度控制为 5 ℃。经过调整，第一步刻蚀参数设置为：温度为 5 ℃，腔室压力为 25 mTorr （1 Torr≈133 Pa），ICP 功率为 800 W，射频（RF）功率为 50 W，SF 6 和 O 2 体积流量均为 40 cm 3 /min，刻蚀时间为 20 min。 图 1（b）为第一步刻蚀后带有侧掏尖角的锥形 TSV 截面的光学显微镜图。经过 20 min 刻蚀，孔径为 20 μm的孔深度达到了 67 μm。侧壁的倾斜角度，即锥形 TSV 的锥形角度为 86°。虽然第一步刻蚀形成了锥形，孔内直径最大处达到了 30 μm，但是由于侧掏尖角的存在，开口处孔径依然较小，为 23 μm。 为了消除侧掏尖角，改善孔的形状，在去除掩膜层后进行第二步各向同性刻蚀。刻蚀参数设置为：温度为25 ℃，腔室压力为35 mTorr，ICP功率为800 W，SF 6 、Ar和C 4 F 8 体积流量分别为80、40和10 cm 3 /min，刻蚀时间为 2 min。第二步刻蚀中只使用了有刻蚀作用的 SF 6 ，而不用有钝化作用的 O 2 。同时，Ar 和 C 4 F 8的加入可以降低刻蚀速度，避免由于刻蚀速率过快导致的表面粗糙。图 1（c）为第二步各向同性刻蚀去除侧掏尖角的示意图。图 1 (d)为经过 2 min 各向同性刻蚀后所得到的 TSV 截面的光学显微镜图。明显可以看到侧掏尖角已被去除。同时，孔底直径几乎没有变化，但是孔上部扩大，锥形角度增加，形成喇叭状。这一形貌更有利于膜层的连续沉积和无孔隙的电镀填充。 1.2 不同孔径的刻蚀 图 2 为经过相同刻蚀过程（20 min 的第一步刻蚀和 2 min 的第二步刻蚀）后不同设计直径（即掩膜开口孔径）的深孔的截面图。可以明显看到孔深随着孔径的增大而增大，而锥形程度却减小了。 图 3(a)测量了孔深和孔底直径、孔口直径，并与设计直径进行了比较。结果显示，在相同的刻蚀条件下，大孔径的孔深度较大，孔底直径更容易比设计直径偏大。这是因为在相同的刻蚀条件下，刻蚀气体更容易进入大尺寸孔内，因此对于孔底及侧壁的刻蚀会更快。相反，对于小尺寸的孔径，刻蚀气体难以进入，因此刻蚀速率相对较慢。这与深硅刻蚀中与深宽比相关的负载效应（ARDE）相一致。 图 3(a)中可以看到，孔口直径均比孔底直径大 14~19 μm，印证了孔的锥形形貌。通过孔口直径（a），孔底直径（b）和孔深（d），计算得到孔壁的锥形角度（θ），即 图 3 (b)中黑色的点线为通过孔深、孔口和孔底直径计算得到的锥形角度。但是通过图 2 可以观察到孔侧壁并不是直线，孔上部普遍孔壁更倾斜，锥形角度更小。因此选择测量孔的上 1/3 和下 1/3 分别作为孔口和孔底的锥形角度。图 3 (b)中红色和蓝色线分别画出了孔口和孔底的锥形角度。可以看到，不同孔径的孔底锥形角度比较相似，在 86.6°~88.9°之间。而孔口的锥形角度则比孔底小，在 68°~79°之间，并且在 10~30μm 孔径范围内随着孔径的增大而增大，即倾斜度降低。这说明大孔径的喇叭口倾斜程度更小，而小孔径的喇叭口倾斜程度更大，这一现象也可以在图 2 中直观地看出。这是因为，在相同的第二步各向同性刻蚀工艺下，样品表面部分刻蚀速率是相同的。无论是大孔径图形还是小孔径图形，在孔口处的侧向刻蚀速率是相同的。因此，对于小尺寸的孔径来说，相同时间的刻蚀会导致其孔口直径增加的比例更大，这也就意味着孔口处会更加倾斜。而当孔径继续增大，这一影响逐渐减小，导致孔径 30μm 以上的孔口锥形角度变化不大。 2 膜层沉积 刻蚀后的硅深孔内需要依次沉积绝缘层、阻挡层和种子层：绝缘层用来电隔离硅基底和填充的导电材料，通常选用二氧化硅；阻挡层用来防止铜原子穿透二氧化硅绝缘层而导致的封装器件产品性能下降甚至失效，一般使用化学稳定性较高的金属材料及其化合物，如 Ta、Ti、TaN 等；种子层在后续的电镀填充中提供导电，一般使用 Cu。两步刻蚀得到的喇叭状的孔口角度较平滑，有利于膜层在孔口的连续分布。上大下小的锥形 TSV 也使得孔口的遮蔽效应减小，有利于孔底部的膜层沉积。 本文使用的绝缘层、阻挡层和种子层分别为 2 μm SiO 2 、50 nm Ta 和 800 nm Cu。在 Oxford 电感耦合等离子体化学气相沉积（PECVD）设备中沉积SiO 2 绝缘层, 沉积条件为：ICP功率为1 000 W，温度为200 ℃，腔室压力 12 mTorr，SiH 4 、Ar 和 N 2 O 体积流量分别为 14、60 和 70 cm 3 /min，沉积时间为 195 min。在 Denton多靶磁控溅射镀膜系统中溅射了阻挡层和种子层。阻挡层 Ta 的溅射条件为：溅射直流功率为 200 W，Ar体积流量为 40 cm 3 /min，时间为 150 s。种子层 Cu 的溅射条件为：溅射直流功率为 200 W，Ar 体积流量为40 cm 3 /min，时间为 1 200 s。 图 4 对比了一步刻蚀和两步刻蚀后得到的 20 μm 直径，65 μm 深度孔的孔口处和孔底拐角处（一般为膜层最薄处）的膜层沉积情况。由于扫描电子显微镜（SEM）的成像原理和精度限制，Ta 和 Cu 层无法区分，在图像上表现为一层（Ta/Cu 层）。为了研磨得到可观察的截面，使用树脂填充了孔内空间，树脂在SEM 图中表现为不导电导致的高亮区域。可以在图 4 (a)和图 4 (b)中看到，ICP-化学气相沉积（CVD）沉积 SiO 2 的过程中会在孔口的侧掏尖角位置沉积更多的 SiO 2 ，使尖角更加突出，这会进一步恶化后续种子层的沉积环境。在图 4 (b)中，虽然同样孔口位置绝缘层沉积比较多，但是喇叭状开口可以部分弥补其导致的孔形变化。从图 4 (c)和图 4 (d)种可以看到，孔底拐角处的膜层厚度比孔口小了很多，而有侧掏尖角的图4(c)中膜层已经观察不到连续的膜层。 为了进一步确认孔底金属的分布情况，对孔底部拐角处和孔口位置进行了能量色散 X 射线光谱（EDX）分析。表 1 列出了孔口位置和孔底拐角处 O、Si、Ta 和 Cu 的质量分数（w O 、w Si 、w Ta 和 w Cu ）。EDX 测试中电子束的穿透深度为 1~2 μm。因此，在孔口，当金属膜层较厚时，EDX 主要收集到金属膜层的信号。在孔底，当金属膜层较薄时，EDX 穿过金属膜层，更多地收集到了绝缘层和基底的材料信息。从表 1 中可以看到，在孔口，金属 Ta 和金属 Cu 的质量分数分别为 6.01%和 59.18%，这说明有充足量的阻挡层和种子层。而在一步刻蚀后的有侧掏尖角的孔底拐角处，金属 Ta 的质量分数为 11.22%。说明阻挡层的沉积受侧掏尖角影响不大，能够覆盖到孔底。而 O 元素和金属 Cu 的质量分数下降到了 2.83%和 0.15%。说明绝缘层和种子层的量不足。第二步刻蚀去除侧掏尖角后，O 元素和 Cu 的质量分数上升至 3.15%和 1.07%。可见，两步刻蚀去除侧掏尖角对孔底绝缘层和种子层的改善有明显作用。 在电镀填充过程中，种子层是金属沉积的起始点，其厚度和连续性对电镀填充的质量具有重要影响。如果种子层过薄或不连续，金属无法在孔底沉积，就会导致孔底缺陷，如空洞、针孔、短路等[14] 。要确定膜层对填充的真实影响，还需要通过电镀填充结果来确定。 3 电镀填充 以高纯铜片作为阳极，带有 TSV 的溅射了种子层的晶圆作为阴极进行电镀填充。电镀液采用新阳SYS2520 甲基磺酸体系电镀液，并加入针对深孔电镀的 UPT3360 系列添加剂。首先，采用 10 mA/cm 2 的电流密度进行预电镀，以在深孔内壁形成一层均匀的铜层。接着，将电流密度提高到 40 mA/cm 2 ，进行正式填充电镀。不同直径的 TSV 需要不同的电镀时间才能达到完全填充。如，10 μm 和 30 μm 直径的 TSV分别需要 6 h 和 10 h 的填充时间。 图 5 为直径 15 μm 的孔，在不同的孔形下，经过相同的膜层溅射和电镀填充步骤后的截面图。