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如何使用温度传感器保护汽车变速器

采用MSP430和PID控制算法的平台智能小车

采用MAX7348 的串行I2C 总线键盘电路

硬件原理图信号完整性 EMI 电磁兼容 EMC 接地工程师开发板电路

USB转485/422的转换器，成本十块钱不到如何设计？

前两天群里的好大哥给我寄了两个他设计的USB转485/422转换器，制作的初衷也很简单，就是消耗一下他手头的物料，设计的关键就是电子丐帮，面向库存设计，探索低成本！

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PCB侧边电镀、PCB侧边电镀类型、PCB侧边电镀怎么设计？

PCB侧边电镀通过PCB的牢固连接并降低设备故障的可能性，特别是对于小型PCB和主板，这种电镀的例子常见于 Wi-Fi 和蓝牙模块中。

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一块合适的开发板

搞嵌入式软件开发，要选一块高性价比的开发板

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“硬件工程师的工作”与“硬件工程师”应该做的工作

硬件工程师的日常：原理图、PCB、焊接、飞线、改板、发货、返还、挨骂、维修、改板、挨骂、改板、改方案，然后循环。能不能改变一下？前两天有企业来找去培训，说让我主要培训如何画原理图、PCB、生成BOM。我告诉他，如果我去培训，一定是培训这个工作以外的内容。我们在华为时，就是花大量的精力在原理图PCB之外，才能把产做好。9个月做个产品，画原理图PCB的时间只有一个月左右。核心技能其实并不是用那套绘图工具。有没有一本书读后，相当于华为工作十年经验？《硬十开发流程篇》点击《阅读原文》

