负载电容（IO电容）Cin对信号上升沿的影响 任何芯片IO都有输入电容，通常为2pf左右，加上寄生电容，大约3ps。这个电容相当于负载电容，高速信号在这个电容上建立电压，相当于给电容充电，电容的充电公式是： V0是电容初始电压，Vu充满后的电压值，假设V0=0V。那么上面公式简化为： 当t = RC时，Vt = 0.63Vu； 当t = 2RC时，Vt = 0.86Vu； 当t = 3RC时，Vt = 0.95Vu； 当t = 4RC时，Vt = 0.98Vu； 当t = 5RC时，Vt = 0.99Vu； 我们平时用的时间常数τe指电容两端电压从0V上升到1-1/e=1-37%=63%所需的时间（e=2.71828）； 利用上述公式，计算出上升时间10%~90%所需要的时间是： 如果传输线阻抗50Ω，Cin=3pf，则τ10-90=0.33ns。如果信号的上升时间小于0.33ns，电容的充放电效应将会影响信号的上升时间。如果信号的上升时间大于0.33ns，这个电容将使信号上升时间增加越0.33ns 负载电容对信号上升沿的直接影响就是延长了上升时间，如下图： 线路中途容性负载对信号的影响 测试焊盘，过孔，封装引线或者连接到互连线中途的短桩线，都有寄生电容，相当于容性负载。这些容性负载通常是pf级别。 假设这些容性负载导致阻抗突变为25Ω，这导致信号传输到这里，有负的信号被反射，然后入射信号降低。当信号到达负载端后返回，在这个点，又有负的信号返回到负载端。从波形上看就是信号幅度下降，下冲，振铃，上升时间增加。 下面计算一下线路中途负载电容的阻抗： 假设上升沿是线性的dV/dt=V/Tr； 如果C很小，则Zcap很大，如果远远大于50Ω，那么与传输线的阻抗并联，几乎不影响整个传输线阻抗。如果Zcap的值与传输线相当，它与传输线50Ω并联，形成比50Ω小的阻抗，就会引起信号完整性问题。 经验法则是Zcap>5x50Ω，就不会引起信号完整性问题。带入上述公式： 也即是： 假设上升时间是1nf，则允许的电容量为4pf；如果上升时间是0.25ns，则允许的电容量是1pf。 容性突变对信号上升时间的影响有一个经验公式： 50Ω传输线，对于2pf容性突变，传输信号的10-90%上升时间增加约50x2pf=100ps。50%门限的延迟累加约为0.5x50x2pf=50ps。 50%门限的延迟成为延迟累加，用这个衡量电容突变对延迟的影响比较准确。上面的经验公式比较准确，下面是仿真结果，基本能吻合： 要想降低电容突变对信号上升沿的影响，如果电容降低不了，就只能降低传输线阻抗了。 文章转载来源aircity123： https://blog.csdn.net/AirCity123/article/details/104088815?spm=1001.2014.3001.5501
一、门电路简介 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。 二、门电路性质 门电路输入 “门”是这样的一种...
起动机常见故障 1、减速起动机不转故障现象 蓄电池电量充足，导线连接正常，接通点火开关后起动机不转。 故障部位：起动机、组合继电器和连接导线与开关等。 排除方法： (1)检查导线的连接情况，开关的工作情况。 (...
本文由江苏启尖丝杠制造有限公司 (http://www.qjsg.net)发布! 滚珠丝杠的选型，要求数据彼多，也分一定的步聚，大致可以从以下来选，但彼多细节无法一一述清： 1、确定定位精度 2、通过马达及对速度的要求来确定丝...
一些青年才俊，某些基础的电路图，能随意画出，而且画的非常规范，甚至可以熟练的拆装交流接触器。到了实际工作中，可能在一段时间内会一头雾水，出现这样的现象很正常。实践中多总结提炼，多注重下方法，会顿悟的...
参考的接触器控制电机电路如图1： 图1 接触器简介：接触器触点分布，前四后三。前左三，是主触点，可以接电机线;前右一，是控制端，常开触点。后面三个触点的分布是：上二下一，其中上右和下一是相连的，该设计是...
MOS管通过栅极电压控制漏极电流，利用电压比较器（如LM358）实现动态控制。控制电压与参考电压比较，通过循环控制实现电流动态调整及方向控制，方向由MOS管类型（N或P沟道）决定。 在mos管实际使用的过程中,mos管既可用于放大电流，又可以作为电子开关。 那么mos 管如何控制电流方向的呢？mos 管作为电压控制器件，通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流，即利用对 G 极施加电压以实现对电流的控制。以利用电压比较器（如 LM358）控制 mos管为例，将一个控制电压（接入比较器同相输入端）和一个参考电压（接入比较器反相输入端）同时送入电压比较器（比较器电源接正 12V 和地），比较器的输出经过 5.1K 电阻上拉后接 G 极。在初始阶段，若控制电压比参考电压高，此时 G 极基本上能加到12V，可使 mos管迅速导通，输出电流。由于刚开始电流很小，所以控制电压比参考电压高很多。而随着电流增大逐步达到某个值时，参考电压会迅速上升，当与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近 0V），使得 mos管截止，电流减小。而后电流减少后，参考电压又下降，管子又导通，电流又增大，如此循环往复，实现对电流的动态控制以及电流方向按照 mos管自身类型（N 沟道或 P 沟道）所规定的从漏极到源极或从源极到漏极的流向控制。
这一篇文章源于朋友的询问，问我一个关于431的问题，说这个原理图是传感器厂家给的Demo原理图，询问如下图所示的431输出电压是多少，电路图如下：
扫码关注面包板社区