图 5 (a)为一个通过 BOSCH 工艺刻蚀的直径为 15 μm、深度为 100 μm 的垂直 TSV 的电镀填充效果。填充深度大约为 30 μm。由于种子层未能完全覆盖，孔深处大部分没有得到填充。在图 5 (b)中，一步锥形刻蚀后形成的锥形深孔的填充深度增加到了 40 μm。然而，由于侧掏尖角的存在，孔的填充深度增加有限，因此孔仍然没有完全填满。在图 5 (c)中，第二步各向同性刻蚀将侧掏尖角完全消除，电镀填充深度进一步增加，使得深度为 60 μm 的孔得以完全填充。由此可见，锥形 TSV 的形成和侧掏尖角的消除有助于增加 TSV 的填充深度。这是由于扩大了的孔口提高了种子层在深孔侧壁，尤其是孔底区域的覆盖率，从而改善了电镀过程中孔内的导电情况；另外，较大的孔口也让镀液中的铜离子更容易扩散到孔内并发生还原反应。 图 5 (d)和(e)分别放大了图 5 (b)和 (c)中侧壁上的近似位置。由于阻挡层和种子层已经和填充的铜合为一层，很难观察到阻挡层和种子层的具体情况。但是，在图 5 (d)中可以观察到带有侧掏尖角的深孔中绝缘层出现了断裂。鉴于阻挡层和种子层在绝缘层的上层，可以推断它们也出现了断裂情况。绝缘层的断裂可能导致该区域出现电流泄漏和信号丢失。阻挡层的断裂会导致铜向硅基底的扩散。种子层的断裂会影响填充效果。在断裂位置附近出现了填充空缺与这一推断吻合。在图 5 (e)中侧掏尖角被消除后，绝缘层保持了连续性。虽然不能直接观察到阻挡层和种子层的连续分布，但阻挡层的 EDX 数据和孔的完全填充现象证明了阻挡层和种子层的完全连续覆盖。 4 结论 本文提出了一种用于制备锥形 TSV 的两步刻蚀工艺。该工艺首先采用 RIE 在相对常温下形成锥形TSV，然后进行各向同性刻蚀以消除侧掏尖角并优化锥形轮廓。通过这种工艺，可以在直径 10~40 μm 的孔中实现底部锥形角度约为 87°，顶部锥形角度为 68°~79° 的喇叭状锥形 TSV。本文还验证了锥形侧壁对薄膜连续性和 TSV 填充质量的影响，并在孔径 15 μm，孔深 60 μm 的 TSV 中实现了连续膜层分布和完全填充。证明了锥形 TSV 和侧掏尖角的去除有助于实现完整的薄膜覆盖，从而改善了 TSV 的隔离、阻挡和填充效果。通过两步刻蚀工艺，降低了 TSV 制备的工艺难度和工艺成本，提高了填充质量和工艺稳定性。这将在高密度、高质量封装中有巨大的应用潜力，对半导体产业链和科研领域都具有重要意义。 声明：本文由半导体材料与工艺转载，仅为了传达一种观点，并不代表对该观点的赞同或支持，若有侵权请联系小编，我们将及时处理，谢谢。
内容摘要从半导体设备细分产品的国产化率来看，国产化率最高的为去胶设备，已达90%以上；热处理、刻蚀设备、清洗设备国产化率已达到20%左右；CMP、PVD设备国产化率已达到10%左右；量检测设备、涂胶显影设备正逐步实现从0到1的突破。随着海外出口限制层层加码，半导体设备国产化进程加速推进。根据SEMI，2023年全球集成电路前段设备市场约为950亿美元，其中中国大陆成为全球最大的集成电路设备市场，占比达到35%，在政府激励措施和芯片国产化政策的推动下，中国大陆未来四年将保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。2022年刻蚀设备/薄膜设备/量检测设备在晶圆制造环节半导体设备投资占比分别约为23%/22%/13%，未来随着先进工艺需求提升，这三类设备需求量及价值量将进一步攀升。作为刻蚀设备领军企业中微公司，ICP开启放量，迈向工艺全覆盖。公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。工艺覆盖方面，超高深宽比掩膜、超高深宽比介质刻蚀、晶圆边缘Bevel刻蚀等进展顺利。MOCVD设备从蓝绿光LED市场出发，紧跟MOCVD市场发展机遇，积极布局用于碳化硅和氮化钾基功率器件应用的市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得良好进展，已付运和将付运几种MOCVD新产品进入市场。薄膜沉积设备研发方面，公司目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，取得了客户订单。公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，将不断扩大对多种检测设备的覆盖。 一、中国大陆未来四年每年300+亿美元晶圆厂设备投资，国产化进程加速推进 二、刻蚀工艺、设备及其主要厂商 三、薄膜工艺、设备及其主要厂商 四、量检测技术及其驱动因素 五、刻蚀与薄膜重点厂家-中微公司介绍 六、中微公司的设备产品介绍及其未来研发方向 七、中微公司的未来预测
套刻误差是光刻工艺中最重要的概念之一，什么是套刻误差呢？ 在芯片制造工艺中，图案是先存在于掩模版(Mask，也叫光罩)之上，之后经过曝光显影转移到光刻胶上，再经过刻蚀等工艺转移到wafer上，然后去掉光刻胶，图案就存在于wafer上。例如，下图是通过光刻以及刻蚀产生金属连线的过程， 图1 套刻简化过程 一开始的金属膜层是全部覆盖在wafer表面的，通过光刻把掩模版上的图案传递到光刻胶上，刻蚀掉多余的金属再去掉光刻胶，就在表面留下了金属线条。那么现在金属线条就是已有的图形了。随后要在wafer上继续通过光刻胶图案刻蚀出通孔来连接金属线，就要光刻胶和金属线条进行对准，金属线条称为参考层，通孔对应的光刻胶图案称为当前层，当前层与参考层之间的偏差就是套刻误差，套刻误差越小越好，如果偏差过大导致通孔没有和金属线连在一起将导致断路，这是芯片制造中必须要避免的。 带有参考层的wafer进入到光刻机里以后，光刻机会自动把当前层的掩膜版与参考层的图案进行对准，然后进行曝光，最终表现出来的是光刻胶图案与参考层图案的对准，对准的好不好呢？就要通过单独的量测设备测量套刻误差来判断，套刻误差足够小则不需要调整，如果过大，就需要把测量结果经过一系列的计算反馈到光刻机里进，光刻机根据这些参数修正之后，wafer再传入光刻机，掩膜版与参考层就会对的更准，能达到要求了。 稍微展开说一下套刻误差修正的具体过程。 首先是套刻误差的测量，设备主要是KLA的Archer，显然，套刻误差测量需要参考层与当前层的图案，但是这个图案不是上面例子中真正的芯片中的连线，而是放在shot(一次曝光的区域)边缘的、专门设计用来测量套刻误差的图案，这里就展示一个比较简单的图案“box in box”，外圈是参考层刻蚀形成的图案，内圈是当前层的光刻胶图案，ΔX和ΔY代表偏离中心的值就是套刻误差。 图2 “box in box”型的套刻标记，ΔX和ΔY就是在x和y方向上的套刻误差，右图是套刻标记在shot中的位置 一个shot一般会测量四个或以上个数的套刻标记，一个wafer一般测量9个或以上个数的shot，这样我们就得到了很多的套刻误差数据，怎么根据这些数据进行修正呢？最简单的是线性修正，使用线性模型对测量数据做模型分析：套刻标识得到的套刻误差数据计算出十个参数，不同的参数起到的修正作用不同，这些参数通过线性公式计算，将结果反馈到光刻机进行修正，就能对的更准，让套刻误差减小。不难看出，我们只测量了9个shot的四个位置的数据来让所有区域得到修正，修正后也不是完全对准的，会有一定的修正残留。线性模型使用的十个参数有其在物理上的含义，其中六个用于修正曝光区域网格(inter-field)，剩余四个用于修正曝光区域内部(intra-field)； 这部分的内容还是比较复杂的，这里只简单的说一下什么是inter-field和intra-field。 