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为什么把表层的线称之为“微带线”？

把走在表层的线称为微带线（Microstrip Line），主要是由于其结构特点和信号传播方式具有“微型波导”的性质，这一命名来源于微波工程的理论基础。以下是具体原因： 1. “微带”命名的来源 “微”表示微型、紧凑：微带线的尺寸较小，通常是为了满足微波频段（高频信号）的小尺寸要求，与传统的大型波导（如同轴电缆或矩形波导）相比，它更为紧凑、适合 PCB。 “带”表示其带状的物理形态：微带线是指在 PCB 的表层走线时，信号线以平面带状的形式分布，线宽较窄但足够承载高频信号。 2. 与传统波导的对比微带线在高频信号中具有类似于波导的功能，它通过基板下方的接地平面和表面的信号线来形成导电路径，限制电磁场的传播。相比传统波导（如矩形波导或同轴电缆），微带线实现了更低的成本、更简单的制造工艺，同时保留了良好的高频性能。 3. 表层走线的特性微带线的电磁场分布和设计特点决定了其作为表层传输线的独特优势：电磁场传播特点：微带线的电场分布在信号线和接地平面之间，部分在 PCB 的介质中，部分在空气中。这种场分布使微带线的传播特性兼具空气和介质的影响。优势：走线容易，可直接在 PCB 表面加工。阻抗容易调整，通过改变线宽、基板厚度等参数即可实现特定的阻抗匹配（如 50Ω 或 75Ω）。 4. “微带”与其他传输线的命名对比相比于其他类型传输线，微带线的命名反映了其显著特征：带状线（Stripline）：带状线走线埋在 PCB 内部，与微带线不同，电磁场完全限制在介质中。共面波导（Coplanar Waveguide）：共面波导的信号线和接地线位于同一层，强调了“共面”的几何特性。槽线（Slotline）：槽线通过接地平面的狭缝传播信号，命名反映了狭缝结构。微带线（Microstrip Line）：它的信号线在表层，是表面波导的一种简化形式，体现了其“微型带状”特性。 5. 总结微带线的命名反映了它的主要特点： “微”：表明其相较传统波导的小尺寸和集成度，适合在 PCB 上用于高频信号传输。 “带”：形容其带状的物理结构，信号线以带状形式在表层传播。因此，表层的信号走线被称为微带线，既简洁又准确地描述了它的几何形状、工作原理和电磁特性。 PCB 走线方式多种多样，主要根据工作频率、阻抗匹配要求、电磁兼容性等因素来选择。以下是主要的 PCB 走线形式及其详细说明： 1. 微带线（Microstrip Line）结构：导体线在介质（PCB基板）表面，下面是一层连续的接地平面。特性：单端传输线，易于制造。信号主要在导线上方和周围传播，电场分布在空气和介质中。特性阻抗由线宽 www、基板厚度 hhh、介电常数 ϵr\epsilon_rϵr 决定。应用：高频信号传输（如射频电路）。低制造成本的单层或双层 PCB。 2. 带状线（Stripline）结构：导体线嵌入在两层接地平面之间，完全被介质包裹。特性：电磁场完全限制在介质内部，因此辐射较低，电磁兼容性好。阻抗更容易控制，但导线长度增加会带来更大的损耗。对称结构提供了更好的信号完整性。应用：多层 PCB，尤其是对信号完整性要求高的高速数字信号传输。 3. 共面波导（Coplanar Waveguide, CPW）结构：导体线和接地平面位于同一层，导线两侧有接地线，通常还有底部接地层。特性：适用于高频信号传输。电磁场主要集中在导线和接地线之间。阻抗易于调整，通过改变导线与接地线的间距即可。分类：开放式共面波导：无底部接地平面。带底部接地的共面波导：有底部接地平面，抑制辐射损耗。应用：高频电路，如射频和微波通信电路。 4. 平行板波导（Parallel-Plate Waveguide）结构：两层金属平面之间的信号传输，信号导体与地不直接接触。特性：适用于较宽频带的信号。电磁场在两金属板间传播。辐射损耗较小，但结构复杂。应用：特殊的射频设计。 5. 差分对（Differential Pair）结构：两条紧密并行的导线，一条传递正信号，另一条传递负信号。特性：抗噪能力强，差分信号的噪声可以互相抵消。对称布线可以减少 EMI（电磁干扰）。阻抗控制重要，通常为 90Ω 或 100Ω。应用：高速数字信号，如 HDMI、USB、LVDS、以太网。差分对确实可以分为微带线差分对和带状线差分对，主要根据差分对的走线位置（PCB 表层或内层）以及对应的电磁场分布和结构来分类。两者在设计、特性以及应用场景上有所不同，下面将进行详细的对比和说明： 1. 微带线差分对定义：微带线差分对是指差分对的两根信号线位于 PCB 的表层，且其参考平面（接地层）位于信号线的下方。特点：电磁场分布：差分对之间的电磁场主要集中在两根差分线之间（差分模式）。一部分场分布在 PCB 的介质中，另一部分暴露在空气中（因此有部分影响来自空气）。传输阻抗：通过线宽（w）、间距（s）、基板厚度（h）等参数设计实现特定的差分阻抗（通常为 100Ω 或 90Ω）。适用频率：适合高频或超高频场合，常用于信号速度要求高（如 GHz 级别）的场景。优势：易于加工：微带线差分对直接在 PCB 表层加工，制造简单。便于调试和测试：表层走线可以更容易地接触探针或示波器进行测量。缺点：对环境干扰较敏感：由于部分电磁场暴露在空气中，易受到周围环境干扰（如相邻信号线的串扰、外界电磁辐射等）。辐射略高：信号辐射比埋在内部的带状线差分对稍高。 2. 带状线差分对定义：带状线差分对是指差分对的两根信号线位于 PCB 的内层，并夹在两个参考平面（接地层或电源层）之间。特点：电磁场分布：电磁场完全限制在 PCB 的介质中，差分模式的场集中在差分对之间。周围的接地层（上下接地平面）对信号提供了更好的屏蔽效果。传输阻抗：通过差分线的线宽（w）、间距（s）、介质厚度（h 和 b）等参数设计实现特定的差分阻抗。适用频率：更适合超高频、高速信号（如 PCIe、SATA 等高速接口），特别是对电磁干扰要求严格的场景。优势：抗干扰能力强：由于电磁场限制在介质中，外界的干扰被显著减小。辐射低：带状线结构的电磁场更加集中，信号辐射低。缺点：加工复杂：需要设计成内层走线，制造工艺稍复杂。不便于调试：内层信号不容易接触到探针或测试设备。 6. 悬空线（Suspended Line）结构：导体线悬空在空气中，接地面位于导线下方。特性：电磁场分布大部分在空气中，损耗小。制作复杂，不常用于常规 PCB。应用：高频/低损耗传输需求。 7. 嵌入式波导（Embedded Waveguide）结构：信号线嵌入介质中，同时被上下接地平面包围。特性：对电磁场的约束更强。电磁干扰低，适合高密度设计。应用：高可靠性和高频应用，如 5G、毫米波通信。 8. 槽线（Slotline）结构：接地平面上有一条窄缝隙，信号通过缝隙传播。特性：信号沿缝隙传输。通常与共面波导结合使用。应用：微波天线和滤波器。 9. 跳线（Wire Bond）结构：使用导线或焊接跳线来连接两点。特性：辐射损耗较高。用于跨越 PCB 的复杂布线，但不适合高频信号。应用：调试或低频电路。对比总结类型电磁干扰制作难度阻抗控制应用场景微带线较高容易一般射频/高速数字信号带状线低较难精确高速数字信号传输共面波导较低较容易容易高频射频信号差分对低较难精确高速数字信号槽线中较难一般微波天线平行板波导低较复杂精确宽频带信号传输悬空线最低难精确高频/低损耗场景

