• 2种余电快速泄放电路方案优缺点比较

    方案1优势是电路简单。缺点是功耗较高,一直损耗,由于需要一直开着因此放电速度不能作得太快。

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  • 低成本实用线性稳压电源设计,电路方案简单

    通常要将一个直流电压降低后才能为我们所用,举例就如51单片机供电系统电压为5V,假如提供的电压为

    06-06 60浏览
  • 传感器的激励和测量技术

    输入传感器被归类为有源或无源。无源传感器,如热电偶或光电二极管(在电压输出模式下),是双端口设备,可以直接将物理能转换为电能,产生输出信号而不需要励源。有源传感器(如一般的有源电路)需要外部激励源。电阻式传感器(如热敏电阻、电阻温度检测器、

    06-03 72浏览
  • 开关电源MOS导通-大电流-上电放电

    1、MOS作为开关导通因为MOS管的特性,我们会选择N管,要保证MOS管的持续导通,GS之间的压差必须要达到平

    05-29 176浏览
  • 降压电路24V转12V,2个NPN三极管实现

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    05-29 116浏览
  • 一个N-MOS管和P-MOS管驱动应用实例

    MOS管在电路设计中是比较常见的,按照驱动方式来分的话,有两种,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三极管的驱动方式有点类似,但又不完全相同,那么今天笔者将会给大家简单介绍一下N-MOS管和P-MOS管的工作原理,并结合自己实际的应用来给大家分享一下如何来驱动N-MOS管和P-MOS管。 首先,我们先来看一下N-MOS管和P-MOS管分别在电路中的电气符号: 咋一看上面两个电气符号,似乎非常的相似,可能让很多人都有点傻傻分不清楚。那么,在我们看到电路中出现这些符号的时候,我们要怎么知道究竟是N-MOS管还是P-MOS管呢? 在判断是N-MOS管还是P-MOS管之前,我们先来学会认识MOS管符号上的三个引脚,究竟哪个引脚是G(基)极、S(源)极和D(漏)极吧,请看下图: G(基)极的话,还是很容易区分的,就不用多说什么了,比较难区分的基本就是S(源)极和D(漏)极了,那么,我只需要记住:无论是N-MOS管还是P-MOS管,两根线相交的就是S(源)极了,剩下的一个单独引线的那边,就是D(漏)极了。 接下来,我们就要来区分究竟哪个是N-MOS,哪个是P-MOS了,同样 ,我们这里只需要看箭头的方向,并且记住:箭头指向G极的是N-MOS管,箭头背向G极的是P-MOS管。 通过了解MOS的相关知识,我们还得到一个知识点,那就是:MOS在制造过程中,会自动形成一个PN结,也就是我们常说的MOS管的“寄生二极管”。那么这个寄生二极管的方向如何判断呢?同样,我们记住这两句话就好了:N-MOS管,寄生二极管的方向是由S极指向D极;P-MOS管,寄生二极管的方向是由D极指向S极。如下图所示: 关于寄生二极管的方向,还有一种比较简单的记法,那就是:想象DS边的三节断续线是联通的,不论是N-MOS管还是P-MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的,即,要么都由S指向D,要么都由D指向S。 当然咯,前面这些”科普知识”,基本都是来源于教材,大家只要是认真学习过MOS管相关知识的话,相信对MOS管的认识一定会比笔者这里介绍的更深刻。那么,MOS管经常在电路中作为开关来使用,我们该怎么控制呢? 对于N-MOS管来说,它导通条件就是:G极与S极中间的电压差超过阈值时,D极和S极导通。在实际应用中,一般是将控制信号接到G极,S极则直接接在GND上,从而达到控制N-MOS管的开和关的效果,在D极和S极导通后,导通电阻Rds很小,一般都是几十毫欧级别,因此,电流导通后,形成的压降也是很小的。下面这个电路,就是笔者实际应用中用来控制一个小风扇开关的电路,电路中就是使用的N-MOS管来控制风扇的负极,来实现风扇的开和关的效果。 控制端G极接的是一个3.3V单片机的IO口: 当单片机IO口输出高电平时,MOS管的G极电压高于S极将近3.3V,此时N-MOS管AO3400A的D极和S极导通。 当单片机IO口输出低电平时,MOS管的G极电压也几乎为0V(GND电压),此时N-MOS管AO3400A的D极和S极断开。 在实际应用中,对于电压比较高的电路,尤其是高于人体安全电压36V的电路中,往往会用MOS管来控制负载的正极而不是负极,似乎这样会更安全一些?或许就跟我们的日常家用电器中,大部分是控制火线的通断来实现对负载的控制道理是一样的吧。控制电源的正极通断,我们一般是用P-MOS管来实现,那么P-MOS又该怎么驱动呢? 其实P-MOS管的驱动跟N-MOS管也是有点类似的,P-MOS管的导通条件是:G极与S极中间的电压差低于阈值时,S极和D极导通。 虽然P-MOS管的驱动原理跟N-MOS管比较类似,但是,两者之间的驱动电路还是有点差异的,同样以单片机IO口控制为例,当P-MOS管的S极与D极电压差异过大时,就不能直接用单片机IO口来控制了,比如,P-MOS管的S极接的是12V电压,那么: 当单片机IO口输出高电平时,P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-9.7V; 当单片机IO口输出低电平时,P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-12V; 那么,此时对于大部分P-MOS管来说,都是导通的,实现不了关断的功能。当然,对于S极接3.3V的电压的话,是不会有什么影响的。但是,为了能适应更多的应用场合,我们必须得考虑这个问题,因此笔者通过对驱动电路的改进,得到了下面这个电路: 这个电路是笔者用来控制制冷片制冷的电路,用了一个N-MOS管和一个P-MOS管来实现,当然,电路中的N-MOS管也用三极管来替代,甚至P-MOS管WSF70P03的G极也可以通过电阻分压的方式来实现驱动。 但是,笔者之前说了,为了通用性,这里还是选择N-MOS管或者三极管来作为前级驱动比较合适。这个电路的工作原理也很简单,关于N-MOS管AO3400A的通断笔者就不再多说了。当AO3400A导通后,会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压变成接近GND的电压,从而使得它的S极和G极的电压差增大为接近12V,从而使得WSP70P03的S极和D极导通。 同理,当AO3400A关断后,会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压在上拉电阻的作用下上拉至12V,从而使得它的S极和G极的电压差几乎为0V,从而使得WSP70P03的S极和D极关断。 好了,关于N-MOS管和P-MOS管的原理以及基本应用笔者就简单介绍到这里了,笔者相信,通过这两个实例,大家对MOS的驱动会有更加深刻的认识,在以后的应用中,就可以针对负载特性,来选择合适的MOS管驱动了。