下图就是所谓的inter-field套刻误差, a图是参考层的shot布局，黑点是shot的中心位置，曝光时wafer步进移动，掩模版对准到下一个shot上，然后进行扫描曝光（shot会有重叠），直到整片wafer全部曝光完成；参考层中每个shot的中心位置点相连组成了一个网格(b图中蓝线)。 a b 图3 参考层的shot，黑点代表中心位置，黑点构成的蓝色连线是步进曝光的网格 然后到了当前层的曝光，最好的结果也就是套刻误差为0应该是与前一层的shot完全对准，但实际上会像下图中一样有偏差，a图红框代表当前层的shot，与参考层的shot没有完全对准有所偏差。当前层的shot中心(红点儿)也构成了一个网格，这个网格与参考层网格(蓝线)之间的偏差就是inter-field套刻误差。10个参数中的6个参数修正的就是整个网格。 a b 图4 a图是当前层的曝光shot(红色框)与参考层的shot有所偏差，红点是当前层shot的中心位置；b图是红点连线构成的网格与参考层网格的偏差 而其余4个参数修正的是曝光区域内部的套刻误差，也就是一个shot内部与前一层的偏差 图5 当前层(实线)与参考层(虚线)在shot内部的偏差 关于套刻误差就介绍到这里，这部分内容比较复杂，更深入的还需参照书籍仔细理解，总结不易，看到这里的朋友点个关注鼓励一下吧！
随着集成电路技术的不断发展，对芯片清洗工艺的要求也越来越高。高温SPM清洗技术作为一种先进的湿法清洗工艺，在芯片制造中发挥着重要作用。首先介绍了芯片制造中的湿法工艺，重点阐述了高温SPM清洗技术的原理和应用，分析了影响工艺性能的因素，并对高温SPM清洗的流场进行了建模与仿真分析，为高温SPM清洗设备的优化设计提供了理论依据。 湿法工艺是指芯片制造过程中需要使用化学药液进行制程的工艺，主要涉及槽式/单晶圆湿法清洗、超临界流体湿法清洗、化学机械抛光、电化学沉积设备等几大类，用于半导体制造过程中去除污染物、蚀刻多余材料、沉积薄膜等关键步骤[1]。其中，湿法清洗设备针对不同工艺需求，采用特定的化学液对晶圆表面进行清洗，以去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，为下一步工序准备好良好的表面条件。清洗工艺是保证芯片表面洁净度的重要环节，直接影响后续工艺的进行和芯片的质量[2]。湿法清洗工艺主要分为碱清洗、酸清洗、溶剂清洗和超临界流体清洗等类型，其中高温SPM清洗技术是近年来发展起来的一种高效清洗工艺，其技术产线应用见表1。 高温SPM工艺一般用于去除晶圆上的有机污染物，使用浓硫酸和双氧水的混合物， H2SO4与H2O2体积比为2:1~8:1，清洗温度90~280 ℃，这一过程中使用红外加热器将硫酸瞬间加热到130 ℃以上是一项关键技术，同时防止烟雾对设备的腐蚀也非常重要。 清洗过程的反应原理是利用浓硫酸与双氧水生成活性氧，将有机物氧化为CO2和水，达到去除有机污染物的目的，反应方程式为： 传统 的 S P M 清 洗 是 在 槽 式 清 洗 设 备 中 使 用 硫酸(H2SO4)和双氧水(H2O2)进行的，用于在光刻胶剥离、蚀刻后清洗、注入后清洗和化学机械抛光（CMP）后清洗等[3]。随着关键尺寸的缩小，槽式设备无法达到28 nm以下技术节点所需的清洁性能，需要使用单晶圆SPM清洗处理设备，然而，单晶圆SPM工艺需要将SPM混合物加热到高温，这就需要使用大量化学品，并在此过程中释放硫酸废料，从而对环境造成危害[4]。 先进湿法清洗设备采用两步法结合槽式清洗和和单晶圆清洗的优势，首先使用槽式模块进行批量SPM清洗，然后进行快速倾倒冲洗（QDR）。晶圆在湿润状态下被转移到单晶圆模块，使用工业标准湿法清洗工艺（RCA）或其他工艺化学品进行进一步清洁，在单晶圆步骤中不使用H2SO4，从而减少了化学品的使用与浪费。 1 高温SPM清洗工艺性能影响因素 1.1 清洗液温度 清洗液温度是影响高温SPM清洗工艺性能的最重要因素之一，槽式设备通过在线循环加热控制清洗液的温度，高温（180 ℃以上）SPM制程，对离子植入后的光阻有较好的去除能力。对单晶圆设备而言，在硫酸和双氧水喷射到晶片的同时，由位于晶片上方的红外灯辐射，使得SPM在短时间升温至工艺温度。 1.2 清洗液浓度 清洗工艺中各化学品的配比确定后，需保证清洗液浓度稳定，但有机污染物的氧化反应及H2O2在高温下的分解，都会产生副产物H2O，溶液组分很难维持恒定，需要通过机台定时向SPM清洗液中添加化学品，以维持清洗液浓度。 1.3 清洗液流动方式 清洗液流动方式也会影响高温SPM清洗工艺性能，不同的流动方式会对晶圆表面的清洗效果产生不同的影响。槽式设备通过浸泡的方式进行清洗，工艺槽内流场的稳定是影响清洗效果的关键因素，当晶圆在化学工艺槽内浸泡清洗时，若槽内化学药液流速不均，扰流较大，则容易造成清洗死角，影响晶圆的性能及良率。通过合理的槽体设计，避免流场出现死区或短路等不良情况，保证槽内药液流动的均匀性。单晶圆设备通过喷淋方式去除晶圆表面污染物，通过摆臂与晶圆旋转的配合保证清洗液在整个晶圆的均匀覆盖。 2 高温SPM清洗建模与仿真分析 2.1 槽式设备流场数学模型 在对槽式设备工艺槽内化学品流场进行数学求解时，通常将液体在槽内的流动视为定常不可压缩流动，流动状态为湍流，湍流模型采用标准k-ε模型，其控制方程为：连续性方程： 式中：ux为x方向上的速度分量；vy为y方向上的速度分量；wz为z方向上的速度分量。 Navier-Stokes方程为： 式中：ρ为药液流体的密度；μ为流体的黏度系数；Fx为x方向上的分力；Fy为y方向上的分力；Fz为z方向上的分力。 湍动能k和耗散率ε方程为： 式中：Gk为平均速度梯度引起的湍动能；Gb为浮力引起的湍动能；YM为可压缩湍流脉动膨胀对总的耗散率的影响；σk为湍动能对应的普朗特数；σε为湍动耗散率对应的普朗特数；Sk、Sε为自定义源项；Prt为湍流普朗特系数；β为热膨胀系数；gi为重力加速度在i方向上的分量；Mi为湍动马赫数；C1ε、C2ε、C3ε为经验常数；T为流体温度；t为时间。 2.2 槽式设备流场仿真分析 基于Fluent有限元分析软件，采用k-ε计算模型评估槽式湿法清洗中的流场，为了提高模型的计算效率，将槽体的圆角、倒角等不影响分析结果的尺寸进行简化处理，模拟中考虑进液孔入射角度及进液管位置对槽体流场的影响，如图1所示。 化学液通过进液管上的进液孔进入槽体，将进液管口设置为质量流入口；液体经槽体顶部的溢流孔排出至外槽，设置溢流孔为压力出口；质量流量大小通常根据厂方及槽体结构尺寸而定，这里设置为0.2 kg/s。 固定 进 液 管 距 离 槽 体 侧 壁 的 相 对 距 离 ， 评 估不同喷嘴角度下得到槽内化学液真实流动状态，流速如图2所示。可以看出，进液孔入射角度较小（θ=15°）时，槽内底部药液流速较快，中间区域药液流速较低，不利于晶圆清洗；进液孔入射角度较大（θ=60°）时，药液沿侧壁流速较快，且容易形成短路，槽内中间位置的晶圆区域形成死区，不利于晶圆清洗；中间入射角度在θ=30°时，槽体内流动形成涡流，晶圆两侧与片盒接触的部分速度场分布较低，不利于晶圆清洗。当进液孔入射角度θ=45°时，速度场分布良好，清洗效果最为理想，由此可确定最佳的进液孔入射角度为45°。 固定喷嘴角度θ=45°，评估不同进液管到槽体侧壁的相对距离下得到槽内化学液真实流动状态，云图如图3所示。可以看出，进液管距离侧壁较近（l=25 mm）时，槽体底部位置晶圆与片盒接触的部分速度场分布较低，不利于晶圆清洗；进液管距离侧壁较远（l=75 mm或l=100 mm）时，两根进液管距离过近，槽体内流动形成涡流，晶圆两侧与片盒接触的部分速度场分布较低，不利于晶圆清洗。只有进液管与侧壁距离适中（l=50 mm）时，槽内中间位置的晶圆区域速度场分布良好，清洗效果最为理想，由此可确定最佳的进液管位置据侧壁50 mm。 2.3 单晶圆设备流场分析 在单晶圆清洗设备中，清洗液通过喷嘴喷向旋转晶圆的表面，再借助晶圆旋转的离心作用实现整个晶圆的覆盖。