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LLC串联谐振基本原理介绍

主要内容 1 LC 串联谐振基本原理介绍 2 LLC 串联谐振基本原理介绍 3 LLC 串联谐振拓朴实验总结 4 LLC 串联谐振控制技术工作条件  工作频率高于谐振频率  原边开关管自然形成 ZVS 开关  付边二极管介于硬关断和 ZCS 关断之间  变压器输出电流为正弦波 , 无须输出电感  存在空载稳压问题 2 LLC 串联谐振基本原理介绍串联谐振基本原理介绍  LLC 串联谐振变换器 工作波形 LLC 串联谐振电路电压传输比 工作条件 LLC 串联谐振优点串联谐振优点 采用LLC的电路形式，可以使，使输入电压变化时满足高端效率；减小满载至轻载的工作频率变化范围，输出二极管为断续工作方式，无反向恢复电流。原边功率管关断电流小，关断损耗小。缺点在于增加了谐振电流，增加了通态损耗 3 LLC 串联谐振拓朴实验总结串联谐振拓朴实验总结  1 主电路拓朴方案 ( 见电路图 ) 2 电路性能指标 ( 见报告 ) 实验问题分析  谐振参数的确定与优化 输出滤波问题 谐振器件布局问题 谐振电感的集肤效应和接近效应问题 空载问题谐振电感的集肤效应和接近效应问题问题  由于工作频率接近 200K, 同时谐振电感气隙较长 , 造成集肤效应和接近效应对电感影响很大 解决方法 : 1 采用丝包线绕制 2 选用 Ae 大 ,Aw 小的磁芯减少匝数