    05-27 212浏览
  • 嵌入式-数模电-MOS管经典知识汇总

    目录 一:快速了解 1.看箭头快速辨认NMOS和PMOS 2.电流方向和寄生二极管方向相反 3.NMOS和PMOS区别 4.工作中最便宜最好用的贴片三极管-2N7002 5.用万用表快速检测mos管 二:带着第二节的问题从三四节找答案 三:电路符号 四:实物 五:答案 一:快速了解 1.看箭头快速辨认NMOS和PMOS 箭头朝里,里-你-n-NMOS 2.电流方向和寄生二极管方向相反 3.NMOS和PMOS区别 作用、常用接法、导通条件和截止条件 示例① NMOS作用:信号切换(开关) 常用接法: S极接地,US=0V 截止条件:UG=US=0V。 导通条件: UG比US大3V—5V即可,UG=3V。简单来说NMOS管G极电平高电平导通。 示例② NMOS作用:电压通断(开关) 常用接法: D极接输入,UD=5V,S极接输出。 截止条件:UG=US=0V。 导通条件: UG比US大10V以上,UG=Us+10V=15V。(导通时,Us=5V) (不太严谨的记法:NMOS管G极高电平导通,和输出端S极比较) 示例③ PMOS作用:电压通断(开关) 常用接法: S极接输入,Us=19v。 D极接输出。 截止条件:UG=US=0V。 导通条件: UG比US小10V以上,UG=Us-13v=6V。 (不太严谨的记法:PMOS管G极低电平导通,和输出端D极比较) 推荐文章《硬件-经典开机电路》 4.工作中最便宜最好用的贴片三极管-2N7002 常见的3PIN脚MOS管(SOT-23) 5.用万用表快速检测mos管 万用表二极管(蜂鸣器)档 二:带着第二节的问题从三四节找答案 三:电路符号 四:实物 mos管常用有8脚、6脚、3脚。 五:答案 以上,完,欢迎评论区补充