通过大量的实践，喷嘴通常设置在非中心位置，并允许摆动，而描述这种非对称几何形状的数值模型需要巨大的计算成本，单晶圆设备的流动可通过可视化而不是计算来进行快速评估。 Habuka Hitoshi等[5]通过使用视频摄像机和水溶性蓝色墨水示踪剂作为示踪剂，研究了单晶圆湿法清洗设备中的水流运动。当将示踪剂与水一起从旋转晶圆中心注入时，它从中心到晶圆边缘对称地扩散在旋转的晶圆表面上。除了中心区域外，水在晶圆表面的径向速度在各种晶圆旋转速率下变化可以忽略不计。 旋转达到稳定后，晶圆表面存在的一层非常薄且狭窄的液膜，在半径为r的位置，局部厚度d可以通过流量与平均径向速度之间的关系来获得： 式中：Q为化学品流量；d为液膜层的厚度；vr为化学品的径向平均速度；r为狭窄液膜层的位置；Δr为狭窄液膜层的宽度。 液膜层厚度随着旋转速率的增加而减小。评估水层厚度在500~1 400 r/min的旋转速率范围内约为0.1 mm。 此外，Lin Tee等[6]通过模拟，分析不同喷嘴类型和周期振荡速度对液膜厚度均匀性的影响，相较于单喷嘴摆臂，双喷嘴能够提高液体薄膜的厚度和稳定性，并且其厚度变化量比单喷嘴更低。 3 结论 高温SPM清洗技术是一种高效、环保的芯片清洗工艺，在芯片制造中发挥着重要作用。本文介绍了高温SPM清洗技术的原理和应用，分析了影响工艺性能的因素，其中，清洗液的温度、浓度以及流动方式被证实为影响清洗效果的关键因素。为了进一步揭示高温SPM清洗技术中流场分布规律，本文利用数值模拟对高温SPM清洗的流场进行了建模与仿真分析，研究发现，当进液孔入射角度适中（θ=45°），进液管与侧壁距离适中（l=50 mm）时，清洗液能够形成理想的流场分布，获得最佳的清洗效果。本研究结果为高温SPM清洗设备的优化设计提供了重要的理论依据，通过优化进液孔的入射角度和进液管与侧壁的距离，可以进一步提高清洗效率。
摘要： 应用非破坏性检测技术和破坏性显微分析技术对塑封电子元器件在温度循环试验中发生的失效进行了分析，通过研究缺陷发展的过程并结合现有检测标准要求，提出了对器件设计改进和完善现有检测标准的建议。 随着硅单芯片集成度不断提高，I/O 引脚数急剧增加，其功耗也随之增大，对集成电路的封装技术提出了更高的要求。尚未封装的半导体器件是十分脆弱的，金属化图形非常薄，甚至正常操作都容易使其受到损伤。同时，由于输入、输出引出端开路，电荷对地 没 有 任 何 通 路 ，使得 芯 片 对 静 电 放 电 损 伤（ESD）非常敏感，因此集成电路必须用封装的方法进行保护才能投入实际使用。在保护芯片的同时，封装中的缺陷在环境应力的作用下也会使元器件的性能和功能出现异常，因此研究塑封电子元器件的温度效应就显得非常重要。 封装形式包括含有腔体的封装和非腔体封装两类，其中腔体封装包括金属壳封装、陶瓷腔体封装等方式，非腔体封装则包括塑封、二氧化硅实体封装等形式。金属、陶瓷封装的电子元器件采用气密结构，可以在相当长的时间内防止污染物的侵入。无论液体、固体和气体，都无法对其内部结构造成腐蚀等损伤，在低温下也可减少由液态水造成的失效发生。这些特点非常有利于提高电路特别是有源器件的可靠性。然而，这类封装工艺复杂、成本较高、生产效率相对较低、传热途径单一、体积较大，影响了其进一步的发展。塑封元器件与气密元器件相比，成本明显降低，生产效率较高，芯片尺寸封装（CSP）已经可以使封装面积小于等于芯片面积的 1.2 倍，体积明显缩小。塑封元器件导热通路包括经过封装底板、引线的热传导和通过塑料传至空气的对流方式。模塑料的热导率较低，虽然 Emerson & Cuming 生产的 Stycast 2851KT 在常用的包封材料中热导率相对较高，却只能达到 2.8 W/（m·K），与 Al2O（3 热导率 17 W/（m·K））等材料存在较大差距。制造商通过外露管芯焊盘等方法使其导热能力明显增强，但仍需进一步提高[1]。 塑料封装为非气密封装，会使水汽或其他污染渗透到电路元件中；同时，内部结构界面，尤其是转角部位，常常存在缺陷。这些问题对元器件可靠性的影响，学术界目前尚无定论，各类检测标准中的判据也多基于统计方法，所以通过物理检测的方法评价塑封元器件的损伤机理就显得尤为重要。 1 分析方法 为了研究缺陷的发展，需要使用非破坏性检测手段对样品进行研究，并对失效样品使用破坏性手段进行解剖分析[2]。对非腔体封装样品进行非破坏性分析的主要检测方法主要包括 C-SAM 和 X 射线DR/CT[3]。对于 X 射线检测方法，图像衬度的产生，依赖于样品的密度。塑料封装材料与内部金属结构的衰减系数差距巨大，塑料封装的裂纹、空洞等缺陷在 X 射线穿透样品的同时，衬度就会降低到无法被观测到的程度，造成缺陷的漏检。传统的射线造影方法，多针对单一材料或密度差相对较低、同时缺陷尺寸相对较大的样品，例如人体造影所用的碘剂、钆剂等。使用注射等方法将造影剂注入需要造影的空间，但是这些造影剂与注入方法对于电子元器件来说，都无法达到满意的衬度。在试验过程中使用金属氧化物造影剂和真空渗透的方法对样品缺陷部位进行造影分析，对开放型缺陷的裂纹深度、宽度、扩展方向等进行观察。C-SAM 检测方法，主要用于检测样品内部分层的情况，包括塑封材料与基板、框架等界面的缺陷[4—5]。为了对样品温度效应进行研究，对样品进行了温度试验。为排除温度试验过程中封装吸水和分层处水汽对样品造成影响[6]，在每次进行C-SAM 后，将样品放入干燥皿内，干燥 72 h 后，再进行下一轮温度循环试验。 2 试验过程及数据 2.1 温度应力对分层缺陷的影响 塑封 元 器 件 内 部 经 常 存 在 分 层 缺 陷 ，在 GJB4027A—2006《军用电子元器件破坏性物理分析》工作项目 2.4.3 节中规定了使用 C-SAM 方法对塑封元器件检测的 6 个界面，其中 c 条规定了对基板边缘正面与塑封材料的界面进行检测。然而在 2.4.4 节中却未对该界面的缺陷判据作出明确的说明[7]，该处确实出现分层现象较多的区域。在对 100 只 74LS245塑封集成电路的试验中发现，30%以上的样品在该界面存在缺陷。关键是研究这些缺陷是否会扩展，造成样品的最终失效。 为了研究缺陷的扩展，对样品进行 0～85℃的温度冲击试验[8]。温度冲击液体介质为全氟聚醚，每进行一次温度冲击，对样品进行 C-SAM 检测和电性能测试。所有存在缺陷的样品，经过温度试验后都发生了分层缺陷的扩展，但除个别样品外，多数样品在经过 3～4 次试验后，缺陷就会停止扩展；同时，缺陷范围停留在基板范围内，典型 C-SAM 图像如图 1所示。这时，缺陷对样品的电性能不会造成任何影响。在筛选过程中，使用类似的试验方法，通过对少量样品进行试验，确定缺陷发展的边界条件，就可以为筛选条件的选择提供客观依据，非常有利于提高筛选的效率。 2.2 温度效应对键合线损伤 在与温度相关的环境试验中，经常出现元器件在高温或低温状态下参数漂移而开路、常温下恢复正常的情况。这些情况的发生一方面可能与界面层的水汽有关[9]，另一方面还与热膨胀系数不匹配有关。目前，某些研究认为硅片与塑封材料热膨胀系数相差较大（塑封材料约为 25 × 10-6 ℃-1，硅约为 2.3×10-6 ℃-1），热膨胀系数不匹配，会造成样品芯片表面的损伤，造成最终失效[10]。在试验中发现由于键合线包埋在封装材料中，热膨胀系数的不匹配会使界面处键合线反复受力，形成疲劳断裂。在变化早期，由于反复作用，受力处裂纹逐渐萌生，低温状态时，分层距离变大，接触面积变小，甚至断开，造成参数偏移或开路。恢复至常温后，分层尺寸变小，键合线裂纹处碰触恢复连接，电性能和功能恢复正常。上述试验中电参数出现低温异常、常温恢复现象的样品，开帽后内部 SEM图像如图 2 所示。图 2a 是该芯片的低倍照片，清晰地反映了该器件有键合点断裂，而该键合点对应的引脚正是电性能异常的引脚；图 2b 为断口形貌，从图中可以看出裂纹从右下角处萌生，裂纹扩展区有相互平行的疲劳条带，条带宽度随裂纹的发展而增大。