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硬件工程师入门基础知识：元器件在电路中的应用

本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管作为开关的应用和电阻选择方法，解释了MOS管的结构和栅极串联电阻布局，并概述了IGBT在电力转换中的重要角色及其发展。硬件工程师入门基础知识（一）基础元器件认识（二） tips：学习资料和数据来自《硬件工程师炼成之路》、百度百科、网上资料。 1.二极管 2.三极管 3.MOS管 4.IGBT 5.晶振 1.二极管肖特基二极管和硅二极管的比较：肖特基二极管的优势主要在速度和压降，对这两个没要求的场景，那自然选择更便宜的由硅构成的二极管。二极管漏电流这个参数，值得一提的是，肖特基二极管的漏电流，是硅二极管的 100 倍左右。还有一点就是，漏电流与温度有很大的关系。温度越高，漏电流越大。硅二极管温度越高，漏电流越大，是原因硅二极管的漏电流是由少子决定的，温度越高，本征激发越强烈，少子浓度会升高，所以漏电流就越大了。反向恢复时间：也是比较重要的参数，这个前面有文章专门讲过，就不再说了。工作频率：由反向恢复时间决定的。耐压：记住肖特基二极管耐压值，很难做高就行吧，一般不超过 100V，当然，更高的也有，这里只说常见的。而硅二极管可以做很高。反向恢复时间实际应用中的二极管，在电压突然反向时，二极管电流并不是很快减小到 0，而是会有比较大的反向电流存在，这个反向电流降低到最大值的 0.1 倍所需的时间，就是反向恢复时间。几种二极管的最高工作频率顺序是下面这样的：为什么要用肖特基二极管续流？我们来看一个问题：为什么开关电源中，一般用肖特基二极管续流，不用快恢复二极管呢？主要有两点：一是肖特基二极管导通电压更低。二是肖特基二极管速度更快，反向恢复时间更小。如此一来，使用肖特基二极管肯定损耗是更小的，温度更低，也不会烫成狗，这样整个开关电源效率也更高。 2.三极管常用的三极管电路设计-电阻到底是怎么选的我们在模电教材里面，会有各种放大电路，共基，共集，共射等，相关的计算公式，曲线，电路等效模型天花乱坠，学起来非常费劲。实际 90%工作，可能我们主要关注一个参数就行了，那就是电流放大倍数 β，其它的通通用不到，而且我们做产品，如果真要放大信号，那也是使用各种集成运放。绝大多数情况，我们是把三极管当作一个低成本的开关来使用的，作为开关，虽然 MOS 可能更为合适，不过三极管价格更低，在小电流场景，三极管反而是用得更多的。一个 NPN 三极管，价格也就 2 分钱左右。常用的电路（NPN 为例） 1、电平转换，反相这个电路用得非常多，有两个功能。一是信号反相，就是输入高电平，输出就是低电平；输入低电平，输出就是高电平二是改变输出信号的电压，比如输入的电压范围是 0V 或者是 3.3V，想要得到一个输出是 0V 或者是5V 的电平怎么办呢？让 Vcc 接 5V 就可以了，输出高的时候，out 的电平就是大约为 5V 的。 2、驱动指示灯我们经常使用三极管驱动 LED 灯，比如下面这个电路： 3、驱动 MOS 开关还一个电路也用得非常多，那就是驱动电源的 PMOS 开关，如下图：在 in 为低时，三极管不导通，相当于是开路，PMOS 管的 Vgs 为 0，PMOS 管也不导通，Vcc2 没有电。在 in 为高时，三极管导通，集电极相当于是接地 GND，于是 PMOS 管的 Vgs 为-Vcc1，PMOS 管导通，也就是 Vcc1 与 Vcc2 之间导通，Vcc2 有电。如何选择电阻我们的电路输入一般是只有两种状态，0V 或者是其它的高电平（1.8V，3.3V，5V 等），截止状态一般不用怎么考虑，因为如果让三极管的 Vbe=0，自然就截止了，重要的是饱和状态如何保证。那么啥叫饱和状态？我们先假定三极管工作在放大状态，那么放大倍数就是β，如果基极有 Ib 电流流过，那么集电极 Ic=β*Ib，Ic 也会在 Rc 上面产生压降 Urc。易得：Urc+Uce=Vcc，显然，Ib 越大，那么 Urc=βIbRc 越大，如果 Ib 足够大，那么 Urc=Vcc 时， Uce=Vcc-Urc≈0。电路计算举例 LED 灯的例子已知条件：输入控制电压高电平为 3.3V，电源电压为 5V，灯的导通电流 10mA，灯导通电压 2V，三极管选用型号 MMBT3904 三极管饱和导通时，Vce=0V，所以 Rc=(5V-2V)/10mA=300Ω。查询芯片手册，三极管 MMBT3904 的的放大倍数 β（hfe）如下图所示：可以看到，在 Ic=10mA 时，放大倍数最小为 100。那么 Ib=10mA/100=100uA，三极管导通时，Vbe 约为 0.7V，继而求得 Rb=（3.3- 0.7V)/100uA=26K。也就是说只要 Rb<26K，三极管就工作在了饱和状态，像这种情况，我一般取 Rb=2.2K，或者是 1K，4.7K，10K，这样 Ib 更大，更能让三极管工作在饱和状态。