MOS管在电路设计中是比较常见的，按照驱动方式来分的话，有两种，即：N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三极管的驱动方式有点类似，但又不完全相同，那么今天笔者将会给大家简单介绍一下N-MOS管和P-MOS管的工作原理，并结合自己实际的应用来给大家分享一下如何来驱动N-MOS管和P-MOS管。 首先，我们先来看一下N-MOS管和P-MOS管分别在电路中的电气符号： 咋一看上面两个电气符号，似乎非常的相似，可能让很多人都有点傻傻分不清楚。那么，在我们看到电路中出现这些符号的时候，我们要怎么知道究竟是N-MOS管还是P-MOS管呢？ 在判断是N-MOS管还是P-MOS管之前，我们先来学会认识MOS管符号上的三个引脚，究竟哪个引脚是G（基）极、S（源）极和D（漏）极吧，请看下图： G（基）极的话，还是很容易区分的，就不用多说什么了，比较难区分的基本就是S（源）极和D（漏）极了，那么，我只需要记住：无论是N-MOS管还是P-MOS管，两根线相交的就是S（源）极了，剩下的一个单独引线的那边，就是D（漏）极了。 接下来，我们就要来区分究竟哪个是N-MOS，哪个是P-MOS了，同样 ，我们这里只需要看箭头的方向，并且记住：箭头指向G极的是N-MOS管，箭头背向G极的是P-MOS管。 通过了解MOS的相关知识，我们还得到一个知识点，那就是：MOS在制造过程中，会自动形成一个PN结，也就是我们常说的MOS管的“寄生二极管”。那么这个寄生二极管的方向如何判断呢？同样，我们记住这两句话就好了：N-MOS管，寄生二极管的方向是由S极指向D极；P-MOS管，寄生二极管的方向是由D极指向S极。如下图所示： 关于寄生二极管的方向，还有一种比较简单的记法，那就是：想象DS边的三节断续线是联通的，不论是N-MOS管还是P-MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，即，要么都由S指向D，要么都由D指向S。 当然咯，前面这些”科普知识”，基本都是来源于教材，大家只要是认真学习过MOS管相关知识的话，相信对MOS管的认识一定会比笔者这里介绍的更深刻。那么，MOS管经常在电路中作为开关来使用，我们该怎么控制呢？ 对于N-MOS管来说，它导通条件就是：G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。在实际应用中，一般是将控制信号接到G极，S极则直接接在GND上，从而达到控制N-MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds很小，一般都是几十毫欧级别，因此，电流导通后，形成的压降也是很小的。下面这个电路，就是笔者实际应用中用来控制一个小风扇开关的电路，电路中就是使用的N-MOS管来控制风扇的负极，来实现风扇的开和关的效果。 控制端G极接的是一个3.3V单片机的IO口： 当单片机IO口输出高电平时，MOS管的G极电压高于S极将近3.3V，此时N-MOS管AO3400A的D极和S极导通。 当单片机IO口输出低电平时，MOS管的G极电压也几乎为0V（GND电压），此时N-MOS管AO3400A的D极和S极断开。 在实际应用中，对于电压比较高的电路，尤其是高于人体安全电压36V的电路中，往往会用MOS管来控制负载的正极而不是负极，似乎这样会更安全一些？或许就跟我们的日常家用电器中，大部分是控制火线的通断来实现对负载的控制道理是一样的吧。控制电源的正极通断，我们一般是用P-MOS管来实现，那么P-MOS又该怎么驱动呢？ 其实P-MOS管的驱动跟N-MOS管也是有点类似的，P-MOS管的导通条件是：G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。 虽然P-MOS管的驱动原理跟N-MOS管比较类似，但是，两者之间的驱动电路还是有点差异的，同样以单片机IO口控制为例，当P-MOS管的S极与D极电压差异过大时，就不能直接用单片机IO口来控制了，比如，P-MOS管的S极接的是12V电压，那么： 当单片机IO口输出高电平时，P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-9.7V； 当单片机IO口输出低电平时，P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-12V； 那么，此时对于大部分P-MOS管来说，都是导通的，实现不了关断的功能。当然，对于S极接3.3V的电压的话，是不会有什么影响的。但是，为了能适应更多的应用场合，我们必须得考虑这个问题，因此笔者通过对驱动电路的改进，得到了下面这个电路： 这个电路是笔者用来控制制冷片制冷的电路，用了一个N-MOS管和一个P-MOS管来实现，当然，电路中的N-MOS管也用三极管来替代，甚至P-MOS管WSF70P03的G极也可以通过电阻分压的方式来实现驱动。 