靠近瞬断区有二次裂纹产生，断口有河流状解理花纹，瞬断区较光滑，此断口具有明显的疲劳断裂特征。 2.3 硅橡胶灌封器件的温度效应 目前，电源模块、隔离放大器等复杂的器件多采用硅橡胶灌封，以保护和固定内部连接线及其它结构，同时增加散热通道。这些特性与塑封器件完全相同。然而，有些类型的硅橡胶在固化过程中会发生收缩，从而在内部产生应力。这类器件内部有着许多不同界面，在正常温度下，硅橡胶在各界面处有较强的粘结力，粘结力与内应力保持平衡，不会造成分层等现象的出现；在低温条件下，硅橡胶材料会发生收缩，并且在温度低于 Tg后，硅橡胶会转变为玻璃态，失去原有的弹性，界面处原有的连接失效；当温度恢复常温后，硅橡胶恢复弹性，由于没有界面处的拉力平衡内应力，橡胶在内应力作用下收缩，从而出现较大尺寸的开裂。如果有连接线穿过该处，就有可能在两侧封装材料的拉力作用下发生断裂。 一只失效的隔离放大器 X 射线三维CT 结构如图 3 所示。该样品在-75 ℃条件下出现输出异常。通过对样品进行高倍放大 DR 分析，发现输入端 4 根线圈引出线中的 1 根存在断裂现象，这处断裂直接造成器件的输出电压异常，如图 4 所示。 使用光学显微镜对解剖后的失效样品进行观察，发现失效样品内部断线对应线圈外包裹的光滑塑料外套与硅橡胶灌封材料存在明显开裂现象，断线处垂直上方裂缝宽度可达 282 μm。同一线圈对侧位置未发现类似现象，如图 5 所示。 对样品进行进一步解剖，剥离出断线断口，使用扫描电子显微镜对断口进行分析。断口呈现明显的应力积累损伤特征，说明该断裂是在多次应力的作用下产生的，断口形貌如图 6 所示。综合分析表明，该样品是由于低温条件下灌封料收缩产生应力，造成灌封料与光滑的线圈包覆层之间开裂。由于线圈引出线固定于封装材料中，应力直接作用于线圈引出线。在温度循环过程中引出线所承受的应力超过其强度，多次积累损伤使引出线断裂，造成器件失效。 由于硅橡胶内应力的存在，造成分层极易沿各界面扩展。通过使用一些刚性材料隔断连续界面，可以很好地抑制分层的发展。通过使用 X 射线造影剂和真空渗透方法，对封装材料与引脚存在分层的样品进行 X 射线图像增强分析，发现封装材料的开裂只延伸到引脚固定隔框附近就停止扩展，未延伸至内部主要功能区，有效保护了内部结构。引脚造影前与造影后如图 7 所示。 3 结论 通过以上案例对塑料封装电子元器件的温度效应进行了分析和研究，得到了以下结论。 1）对于塑封电子元器件中存在的界面分层缺陷，虽然其在环境应力作用下会发生扩展，但这种扩展在经过一定的试验后会达到极限。这种特征可以应用于塑封电子元器件的筛选过程，提高产品的可靠性。 2）热膨胀系数不匹配会使界面处产生应力，如果键合线穿越分层界面，那么在温度应力的作用下，会使键合线发生疲劳断裂，使器件出现功能、性能的异常。因此，在检测中需要对这类缺陷特别注意。 3）硅橡胶灌封器件中，由于灌封材料内部存在收缩产生的内应力，在低温条件下容易在光滑界面处发生分层，造成失效。因此，在使用此类器件时，必须要注意使用温度极限，防止分层的发生。同时对于自行生产的灌封组件，可以在一些连续界面处设置加强框等分隔结构，阻止缺陷的扩展，提高产品的安全性。
使用直接晶圆到晶圆键合来垂直堆叠芯片，可以将信号延迟降到可忽略的水平，从而实现更小、更薄的封装，同时有助于提高内存/处理器的速度并降低功耗。目前，晶圆堆叠和芯片到晶圆混合键合的实施竞争异常激烈，这被视为堆叠逻辑与内存、3D NAND，甚至可能在高带宽存储（HBM）中的多层DRAM堆叠的关键技术。垂直堆叠使得芯片制造商能够将互连间距从35µm的铜微凸点提升到10µm甚至更小。 然而，垂直堆叠也伴随着成本问题，这使得芯片制造商急于寻找减少晶圆边缘缺陷的方法。这些缺陷显著影响了晶圆上所有芯片的良率，而晶圆键合需要极为平坦、无缺陷的300mm晶圆。为了更好地控制整个晶圆加工过程中的晶圆边缘缺陷，以及在融合和混合键合过程中，工程师们正在微调新旧工艺。这些工艺包括一系列技术，涉及晶圆边缘的湿法和干法蚀刻、化学机械抛光（CMP）、边缘沉积和边缘修整步骤。 性能和功率效率的提升是显著的，先进封装正在通过芯片堆叠实现更高的处理速度和能力，将内存更接近CPU和GPU，将信息传输的线路缩短，从而加速计算。数据传输仍然占据芯片成本的很大一部分，通常需要进行几十到几百次内存访问，也许你只有两到四个周期来获取你需要的值。系统如果能将内存更靠近处理器，将大大提升性能。而且，通过垂直堆叠发送信号，相比将信号从芯片传输到外部内存再返回的长距离传输，能显著节省能量消耗。 工艺也在针对先进封装的特定需求进行优化。例如，Lam Research与其合作伙伴CEA-Leti优化了一种面向先进封装应用的边缘沉积工艺，该工艺已于去年推出。在晶圆薄化之前，对键合晶圆的边缘进行沉积，可以提供增强支撑。这些结构需要材料来填补边缘的空隙，因此沉积的薄膜作为支撑层起作用。否则，在CMP过程中，由于去除速度在边缘更快，设备晶圆可能会在边缘发生开裂，导致形成缺口，这种缺口最终可能导致晶圆间隙接近零。如果没有边缘沉积，晶圆在薄化过程中可能会发生边缘开裂，严重影响良率。 使用基于人工智能的先进工艺控制（APC）软件，工程师可以提高整个晶圆以及堆叠中晶圆之间的均匀性分析。APC涵盖等离子体限制、薄膜均匀性、光刻工艺的均匀性等方面的分析。准备进行混合键合的晶圆必须满足严格的工艺规格，以确保高良率的混合键合，例如极为平坦（<1nm的中心到边缘非均匀性）、无颗粒的晶圆、出色的晶圆/晶圆或芯片/晶圆对准、<200nm的芯片放置精度等。晶圆边缘缺陷包括颗粒、崩边、划痕、薄膜剥离、晶圆处理过程中造成的损伤，这些缺陷可能会脱落并成为影响产品良率的缺陷。 CMP挑战 CMP（化学机械平坦化）最早由IBM在1980年代末期为引入铜大马士革互连技术而开发，它为平整化晶圆并在更薄的封装中增加更多功能提供了巨大的支持。晶圆平整度、控制边缘滚落以及减少颗粒是CMP的关键目标。如今，除了在平整化浅沟槽隔离、介电材料和BEOL互连中的铜时使用外，晶圆研磨和CMP还在优化过程中被用于在键合后显著薄化300mm硅晶圆的背面。 器件晶圆的质量也取决于起始硅的质量，晶圆边缘的处理一直是一个问题。因为边缘没有邻近材料，所以会发生不连续性或突变，改变了这些区域的物理特性。在裸硅晶圆的抛光过程中已经采取了一些措施来弥补这种变化，例如使用保持环。在这个CMP过程中，保持环支持晶圆在抛光夹具中，而晶圆边缘仅与保持环接触的部分非常小，裸硅晶圆边缘本质上被塑造成三个部分——一个锥形部分、更钝的边缘，再一个锥形部分，这被证明是理想的设计，有助于提高CMP性能，相比之下，圆形边缘的效果较差。 通量对所有晶圆工艺至关重要，如果CMP操作过快，就会引入非均匀性，并且有更高的机械损伤风险。因此，必须在最大化去除速率和保持均匀性、缺陷控制之间找到一个非常微妙的平衡。CMP设备供应商，如应用材料（Applied Materials）、江森自控技术（Ebara Technologies）和Axus Technology，与垫片和化学液体供应商一起，针对每个应用优化晶圆和晶圆间的均匀性，为目标工艺应用设计整个方案（化学试剂、抛光片、修整盘、P-CMP清洁剂）。 化学和机械工程师会考虑化学试剂、抛光片、修整盘的组合，控制CMP垫片的各种特性，包括刚性或硬度。颗粒的大小、分布和组成极为重要，因为这些特性部分决定了去除速率在晶圆之间的变化情况，表面图案工程和优化的抛光垫技术也被采用，同时还会使用实时传感和反馈技术，以便用户在CMP过程中及时调整并进行修正。CMP和湿法/干法蚀刻工艺都在专用设备上优化，以去除晶圆边缘的缺陷。 干法与湿法刻蚀 倒角刻蚀已投入生产约15年，旨在通过去除任何不需要的材料，如会损坏晶圆或从倒角移动到晶圆中心的颗粒缺陷来提高良率，需要在整个生产线上实施倒角刻蚀，因为工艺流程中有些环节会积聚这些材料。