具体取多少，取决于整个板子的电阻使用情况，比如 10K 电阻用得多，那我就取 10K，这样物料种类少，生产更方便。或者咱为了保险一点，比如要兼容别的三极管型号，可以取 Rb=1K，这样即使别的三极管 β 小于100，也能工作在饱和状态。一般来说，我们不要取正好的值，比如 26K 或者接近 26K 的值，这样太不安全。我们也可以反向验算下，假如 Rc=300Ω，Rb=10K，那么 Ib=（3.3-0.7）/10K=0.26mA，那么Ic=1000.26mA=26mA，那么 Rc 的压降是300Ω26mA=7.8V，这已经超过 Vcc 了，所以管子肯定是工作在饱和状态的。 3.MOS管1、MOS 导通后电流方向其实可以双向流动，可以从 d 到 s，也可以从 s 到 d。 2、MOS 管体二极管的持续电流可以根据 MOS 管的功耗限制来计算， 3、MOS 管体二极管瞬间可以通过的电流，等于 NMOS 管导通后瞬间可以通过的电流，一般不会是瓶颈 NMOS 管的结构我们看一下 NMOS 管的结构。以 NMOS 为例，如上图，S 和 D 都是掺杂浓度比较高的 N 型半导体，衬底为 P 型半导体，并且衬底和 S 极是接到一起的。在 Vgs 电压大于门限电压 Vth 时，也就是栅极相对衬底带正电，它会将 P 型衬底中的少子（电子）吸引到 P 型衬底上面，形成反型层，也就是导电沟道。PCB Layout 时，MOS 管栅极串联电阻放哪儿？如上图，串联的电阻 R1 到底是放在靠近 IC 端，还是靠近 MOS 端？（注意，图中的 L1 是走线寄生电感，并不是这里放了个电感器件）1、 TI 的无刷电机驱动芯片 DRV8300 的 demo 板 Demo 板硬件设计可以直接在 Ti 官网下载，如下图，可以看到，串联电阻是放置在 MOS 管端的。 2、 Ti 的 POE 方案 TPS23753A 的 Demo 板原理图如下： PCB 如下图，串联电阻也是放置在靠近 MOS 管端。 3、 MPS 的无刷电机驱动芯片 MP6535。如下图，6 个 MOS 的栅极串联电阻 R18，R19，R20，R21，R22，R23 放置在中间。从走线长度看，Q1，Q2，Q3 串联的电阻离 MOS 较近，离驱动 IC 较远。Q4，Q5，Q6 串联的电阻在 MOS 和驱动 IC 中间。大部分情况栅极串联电阻靠近 MOS 管放置这个说法是属实的。 4.IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。IGBT如有讨论尽管留言，目前在新能源领域接触最多的还是IGBT模块。5.晶振晶振分类首先，晶振一般分为两种，一种叫有源晶振，一种叫无源晶振。有源晶振也叫晶体振荡器，Oscillator；无源晶振有时也叫无源晶体，Crystal，晶体谐振器。至于哪个名字更专业，更准确，我觉得无需争论，名字只是代号而已，大家工作中沟通能知道说的是什么就行。简单说有源晶振自己供上电就能输出振荡信号，无源晶体必须额外增加电路才能振荡起来。以上分类是从使用上面来说的。如果我们单看晶振的内部构造，就会发现，有源晶振内部是包含了一个无源晶振，然后再将阻容，放大等电路也包含进去，整体封装好再给我们用。晶振的等效模型那么其中 Lm，Rm，Cm 分别又是什么意思呢？ Cm：动态电容，反映了振动体的弹性，随频率会变化 Lm：动态电感，反映了振动体的质量，随频率会变化 Rm：动态电阻，反映了振动体的损耗，随频率会变化 C0：静电容，两个电极间形成的电容。晶振是如何起振的？皮尔斯晶体振荡器目前工作中用得最多的就是皮尔斯晶体振荡器，也就是下面这个结构。 CL1，CL2 为匹配电容，Rext 通常为串联的几百欧姆电阻（有时也不加）。有时候数据手册会有推荐参数。上面这个结构可能看着不是很熟悉，我们把它转换一下，变成下面这个就熟悉些。 Inv：内部反相放大器。 Q：石英或陶瓷晶振。 RF：内部反馈电阻。 RExt：外部限流电阻，限制反相器输出电流。 CL1 和 CL2：两个外部负载电容。 Cs：寄生电容：PCB 布线，OSC_IN 和 OSC_OUT 管脚之间的效杂散电容反馈电阻 RF 在几乎所有的 ST 的 MCU 中，RF 是内嵌在芯片内的。它的作用是让反相器作为一个放大器来工作。Vin 和 Vout 之间增加的反馈电阻使放大器在 Vout ＝ Vin 时产生偏置，迫使反向器工作在线性区域(图 5 中阴影区)。该放大器放大了晶振的正常工作区域内（Fs 与 Fa 之间）的噪声(例如晶振的热噪声)，该噪声从而引发晶振起振。在某些情况下，起振后去掉反馈电阻 RF，振荡器仍可以继续正常工作。版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，本文链接：https://blog.csdn.net/qq_41600018/article/details/128993663

