• 什么需要电源启动?实例讲解MOS管缓启动电路

    什么需要电源启动?电源缓启动能做什么?缓启动,顾名思义就是让电路电源缓慢开启。那解释起来这么简单,工作原理是否如此呢?

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    如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

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    MOS管栅极串联电阻介绍 1、如果没有栅极电阻,或者电阻阻值太小 MOS导通速度过快,高压情况下容易击穿周围的器件。 2、栅极电阻阻值过大 MOS管导通时,Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时,MOS管导通速度过慢,即Rds的减小要经过一段时间,高压时Rds会消耗大量功率,导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散,MOS温度迅速升高。 3、在高压下,PCB的设计也需要注意 栅极电阻最好紧靠栅极,并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线,栅极电压过高击穿MOS管。 MOS管栅极串联电阻作用的研究 与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路 驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻,栅极电阻降低了充电功率,延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度;结电容放电时经过二极管,放电功率不受限制,故此情况下mos管开启速度较关断速度慢,形成硬件死区。 限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时,是否可以省去栅极电阻呢?答案是不行。当开启mos管为结电容充电瞬间,驱动电路电压源近似短接到地,当驱动电驴电压源等价电源内阻较小时,存在过流烧毁驱动(可能是三态门三极管光耦甚至是单片机不能短接到地的io口等等)的风险。 消除振铃同时,由于pcb布线电感、布线电阻和结电容构成构成LCR震荡,在布线电阻R及电压源输出阻抗较小的一般情况下,mos管栅极电压波动可能十分明显,造成振铃现象使mos管开启不稳定。在栅极串接一个阻值合适的电阻,可减小震荡的波动幅度,降低mos管开启不稳定的风险。 综上所述:1)如果需要使用基于二极管和电阻的纯硬件死区,在二极管一侧还需要考虑增加一个合适阻值的电阻来限制振铃等现象。2)如果需要使用基于二极管和电阻的纯硬件死区,在结电容较小时,可以考虑在gs两端并联一颗合适大小的电容,与寄生电感和走线、电源阻抗一同形成时长精确可调的死区。3)某些型号的mos管自带栅极电阻 或 允许栅极dV/dt无穷大(一般手册会特别强调,这是卖点),驱动给的开启电压很大,即使已经发生振铃mos管也不会振荡开启/关闭。 免责声明:本文转自网络,版权归原作者所有,如涉及作品版权问题,请及时与我们联系,谢谢!