刻蚀设备经过优化，可去除晶圆边缘上的任何类型薄膜，无论是介电材料、金属还是有机物。在倒角的反应离子刻蚀（RIE）过程中，晶圆被上、下两块板固定，以确保只有晶圆的边缘、倒角部分和背面边缘暴露在外。 刻蚀过程根据客户和具体工艺流程的不同有不同的使用方式，一些客户等到积累了多层薄膜后，再清理至硅表面；而有时他们只是去除一层，比如用于深刻蚀NAND流程的厚碳硬掩模，这种碳掩模也是导电的，可能导致RIE腔室内的电弧，倒角刻蚀可以解决这些潜在的污染问题。 尽管湿法和干法清洁工艺各有其优势，但设备制造商通常会根据高产量生产选择其中一种。随着技术节点的缩小，这个问题变得更加重要，因为人们希望从晶圆边缘获得更多的良品。目前我们有一个2毫米的边缘排除要求，而客户更希望是1毫米，所以晶圆边缘的缺陷变得越来越重要。 为了成功处理这些薄晶圆，在最终研磨/薄化步骤期间及之后，设备晶圆首先会与一片符合半导体行业标准的玻璃晶圆或硅载体晶圆进行键合。在键合步骤之前，这些晶圆将至少经过一步CMP处理步骤、随后的CMP后处理清洁步骤和键合过程本身。如果这些步骤不能达到关键质量要求，键合晶圆的边缘可能会出现空洞，甚至可能影响整个接合面。 例如，如果你有一层硅氮氧化物薄膜，可能会因为倒角处粘附力较弱而发生剥离。如果是像氮化钛（TiN）这样的材料，由于热应力也可能会发生剥离，因此可以用SC1清洁，而且对于去除背面聚合物也有类似的应用。经过等离子刻蚀后的薄膜，背面会有聚合物附着在边缘。CMP后也可能会有剥离现象。你需要去除这些，以防止剥离部分重新沉积在晶圆前面，造成缺陷并影响器件。 由于薄晶圆的处理和加工是一项挑战，大多数芯片制造商使用暂时键合技术，将晶圆键合到玻璃晶圆上，以便在加工过程中提供支持。对于这些非常薄的应用，尤其是当晶圆的厚度被薄化到仅为200µm时，客户使用Tyco环来固定晶圆，因为弯曲是最大的难题。 干法沉积 NAND设备是Lam公司首次开发倒角沉积的关键应用。倒角沉积系统沉积保护性的二氧化硅层，最早开始为3D NAND设备进行边缘沉积，现在它已经扩展到其他应用，其中最有趣的用途之一是支持3D封装的键合晶圆应用。沉积可以发生在正面、倒角或背面上的前几个毫米，从几百埃的厚度到几微米的材料。 另一个目前处于研发阶段的新应用是沉积薄的氮化硅薄膜，以控制铜污染。对于现有的应用，Lam公司的工程师预计每一步的良率提升将在0.2%到0.5%之间。 晶圆薄化与边缘修整 用于先进器件的基底硅晶圆薄化会引入显著的应力，当将其薄化时，基底硅变得越来越薄，因此会揭示出多个热应力和机械应力，表现为变形。例如，对于NAND和先进逻辑器件来说，剩下的硅几乎没有了，剩余的全是金属堆叠，而这些金属层会增加应力。 为了更好地理解去除的硅量，可以考虑原始晶圆的厚度。对于300毫米硅晶圆，原始厚度为775微米，经过所有器件加工后，薄化至35到50微米。尤其是当你开始考虑‘内存计算’的概念时，你将逻辑芯片直接堆叠在非常高性能、高带宽的内存之上，这样就涉及到完全不同的器件和完全不同的力和应力，这些应力存在于两者之间。 边缘修整过程是一种湿法工艺，可以去除晶圆外缘的1到1.5毫米，可以在预粘接或粘接步骤时进行。但假设你正在进行融合粘接，每个晶圆都有CMP滚落，然后基本上就是倒角。所以如果你将它们粘接在一起，始终会有一个区域没有完全填充。基本上会有一个非常非常小的间隙，慢慢地变为零。如果你现在开始研磨它，那个区域会变得非常脆弱，因为修整过程就像用刀修边。因此，如何控制这个边缘并管理它，目前是一个热门话题。 在芯片到晶圆的粘接中，芯片边缘的凸点非常容易受到应力的影响。如果设计人员无法改变应力分布，就必须调整设计规则，将I/O引脚移到芯片的中心。在晶圆到晶圆的粘接中，比如用于HBM时，晶圆边缘的凸点最容易受到应力影响。你会发现边缘有倒角，这很难控制，而且可能会有应力放大的边缘损伤。人们正在寻找不同的方法来解决这一问题。晶圆边缘修整在晶圆到晶圆的粘接、批量硅去除和CMP之前进行。许多传统的CMP供应商提供边缘修整工艺。 结论 晶圆边缘缺陷是制造中面临的重要挑战，正在通过CMP、干湿刻蚀、边缘沉积和晶圆边缘修整等方式加以解决。尽管一些领先的器件制造商已经在生产中使用了混合粘接技术，但它仍然是一个相对不成熟且成本较高的过程。通过专门为晶圆堆叠优化这些工艺，更多行业领域将能够使用这一赋能技术。 参考文献，见详细文件 半导体芯片切割加工品质的评价方法 方素平 小森雅晴 赵宇 植山知树 广恒辉夫 梅雪松 （西安交通大学 机械制造系统国家重点实验室 日本京都大学 工学院精密工学系 ∙陕西省计量科学研究院 日本 TOWA 株式会社） 摘要： 在对日本一些著名半导体生产企业实际生产中所用的质量控制方法和企业生产规范进行认真分析的基础上，提出了一组具有代表性的主要检测项目和相应的检测方法。设计了一组芯片切割实验方案并进行了切割实验，对所提出的检测项目及要求逐项进行了检测。明确了在正常切割条件下各项指标出现不合格品可能性的大小，证明了所提出的检测项目和检测方法对于控制芯片切割品质的有效性。研究成果对于芯片切割加工品质评价方法的规范化和标准化，对于高速切割机的设计和切割工艺的制定等均具有重要的参考价值。 0 引言 随着半导体制造技术的进步，大规模集成电路的集成度越来越高，除 CPU 芯片和大规模存储器芯片等少数芯片外，在笔记本计算机、液晶显示器、数码相机、手机及各种随身携带的视频与音像制品中大量使用的 IC 芯片，其成品的外形尺寸已经变得非常小。 本文主要就采用高速切割机切割半导体芯片切割品质的评价方法进行探讨。在对国际上的现行评价方法进行充分分析之后，进行了大量的切割实验，并对实验结果进行了分析和对比，在此基础上提出了一套可以有效控制半导体芯片切割质量的实用性评价方法及其相应的评价指标。 1 芯片切割加工品质的现行评价方法 目前国际上对芯片切割加工品质的评价指标有很多，没有形成统一的标准，世界著名企业都有自 己的质量控制方法或生产规范［1-2］ ，较小的企业则参考著名企业的做法制定出自己的检测项目。在这些企业自定的质量控制和评价指标中，有些项目是一致的，但具体指标值也有所不同，而有些项目则完全因企业而异。从日本几家著名半导体制造企业实施的检测项目中可以找出一些具有代表性的主要检测项目，将其列于表1中［1-2］ 。按照检测方法的不同，这些主要检测项目可以分为芯片总体外观的观测项目和芯片切断面形状尺寸的检测项目两大类。 芯片总体外观的观测检查被认为是非常重要的，它可以给发生故障或出现某种问题的产品提供很多有益的信息，以帮助查明原因。对于刚切割成片的芯片，其主要检查项目有：芯片外观检查、管脚缺损、管脚脱落、芯片的洗净度、断面上的金属粘结、切断面的表面质量，等。这些项目一般采用光学显微镜或工具显微镜人为地进行观察和测量，因为现行的检查方法中大多没有规定具体的判断指标值，观察和测量的结果受人为因素的影响较大。但切断面的表面质量一般参照机械制造行业粗糙度的定义和检测方法给出较为具体的指标值，检测时也用表面粗糙度计进行精确测量。 芯片切断面的形状和尺寸的检测项目主要有：芯片外形尺寸、切断面的角度、芯片外形中心与内部电路中心的偏离、切边的垂直度、崩碎坑的大小，等 （见 图 1）。其 中，芯 片 外 形 尺 寸 A、 B、C、 D 的公差一般参照机械制造行业长度量的公差给出，如±0∙1mm 等；断面的角度在每个断面上各有2个，如图1 （a） 中的 E、 F 和 G、 H；切边的垂直度指芯片正面相邻2边的垂直度误差；芯片外形中心与内部电路中心的偏离用从芯片断面到四个角上的小球中心的尺寸之差来衡量，如图1 （b）中的 I、 J、 K、L；崩碎坑系指断面上的树脂在切割过程中出现崩碎而形成的坑，目前一般仅用崩碎坑的直径 L 来衡量其大小并进行判断 （见图2）。 