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自激式开关电源电路设计

自激式开关电源2.1 自激式开关电源的工作原理2.2 自激式降压开关电源的改进2.3 自激式降压开关电源的厚膜集成电路2.4 升压式开关电源2.5 具有隔离功能的自激式开关电源2.6 双脉宽控制的开关电源2.7 办公设备电源设计2.8彩色电视机开关电源

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两种电源输入的反接保护电路

自恢复保险丝+二极管，防反接防过流，缺点，自恢复保险丝有个0.1V左右的压降，大电流会发热，而且大电流的自恢复保险丝太贵mos防反接，成本低，压降小，可过大电流... 经常会有用户将设备的电源正负接反的事情。虽然现今这个社会已经默认了没按规定去操作就要全责，但谁都不想因为这事儿伤了和气，以后还要合作不是，更何况增加反接保护只要几毛钱的Bom成本，有的地方该加还是要加啊。天灾难避免，人祸需先防。电源输入的反接保护电路，一般有以下两种电路形式：一、自恢复保险丝 + 二极管。优点：防反接的同时，还防过流。缺点：1.自恢复保险丝有个0.xV左右的压降，大电流时会发热。 2.高耐压大电流的自恢复保险丝，不仅体积巨大，还贵。原理：- 电源极性正确接入时，二极管关断，相当于电路回路中串联了一个自恢复保险丝。- 电源反接时，二极管导通，使自恢复保险丝过流熔断，电流回路开路。待自恢复保险丝恢复时，重复熔断。所以反接的时候，自恢复保险丝会反复熔断、恢复，自恢复保险丝和二极管会些许发热。设计要点：D1的工作电流，起码要大于 F1的熔断电流（自恢复保险丝的熔断电流一般为工作电流的2倍，具体看手册）。完整电路像这样：二、MOS管（N/P）优点：占地面积小，成本低，压降小，可过大电流。原理：PMOS、NMOS做反接保护的原理都一样，以PMOS的电路为例。PMOS：- 电源极性正常接入时。Q2的寄生二极管导通，右侧S极的电压为（24 - 0.7）=23.3V。 G极电压为 R9、R10的分压 24 x （200/（100+200））= 16V。于是 Q2的 Vgs = 16 - 23.3 = -7.3V。大于 AO3401的门极导通阀限电压 -1.3V，MOS管 DS极导通。 MOS导通后，MOS的寄生二极管被 DS短路。此时的压降 Vds仅等于 MOS-DS极内阻 x 电流，Q2热功耗很小。 - 电源反接时，Q2的寄生二极管关断，DS极需要承受电压。设计要点：R9、R10的取值，要保证不会超出最大Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。MOS管的选型，要考虑 Vds、Vgs、DS极导通电阻（Rds-on）、DS极电流。MOS尽量使用 Rds-on小的型号。 P-MOS 反接保护电路：图中 R9、R10为分压作用。使 P-MOS的 Vgs，不会超过 ±12V的最大 Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。AO3401 关键手册参数截图：N-MOS 反接保护电路：图中 R9、R10为分压作用。使 N-MOS的 Vgs，不会超过 ±12V的最大 Vgs电压范围，并且留有一定安全余量。AO3400 关键手册参数截图：