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  • 详细介绍一些嵌入式开发中常用的元器件及其作用

    在嵌入式开发中,各种元器件的选用和设计都是非常关键的环节。本文将详细介绍一些嵌入式开发中常用的元器件及其作用,帮助读者更好地理解嵌入式系统的设计和应用。

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  • Buck电路工作原理及其原理图

    Buck电路原理图 Buck电路,又称降压电路,其基本特征是DC-DC转换电路,输出电压低于输入电压。输入电

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  • 简单介绍这几种常见的电路保护元器件

    电子电路很容易在过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏,随着技术的发展,电子电路的产品日益多样化和复杂化,而电路保护则变得尤为重要。电路保护元件也从简单的玻璃管保险丝,变得种类更多,防护性能更优越。 电路保护的意义 在各类电子产品中,设置过压保护和过流保护变得越来越重要,那么电路保护的意义到底是什么,今天就来跟大家聊一聊: (1)由于如今电路板的集成度越来越高,板子的价格也跟着水涨船高,因此我们要加强保护。 (2)半导体器件,IC的工作电压有越来越低的趋势,而电路保护的目的则是降低能耗损失,减少发热现象,延长使用寿命。 (3)车载设备,由于使用环境的条件比一般电子产品更加恶劣,汽车行驶状况万变,汽车启动时产生很大的瞬间峰值电压等。因此,在为这些电子设备配套产品的电源适配器中,一般要使用过压保护元件。 (4)通信设备,通信场所对防雷浪涌有一定的要求,在这些设备中使用过压保护、过流保护元件就变得重要起来,它们是保证用户人身安全和通信正常的关键。 (5)大部分电子产品出现的故障,都是电子设备电路中出现的过压或者电路现象造成的,随着我们对电子设备质量的要求越来越高,电子电路保护也变得更加不容忽视。 那么电路保护如此重要,常用的电路保护元件有哪些?今天就给大家介绍几种。 防雷器件 陶瓷气体放电管: 防雷器件中应用最广泛的是陶瓷气体放电管,之所以说陶瓷气体放电管是应用最广泛的防雷器件,是因为无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷,陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。 其最大的特点是通流量大,级间电容小,绝缘电阻高,击穿电压可选范围大。 半导体放电管: 半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。 固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应(响应时间ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。 玻璃放电管: 玻璃放电管(强效放电管、防雷管)是20世纪末新推出的防雷器件,它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点:绝缘电阻高(≥10^8Ω)、极间电容小(≤0.8pF)、放电电流较大(最大达3 kA)、双向对称性、反应速度快(不存在冲击击穿的滞后现象)、性能稳定可靠、导通后电压较低。 此外还有直流击穿电压高(最高达5000V)、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大(±20%)。 过压器件 压敏电阻: 压敏电阻也是一种用得最多的限压器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。 压敏电阻的响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。 贴片压敏电阻的作用: 贴片压敏电阻主要用于保护元件和电路,防止在电源供应、控制和信号线产生的ESD。 瞬态抑制二极管: 瞬态抑制器TVS二极管广泛应用于半导体及敏感器件的保护,通常用于二级保护。基本都会是用于在陶瓷气体放电管之后的二级保护,也有用户直接将其用于产品的一级保护。 其特点为反应速度快(为 ps 级) ,体积小 ,脉冲功率较大 ,箝位电压低等。其 10/1000μs波脉冲功率从400W ~30KW,脉冲峰值电流从 0.52A~544A ;击穿电压有从6.8V~550V的系列值,便于各种不同电压的电路使用。 过流器件 自恢复保险丝: 自恢复保险丝PPTC就是一种过流电子保护元件,采用高分子有机聚合物在高压、高温,硫化反应的条件下,搀加导电粒子材料后,经过特殊的工艺加工而成。自恢复保险丝(PPTC:高分子自恢复保险丝)是一种正温度系数聚合物热敏电阻,作过流保护用,可代替电流保险丝。 电路正常工作时它的阻值很小(压降很小),当电路出现过流使它温 度升高时,阻值急剧增大几个数量级,使电路中的电流减小到安全值以下,从而使后面的电路得到保护,过流消失后自动恢复为低阻值。 静电元件 ESD静电放电二极管: ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD静电二极管是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。 可提供非常低的电容,具有优异的传输线脉冲(TLP)测试,以及IEC6100-4-2测试能力,尤其是在多采样数高达1000之后,进而改善对敏感电子元件的保护。 电感的作用: 电磁的关系相信大家都清楚,电感的作用就是在电路刚开始的时候,一切还不稳定的时候,如果电感中有电流通过,就一定会产生一个与电流方向相反的感应电流(法拉第电磁感应定律),等到电路运行了一段时间后,一切都稳定了,电流没有什么变化了,电磁感应也就不会产生电流,这时候就稳定了,不会出现突发性的变故,从而保证了电路的安全,就像水车,一开始由于阻力转动的比较慢,后来慢慢趋于平和。 磁珠的作用: 磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果,在以太网芯片上用到过。

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  • 0欧电阻在电路设计中的巧妙用处

    零欧电阻阻值是零,那么和一根导线有什么区别?为什么不直接连起来?

    03-28 499浏览
  • 选MOS管还是三极管?

    三极管 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,可分为PNP和NPN两种。 场效应晶体管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。 主要有JFET、MOSFET两种类型: 结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。 它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 选用MOS管还是三极管? 成本考量 在满足工程需求的条件下,成本是在二者之间选择的关键。而成本又分为元器件价格与元器件自身功耗两方面。 价格方面,三极管价格便宜,场效应晶体管贵。 功耗方面,三极管损耗大,场效应晶体管损耗较小。特性区别 1、场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。 2、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而三极管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 3、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。 4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 5、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般三极管很难达到的性能。 6、场效应晶体管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

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