上述切断面的形状尺寸的检测项目多用工具显微镜来检测和观察，有条件的企业也用三坐标测量机等精度更高的检测设备来测量。 2 芯片切割实验的条件和实施方法 为了对芯片在不同的切割条件下的切割品质进行分析和评价，从中找出一些具有普遍意义的规律，对实用中的评价方法进行修改，提出一套适用的评价方法，设计了一组切割实验。芯片切割实验的切削条件如表2所示，所用的砂轮为一种圆型薄片砂轮，砂轮的安装位置为其外圈最低处，低于被切割基板的底边0∙1mm，以保证将被切割基板切断［3］。 切割时所用的主轴转速 v轴 和进给速度如表3所示。由于所用切割机的最高转速为30000r／min，实验时所用的转速不能超过这个值。常见的芯片基板有有机材料基板和铜板基板两种，对于有机材料基板，其进给速度 v有机板可以高一些，目前生产中常用50～80mm／s，实验时最高 做 到 了310mm／s；对于铜板材料基板，其进给速度 v铜板 要低一些，生 产 中 常 用20～30mm／s，实 验 时 最 高 做 到 了200mm／s。将表3中的主轴转速和进给速度进行排列组合，分别进行切割实验，并对切割完的芯片逐项进行检测和分析。 3 芯片切割实验的结果及其分析 3∙1 芯片总体外观的观测结果 在工具显微镜下对上述实验中切割出来的各种不同芯片进行观测，得到的结果如下： 3∙1∙1 芯片外观检查 外观检查的项目主要有：芯片有无破损、有无发生变色、有无出现剥离、有无裂纹及其大小等。检查结果表明，在正常的切割条件下，出现上述明显缺陷的可能性极小。但对于重要的芯片，应该特别注意裂纹的检查，因为裂纹比较难以发现而常常出现遗漏，而裂纹中容易渗入湿气和其他杂质，是导致芯片出现故障的重要原因。国外常用荧光液渗透法来查微小的裂纹，效果比较好［1］ 。 3∙1∙2 管脚缺损或脱落 这类芯片的管脚以小圆球形居多，如图3所示。检查结果表明，没有发现管脚脱落或较为明显的缺损，发现个别芯片上的管脚有少许轻微的机械性损伤，认为是由其他原因所致而非由切割所引起。说明正常切割情况下由切割致伤管脚的可能性极小。 3∙1∙3 洗净度 洗净度主要检查以下项目：高速切断时所产生的树脂粉末、水分、油脂成分及其他残渣异物有无附着在管脚等处，因为这些绝缘性材料如果附着在管脚等处，将直接影响到芯片的正常工作。检查结果表明，在正常洗净工艺下几乎没有发现明显的上述附着物，说明切割本身并不会导致更难洗净，但如果在切割时采用胶带纸来粘贴固定芯片，则应特别注意胶带纸的残留。 3∙1∙4 金属粘结 金属粘结主要是芯片机体内的铜丝在切断过程中发生的，由于铜的韧性很好，一般都会不同程度地发生粘连，需要对断面中铜丝的粘连程度进行检查。由于粘连情况的复杂性，目前也没能像机械制造行业那样给出具体的数字来进行判断，检查时仍有赖于人的经验判断。检查结果表明，在主轴转速较高时发生粘连的程度较轻，难以看到有明显的粘连 （见图4 （a）），基本上属于正常的范围之内，但转速较低时应引起注意［3］ 。 3∙1∙5 切断面的表面质量 切断面的表面质量指的是其表面粗糙度，但由于芯片的切断面不同于机械零件的表面，没有配合、接触、承受载荷等方面的要求，实际给出的粗糙度值都非常低。实验结果表明，采用高速切割法切断的芯片，其断面比较光滑 （见图4 （b）），实测的粗糙度值一般都小于有关厂家所提出的值。因此，正常切割时实际上没有必要采用粗糙度计来监测。但在主轴转速较低时，其表面粗糙度较差 （如图2所示），有可能出现不合格品［3］ 。 3∙2 芯片切断面的形状和尺寸的检测结果 芯片切断面的形状和尺寸的检测也在工具显微镜上进行，检测结果如下： 3∙2∙1 芯片外形尺寸 实际切割出来的芯片有可能出现倾斜的情况。因此，检测时芯片外形的长和宽均采取在两端分别进行检测的方法，将同一芯片两端的尺寸都检测出来，如图1 （a） 中的 A 和 C 及 B 和 D。判断时不仅要对单个尺寸的检测结果进行判断，还要算出两端尺寸之差，根据差值判断是否被切成了喇叭口形等。检测结果表明，以通常的速度进行切割时，芯片的外形尺寸精度都能满足要求，但在主轴转速较低，特别是进给速度较快时，会出现少量的尺寸不合格品［4-6］ 。 3∙2∙2 切边的垂直度 检测结果表明，以通常的切割速度进行切割时，芯片四边的垂直度一般均能满足要求，但在主轴转速较低，和 （或） 进给速度较快时，会出现个别不合格品。 3∙2∙3 切断面的角度 检测结果表明，用现行的切割速度，即主轴转速为30000r／min，有 机 材 料 基 板 的 进 给 速 度 为50～80mm／s，铜 板 材 料 基 板 的 进 给 速 度 为20～30mm／s进行切割时，切断面的角度误差一般均在精度要求的范围 （±2°） 之内，但随着主轴转速的降低，和 （或） 进给速度的加快，出现的不合格品数将增多 （见图4 （c）），切削速度对切断面角度误差的影响较为显著［4-6］ 。 3∙2∙4 外形中心与内部电路中心的偏离 检测结果表明，此项误差相对较小，在正常切割的情况下，一般均能满足要求，说明所用的切割机具有较高的定位精度。 3∙2∙5 崩碎坑的大小 检测结果表明，用现行的切割速度进行切割时，崩碎坑 （见图2） 一般较小，除个别之外，绝大多数均能满足要求，但随着主轴转速的降低，和（或） 进给速度的加快，不合格品将显著地增加，切削速度对崩碎坑的影响很大［4-6］ 。 4 结语 通过大量的芯片切割实验，并对实验中切割出来的大量芯片按所提出的评价指标和检测方法逐项进行了检测，证明所提出的检测项目和检测方法对于控制半导体芯片的切割质量是有效的和可行的。指出了在正常切割条件下切断面的直角度和崩碎坑两项指标出现不合格品的可能性较大，在主轴转速较低或进给速度较快时，这两项指标出现不合格品的可能性将进一步增大。研究成果对于半导体芯片切割加工品质的评价方法的规范化和标准化具有一定的指导意义，对于相关企业的质量控制具有一定的实用价值，对于切割机的设计和切割工艺的制定具有重要的参考价值。 主轴转速对半导体芯片切割品质的影响 方素平 小森雅晴 赵宇 植山知树 廣恒辉夫 梅雪松 西安交通大学机械制造系统国家重点实验室 京都大学 陕西省计量科学研究院，西安T OW A 株式会社 摘要： 针对目前大量使用的有机材料基板芯片和使用量相对较少的铜板基板芯片，分别设计了一组实验，并对由实验切割出来的芯片的主要评价项目逐项进行了检测，明确了主轴转速对两种芯片的外形尺寸误差、芯片的喇叭口现象、切断面的角度误差、崩碎坑的数量和大小、表面粗糙度等的影响；得出了不管是哪一种基板的芯片，出现不合格的主要是崩碎坑指标这一结论。通过分析和比较，得出了实际使用的主轴转速不宜低于15000r／min 这一对于高速切割机的设计和切割工艺的制定具有重要参考价值的结论。 0 引言 由于大规模集成电路制造技术的进步，除了CP U 芯片和大规模存储器芯片等少数芯片之外，目前在笔记本计算机、液晶显示器、薄形电视机、手机及各种随身携带的视频与音像器件中大量使用的 IC 芯片，其外形尺寸已经被做得非常小。在制造过程中，这类 IC 芯片常被整齐而又紧密地排列在一块基板上，封装时常常将这些紧密排在一起的几片至几十片甚至上百片的芯片当作一个大块，在同一模具腔内用树脂将其一起封装起来，然后将其进行纵横切割，切成一片一片的芯片［1］ 。将做在基板上的芯片切成单片的芯片，这一工作目前一般采用高速切割机来完成［2］ 。本文探讨了采用高速切割机切割芯片时，切割机主轴的转速对芯片的切割品质的影响，在大量的切割实验的基础上，对实验结果进行分析和对比，揭示主轴转速对半导体芯片切割品质的各项评价指标的影响规律，为半导体芯片切割工艺的制定和半导体芯片切割机的研发提供理论依据。 1 主轴转速对芯片切割品质影响实验 为了查明主轴转速对芯片切割品质的影响，并进一步找出其内在的规律，我们设计了一组半导体芯片的切割实验。切削条件如表1所示，所用的砂轮为一种圆型薄片砂轮，其参数见表1，砂轮的安装位置为其外圈最低处低于被切割基板的底边0∙1mm，以保证将被切割基板完全切断。