• MOS管与三极管之战

    三极管 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,可分为PNP和NPN两种。 场效应晶体管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。 主要有JFET、MOSFET两种类型: 结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。 它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 选用MOS管还是三极管? 成本考量 在满足工程需求的条件下,成本是在二者之间选择的关键。而成本又分为元器件价格与元器件自身功耗两方面。 价格方面,三极管价格便宜,场效应晶体管贵。 功耗方面,三极管损耗大,场效应晶体管损耗较小。 特性区别 1、场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。 2、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而三极管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 3、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。 4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 5、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般三极管很难达到的性能。 6、场效应晶体管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

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  • TL431、三极管搭建的几种常见恒流源电路

    恒流源电路在合理范围改变Rload的大小,流过Rload大小不会改变。有兴趣的可以自己搭建电路试试

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  • PWM驱动三极管开启MOS,虚焊续流二极管导致板子故障

    之前公司做了一款电机控制产品,选用的电机是直流电机,采用PWM+MOS的方式进行驱动,驱动电路简单,驱动方式容易,所以被选用,但是电机里面有线圈,在断电一瞬间,线圈会释放出电能,影响周围的电路。所以采用续流二极管用来保护电机和整个驱动电路。电路如图1所示。 图1电机驱动和保护电路 电路测试的时候都没有问题,测试使用效果也是很好的。最后测试部也是测试通过的,所以就进入了批量生产流程。生产回来之后,进行程序烧录,烧录之后发现电机不转,而且电机内部有嗡嗡的声响,过一会儿就把MCU或者MOS给烧掉了,这就奇怪了,都是测试好的电路没有修改为什么会出现这种现象呢?通过万用表进行电路检查,最后,发现并联在电机旁边的续流二极管,有一端虚焊了,当把虚焊的一端焊接好之后,电机就可以正常工作了。 具体这个现象发生的原因我认为是这样:因为我用的是PWM驱动三极管,然后再驱动MOS 通过MOS来驱动直流有刷电机工作的,如果这个二极管不接的话,相当于开关开关开关,电机是感性负载,需要有泄放才可以,没有泄放的话,电机的电流不能按照一个方向去流动,导致烧毁MOS或者MCU。 最后,发现大批电路都是虚焊了续流二极管的一端,后续协调贴片厂,希望他们走完贴片厂之后,再人工补焊一遍,到此,终于解决了这个问题。 总结:当电路有大批量焊接出现虚焊的情况,可以考虑把元件封装修改一下,增大焊接面积可以减小电路虚焊的风险。而且遇到电机控制产品,这种可以产生强烈震动的情况,建议焊接的同时打上固定胶,防止震动导致控制板上的元件松动,引起电路故障的发生。

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  • MOS管H桥电路与专用电机驱动方案

    最后综合电路功率、设计难度与稳定可靠三个因素比较,在大功率的电机驱动项目,工程师优先考虑采用MOS管H桥电路方案;在工程师电路研发设计能力与电路调试经验不足时,优先考虑采用设计难度较低的专用电机驱动芯片方案;在恶劣的使用环境中的电机

    03-13 275浏览
  • 三极管和MOS管驱动电路的正确用法

    1 、三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三

    03-13 184浏览
  • 常用的几个低成本电平转换电路

    今天跟大家分享几个低成本电平转换电路。 一、什么是电平转换 比如两个芯片之间的供电电压不一样,一个是5V,另一个是3.3V,那么在两者之间进行通讯建立连接关系时,就需要进行电平转换。 以TTL 5V和CMOS 3.3V为例,他们的高低电平范围不一样,如果不进行电平转换,逻辑则是混乱的。 二、电平转换电路举例 2.1、单向电平转换电路 上面数据传输方向是从右到左,即TXD-2传到RXD-1①当TXD-2为低电平时,D1导通,RXD-1被拉低;②当TXD-2为高电平5V时,D1截止,RXD-1被拉高到3.3V高电平; 下面数据传输方向是从左到右,即TXD-1传到RXD-2 ③当TXD-1为低电平时,Q1导通,RXD-2被拉低; ④当TXD-1为高电平3.3V时,Q1截止,RXD-2被拉高到5V高电平。 2.2、双向电平转换电路 ①当DAT1为高电平3.3V时,Q2截止,DAT2被上拉到5V高电平; ②当DAT1为低电平时,Q2导通,DAT2被拉低; ③当DAT2为高电平5V时,Q2不通,DAT1被上拉到3.3V高电平; ④当DAT2为低电平时,MOS管里的体二极管把DAT1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,Q2导通,进一步拉低了DA1的电压。 三、注意事项 ①上拉电阻的取值 上拉就是要把VCC的电压上拉给I/O口使用,同时起到限流的作用。一般取值为10K、5.1K、4.7K。阻值越小,可以提供更大的电流驱动能力,速率越高,但功耗也越高。在满足电路性能的前提下,用阻值更大的电阻,功耗更低。②MOS选型Vgs(th)阈值电压。MOS管Vgs电压过高会导致MOS管烧坏,过低也会导致MOS管打不开。实际使用时为保证完全导通,设计上要多预留余量。 MOS管常用2N7002,便宜可靠。 小结: 二极管,三极管和MOS管组成的电平转换电路,优点是价格便宜,缺点是要求使用在信号频率较低的条件下。选型时,尽量选用结电容小、开关速率高的管子。 集成IC组成的电平转换电路,优点是速率高,通常可以用在几十MHz信号的电平转换中。缺点是成本较高。在成本控制严格的产品中综合考虑性能与价格进行选型。

    03-13 179浏览
  • 如何学习可以快速提高硬件设计能力?

    为什么他改几个电阻、电容就调出来,我弄个半天没搞定?

    03-12 260浏览
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    03-05 410浏览
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    让我们深入考察那没有什么魅力但是极其关键的旁路电容和去耦电容。

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