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PCB板子的地和产品金属外壳的如何连接？

经常看到有小伙伴在群里问：PCB板子的地和产品金属外壳的如何连接？今天分享一篇网上的文章。注意做如下处理：1、金属外壳接大地（GND_EARTH）,与系统的GND保持的间隙gap至少为2mm；2、关于金属地的处理，如下：外壳地和信号地之间串接1M电阻，并且还接一个0.01uf的电容到信号地一、电容的作用从EMS（电磁抗扰度）角度说，这个电容是在假设PE良好连接大地的前提下，降低可能存在的，以大地电平为参考的高频干扰型号对电路的影响，是为了抑制电路和干扰源之间瞬态共模压差的。其实GND直连PE是最好的，但是，直连可能不可操作或者不安全，例如，220V交流电过整流桥之后产生的GND是不可以连接PE的，所以就弄个低频过不去，高频能过去的路径。从EMI（电磁干扰）角度说，如果有与PE相连的金属外壳，有这个高频路径，也能够避免高频信号辐射出来。电容是通交流阻直流的。假设机壳良好连接大地，从电磁抗扰度角度，该电容能够抑制高频干扰源和电路之间的动态共模电压；从EMI角度，电容形成了高频路径，电路板内部产生的高频干扰会经电容流入机壳进入大地，避免了高频干扰形成的天线辐射。另一种情况，假设机壳没有可靠接大地（如没有地线，接地棒环境干燥），则外壳电势可能不稳定或有静电，如果电路板直接接外壳，就会打坏电路板芯片，加入电容，能把低频高压、静电等隔离起来，保护电路板。这个并联电容应该用Y电容或高压薄膜电容，容值在1nF~100nF之间。总结：1、从EMS角度，抑制电路和干扰源之间的瞬态工模压差；2、从EMI角度，电容形成了高频路径，电路板内部产生的高频干扰会经过电容流入机壳进入大地；二、电阻的作用这个电阻可以防止ESD（静电释放）对电路板的损坏。假如只用电容连接电路板地和机壳地，则电路板是一个浮地系统。做ESD测试时，或在复杂电场环境中使用，打（进）入电路板的电荷无处释放，会逐渐累积；累积到一定程度，超过了电路板和机壳之间的绝缘最薄弱处所能耐受的电压，就会发生放电——在几纳秒内，PCB上产生数十到数百A的电流，会让电路因电磁脉冲宕机，或者损坏放电处附近连接的元器件。并联该电阻，就可以慢慢释放掉这个电荷，消除高压。根据IEC61000的ESD测试标准10s/次（10s放完2kV高压电荷），一般选择1M~2M的电阻。如果机壳有高压静电，则该大电阻也能有效降低电流，不会损坏电路芯片。安规标准规定的二类产品的漏电流为0.25mA. 人体漏电流超过0.5mA,就会感觉到颤抖；220V/0.25mA=880k,所以我们常取值1M。总结：慢慢释放电路板累计的电荷，消除静电高压；最后留一个问题：外壳有金属与非金属之分，那么当外壳是非金属时，整机的地是如何处理的呢？

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