切割时所采用的进给速度因被切割基板的材料的不同而不同，对于有机材料基板，其进给速度采用稍高于 目 前 生 产 中 的 实 用 速 度 （ 一 般 为 50～80mm／s） 的100mm／s；对于铜板材料基板，其进给速度则采用目前生产中常用的20mm／s。有机材料基板切割实验时采用高于目前生产中常用的进给速度的理由是，课题组在以往所进行的切割实验的结果表明，适当提高进给速度不会明显影响有机材料基板芯片的切割质量。 切割时所采用的主轴转速是个变数，其值如表2所示，因高速段的影响相对较小，所以实验时高速段的主轴转速间隔相对较大，而低速段的取值则较 密。由 于 所 用 的 切 割 机 的 最 高 转 速 为30000r／min，实验时所用的转速不能超过这个值。实验时因半导体基板材料的不同以表2中的主轴转速分别切割8组芯片，并对切割完的芯片逐项进行检测和分析。 2 测试项目和评价方法 主轴转速对切割品质的影响实验的检测项目见表3。其中，芯片的总体外观观测项目中的外观检查、圆球（管脚）缺损与脱落、洗净度、金属粘结等采用工具显微镜进行观测，但因为这些项目普遍没有设定具体的数值判断指标，实际操作中受观测者的主观因素的影响较多［1］，比较难以直接进行比较，本实验只把这些项目作为观察项目，而不列入重点检测与比较项目。 在芯片切断面的形状尺寸检测项目中，根据以往的实验及研究的结果［1，3，4］ ，筛选出影响较为显著的几个项目，即芯片外形尺寸误差及其两端尺寸之差的值、切断面的角度误差、崩碎坑的大小，以及切断面的表面质量等为重点检测对象，对这些项目进行精确检测、重点比较和分析。而对于从芯片断面到四角球中心的尺寸，即芯片外形中心与芯片内部的电子元件部分的实际中心的偏离和切边的垂直度这两项，将对其进行精确测量，但因主轴转速的变化对这两项的影响并不显著，本实验不将其列入重点比较对象。 3 主轴转速对切割品质影响实验 3．1 主轴转速对芯片外形尺寸的影响 由于实际切割时有可能将芯片切成喇叭口形，因此，检测时采取对芯片的长和宽的两端均进行检测的方法，将同一芯片两端的尺寸（图1中a、b、c 和 d）都进行了检测，检测及其处理结果如表4～表6所示。 表4为以不同的主轴转速切割出来的8组有机材料基板芯片的外形尺寸误差的绝对值的平均值（绝对平均值），表中的两组数据为芯片的长和宽的尺寸误差的绝对平均值。由表4可见，随着主轴转速的降低，长和宽的尺寸误差的绝对平均值都成明显的增大趋势，说明切出来的芯片的尺寸误差随着主轴转速的降低而增大。实验结果还表明，仅仅在主轴转速为8000r／min 时查到有一个芯片的尺寸超差。 表5为8组铜板基板芯片的外形尺寸误差的绝对平均值，表中的两组数据分别为芯片的长和宽尺寸误差的绝对平均值。由表5可见，随着主轴转速的降低，长和宽的尺寸误差的绝对平均值出现不稳定的现象，实验结果未查到有尺寸不合格的芯片。 表6和表7分别为主轴转速不同时切割出来的8组有机材料基板芯片和8组铜板基板芯片两端外形尺寸之差的绝对平均值。由表6可见，随着主轴转速的降低，有机基板芯片两端外形尺寸之差的绝对平均值增大，说明芯片形状呈喇叭口的现象逐渐严重。由表7可见，主轴转速降低时铜板芯片的喇叭口现象没有有机材料基板芯片那样明显，但呈现出不稳定现象。 出现上述现象的主要原因是，主轴转速降低时每转的进给量将增大，每转切除的材料增多，切割力将增大。对于切割时进给量较大的有机材料基板芯片，切割力的增大非常显著，包括薄形砂轮、被切割基板和真空吸附工作台在内的切割系统将发生变形，明显影响到了尺寸的切割精度。而对于进给量较小的铜板基板芯片，其切割力本身较小，由每转进给量的增大而增大了的切割力仍然较小，对尺寸误差的总趋势的影响尚不明显。 实验结果表明，主轴转速在10000r／min以上时，主轴转速对有机材料基板芯片外形加工尺寸的影响均在允许范围之内，而对于铜板基板芯片，实验中所用的主轴转速均可适用，即该项目只要求主轴转速不低于10000r／min。 3．2 主轴转速对芯片切断面角度的影响 表8为主轴转速不同时切割出来的8组有机材料基板芯片和8组铜板基板芯片的切断面角度误差的平均值，以及上述各8组芯片中查出的不合格芯片的个数。从表8可以看出：对于有机材料基板芯片，随着主轴转速的降低，其切断面角度误差的平均值的绝对值呈明显增大趋势，而对于铜板基板芯片则没有有机材料基板芯片那样明显；无论是有机材料基板芯片还是铜板基板芯片，随着主轴转速的降低出现角度不合格的芯片数都将增加，但相对于铜板基板芯片，有机基板芯片的现象更为明显。 出现上述现象的主要原因是，每转进给量的增大将使切割力增大，对于进给量较大的有机材料基板芯片，增大后的切割力将使切割系统发生较为显著的变形，从而对切断面的角度精度的影响也较明显。而对于进给量较小的铜板基板芯片，增大后的切割力仍然较小，对切断面角度误差的影响尚不明显。该实验结果表明，要使切断面的角度误差全部在允许的范围之内，要求主轴转速不低于20000r／min，即使允许有少量芯片超差，其转速一般也不宜低于12000r／min。 3．3 主轴转速对芯片上的崩碎坑的影响 表9为主轴转速不同时切割出来的各组有机材料基板芯片和铜板基板芯片上出现的崩碎坑的总数，即各组中每块芯片上观察到的崩碎坑的数量之总和，以及上述各组芯片中查出的崩碎坑不合格芯片的个数。从表9可以看出：对于有机材料基板芯片，随着主轴转速的降低，其崩碎坑总数呈明显增大趋势，而对于铜板基板芯片则反而呈下降趋势；崩碎坑不合格的有机材料基板芯片始终很多，但崩碎坑不合格的铜板基板芯片则随着主轴转速的降低反而有所减少。 出现上述现象的主要原因也在于每转进给量的变化而引起的切割力的变化，其情况与前述完全相同。但至少从铜板基板芯片的实验结果中可以看出，每转的进给量并不是越小越好，可能存在着一个最佳值，这一点将在后续的实验研究中作进一步探讨。 3．4 主轴转速对芯片切断面粗糙度的影响 表10为主轴转速不同时切割出来的有机材料基板芯片和铜板基板芯片的切断面粗糙度 R a的平均值。由表10可见，随着主轴转速的降低，芯片切断面的粗糙度的平均值将增大，说明切断面的表面将变得更加粗糙。这一趋势对于有机材料基板芯片非常明显，而铜板基板的芯片则并不是那么明显。由于所定的粗糙度值较低，实验结果没有发现粗糙度不合格的芯片。 出现上述现象的主要原因是，每转进给量的增大使每转扫过的材料区域增多，单位面积通过的砂轮磨粒数将减少，粗糙度将增大。对于进给量较大的有机材料基板芯片，其影响较为显著，而对于进给量较小的铜板基板芯片，其影响尚不明显。 4 结论 （1）主轴转速降低时，对芯片的外形尺寸误差、芯片的喇叭口现象、切断面的角度误差、崩碎坑的数量和大小、表面粗糙度等都有不同程度的影响，且对于有机材料基板的芯片，这些影响是非常明显的，而对于铜板基板芯片，这些影响则表现出不是很明显，有出现不稳定（外形尺寸）甚至于往好的方向发展（崩碎坑）的情况。 （2）出现上述现象的主要原因是，每转进给量增大时砂轮每转扫过的材料区域增多，切割力增大，从而引起粗糙度下降，尺寸和角度的切割精度下降。但每转的进给量也并不是越小越好，可能存在着一个最佳值，这一点有待于进一步探讨。 （3）无论是有机材料基板芯片还是铜板基板芯片，出现不合格的主要是崩碎坑，且提高主轴转速也不能改善现行指标中由崩碎坑而导致的不合格率。建议在不影响半导体芯片的实际使用的情况下，适当放松崩碎坑的检测指标。 （4）在实验所用的切削条件下，主轴转速在15000r／min以上时，各项检测指标的影响都不是很明显，但转速低于这个值时，变化逐渐明显，由此可以建议，实际使用时主轴的转速不宜低于15000r／min。这一点对于相关企业制定切割工艺，或研发和设计切割机等都具有极其重要的参考价值。
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