    05-26 2637浏览
  • 常用的电平转换电路介绍+原理

    在我们实际电路设计过程中,我们经常会碰到不同芯片的引脚工作电压不同的情况。

    05-23 152浏览
  • 低成本Boost升压电路

    蛮好玩的低成本boost电路,可以拿来衍生电场之类的,带载估计只能带轻载。计算公式估计不能用boost的公式去计算。挺好的电路。

    05-20 116浏览
  • 智能空气净化通风系统评估、电路设计原理图、元器件选型

    详细描述了一个家用空气净化器项目,涉及空气检测、气味传感器的信号处理、MOS管作为开关的应用,以及电路原理图设计,包括元器件选择、模拟信号处理和优化,最终目标是实现自动化的开关控制和模拟到数字信号的转换 目录 1、项目背景介绍 2、项目资源评估 3、如何设计原理图(含元器件原理分析) 4、元器件选型 5、原理图绘制 1、项目背景介绍 项目用在家用或办公领域,当空气有一定的污染时,打开净化系统开始进行空气净化和杀菌处理,经过一定时间处理后,当空气中空气经过净化且重回健康后,关闭净化系统。 2、项目资源评估 需要的条件: 1、气味传感器,对空气检测,并转换成电压信号(大部分的传感器是把某一种形态的物理量转换成电信号),电压信号比较小,需要对其进行放大 2、对电压信号进行放大处理,用放大后的电压信号通过比较器来控制机器的开和关(可以改变幅值和向量的变化) 3、需要运算放大器,比较器,开关 4、电源15VDC  3A(适配器,直接买) 5、需要有15V  2A直流有刷马达(通过MOS管(作为开关使用)来控制马达) 3、如何设计原理图(含元器件原理分析) 元器件分析: MOS管:N型MOS(N沟道),P型MOS管(P沟道) NMOS管由于自身的特性,开关的速度特别快,耐压高,通过的电流能力比较强;PMOS管由于工艺的影响,开关的速度没有NMOS管快,损耗量比NMOS管大,耐压相对较低,通过的电流相比于NMOS管比较弱 有一个二极管,封装在MOS管的内部,当NMOS管正向流通的时候,二极管是不导通的,当DS不导通的时候,电流可以往回流,对能量进行回收 NMOS管的导通条件:Ug-Us>10V 施加的是电压源 MOS管的状态:关闭和截止(Ug-Us<4.5V ),放大状态(Ug-Us约等于4.5V)即4.5V即为阈值电压 (等效成n型三极管的基极的阈值电流(0.5mA)超过0.5mA,三极管就工作在饱和状态,低于0.5mA的时候就工作在放大状态,再低于一定程度的时候,三极管就处于截止状态) 具体的MOS管详情,请参考MOS管(又叫场效应管这一篇文章) 4、元器件选型 MOS管作为开关用的原理分析 这样情况,在开关导通到15V的时候,会通过电阻形成一个压降,同时会对MOS管进行充电,在充电到阈值电压的时候,MOS管将会导通,在导通之后,MOS管的源极电压将会变成15V,这样就会导致源极的电压>栅极的电压,MOS就会关断,源极电压为0,就会重复上一个动作。这里可以参考N型三极管理解 正确电路 在 15V导通的时候,由于源极接的是地,无论怎么样,栅极和源极之间的压差都会大于平台电压,所以MOS管会一直导通;在GND导通的时候,MOS管会通过电阻对内部的电容进行放电,由于MOS是不导通的,内阻无限大,所以漏极就近似的等于+15V,所以马达上面没有压差,就没有电流,所以,马达是不转的。这样就通过控制MOS管的开和关,控制了马达的转和不转! MOS管内部分为三种状态 结论:NMOS管作为开关使用,S(源极)必须接地 在本次项目中,我们要实现开关自动化打开和关闭,不妨想一想应该怎么解决 1、当左边输入高电平的时候,Q3,Q4是导通的,R11左边的电压大约是0.3V,近似的等于0V,这种时候,Q2也是导通的,并且P管射极的电压大约的等于15V(不考虑三极管的内阻),这样就会对MOS管进行充电,马达转动。 2、当左边输入为低的时候,Q3是不导通的,R9下方的电压就会非常的大,Q2也是不导通的,R10左右两边都没有电压,MOS管就通过R10进行放电,马达停止转动。 同时实现导通和关断的速度都是特别快的! 分析不足:Q2和Q1会不会存在同时导通的情况 输入的信号为模拟量,会有中间的状态,即假设输入的电压为1.5V的时候,Q3,Q2导通,Q4也会导通(没有完全导通)工作在放大状态,Q4的C极电压可能是1V,也可能是>1V ,这时候,Q1shi导通,即Q2和Q1是短路的,就会出现串红现象,热损坏很大,容易损坏器件。 优化后的电路图 1、左边输入为高信号的时候,Q5是导通的,电流能够达到200mA,同时会对MOS管进行充电,当充电到14.3V的时候,Q5截止,当MOS管的电压>14.3V的时候,Q5又会导通;Q6是不导通的,Q6 B级的电压是15V,而E极的电压无论怎么样,都是达不到15V的,这时候的Q6就处在反向截止的状态。 2、当左边输入为低的时候,Q6的E极是14.3V,相对于B极,是有压差的,所以说Ib是有的,这样Q6就是导通状态,MOS管就会通过Q6进行放电;Q3,由于B极上面没有正向压差,所以是反向截止的,是一直不导通的。 我们把这样的电路称之为推挽电路 :把N管和P管接在一起,在任何时候,都只有一个管子导通,也能够实现快速开通和快速关断 MOS管和三极管的区别: 2、运算放大器 最基本的放大电路 1、当Ib通过的电流Ib>1mA的时候,三极管工作在饱和状态 2、当Ib通过的电流0.1mA

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