但是，笔者之前说了，为了通用性，这里还是选择N-MOS管或者三极管来作为前级驱动比较合适。这个电路的工作原理也很简单，关于N-MOS管AO3400A的通断笔者就不再多说了。当AO3400A导通后，会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压变成接近GND的电压，从而使得它的S极和G极的电压差增大为接近12V，从而使得WSP70P03的S极和D极导通。 同理，当AO3400A关断后，会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压在上拉电阻的作用下上拉至12V，从而使得它的S极和G极的电压差几乎为0V，从而使得WSP70P03的S极和D极关断。 好了，关于N-MOS管和P-MOS管的原理以及基本应用笔者就简单介绍到这里了，笔者相信，通过这两个实例，大家对MOS的驱动会有更加深刻的认识，在以后的应用中，就可以针对负载特性，来选择合适的MOS管驱动了。
目录 一、理论基础 1. A类功放 2.B类功放 3.AB类功放 二、性能参数 1.增益 2.增益平坦度 3.三阶截点 4.线性度与1dB压缩点 5.效率 三、实例演示 1.设计指标 2.晶体管选择 3.晶体管模型 3.PD55003 仿真 一、理论基础 根据工作状态的不同，功率放大器可分为线性功率放大器和开关型功率放大器，线性功率放大器包含：A、B、C、AB类放大器，开关型功率放大器包含：D、E、F类放大器。为获得较好的线性度和高增益，因此射频PA一般使用线性功率放大器。 功率放大器的电路可以由以下几个部分组成：晶体管、偏置及稳定电路、输入输出匹配电路。 1. A类功放 A类功放输出级中两个（或两组）晶体管永远处于导电状态，也就是说不管有无讯号输入它们都保持传导电流，并使这两个电流等于交流电的峰值，这时交流在最大讯号情况下流入负载。A类功放的工作方式具有最佳的线性，每个输出晶体管均放大讯号全波，完全不存在交越失真（Switching Distortion），即使不施用负反馈，它的开环路失真仍十分低，因此被称为是声音最理想的放大线路设计。但这种设计有利有弊，A类功放放最大的缺点是效率低，因为无讯号时仍有满电流流入，电能全部转为高热量。 2.B类功放 B类功放放大的工作方式是当无讯号输入时，输出晶体管不导电，所以不消耗功率。当有讯号时，每对输出管各放大一半波形，彼此一开一关轮流工作完成一个全波放大，在两个输出晶体管轮换工作时便发生交越失真，因此形成非线性。 B类放大器的偏置电压设置在截止点。 3.AB类功放 AB类功放通常有两个偏压，在无讯号时也有少量电流通过输出晶体管。它在讯号小时用A类工作模式，获得最佳线性，当讯号提高到某一电平时自动转为B类工作模式以获得较高的效率。 AB类放大器的效率和线性度在A类和B类放大器之间,其最大的特点是导通角的范围为180°~360°,相应的设计目标就是实现他在一个周期的50%和100%之间的某段时间内导通的工作方式,对于单MOS管来说,就是使他的漏极有电流通过的时间多于半个周期。 通过将晶体管偏置到略高于其截止点但远低于A类放大器的中心Q点，我们可以创建一个AB类放大器电路。那么AB类放大器的基本目的是保持基本的B类配置，同时通过将每个开关晶体管偏置到略高于阈值来改善其线性度。 AB类放大器的偏置电路有电压偏置、电阻偏置、可调节放大器偏置、二极管偏置，下面以电压偏置电路为例进行讲解：公众号@电路一点通 如图所示，这里通过使用适当的固定偏置电压来实现晶体管的偏置。当输入信号变为正值时， TR1 基极电压增加，产生相似量的正输出，从而增加流过 TR1 的集电极电流向负载R L提供电流 。然而，由于两个碱基之间的电压是固定且恒定的，所以 TR1 的传导的电流增加都将导致 TR2 的传导电流相反的减少。结果，晶体管 TR2 最终关闭，留下正向偏置晶体管， TR1 ，为负载提供所有电流增益。同样，对于输入电压的负半部分，发生相反的情况。也就是说，当输入信号变得更负时， TR2 导通负载电流而 TR1 关闭。 然后我们可以看到输入时电压 VIN 为零，两个晶体管由于其电压偏置而略微导通，但随着输入电压变得更正或负，两个晶体管中的一个传导更多要么下沉来获取负载电流。由于两个晶体管之间的切换几乎立即发生并且是平滑的，因此大大降低了影响B类配置的交叉失真。然而，当两个晶体管切换时，不正确的偏置会导致尖锐的交越失真尖峰。 各类功放静态工作点选择： 二、性能参数 1.增益 增益是每个放大器最重要的指标。它表示放大器对输入信号的放大能力，以dB为单位。放大器的增益随频率而变化，频率高，放大器的损耗也就高（增益在整个频率范围内不是线性的）。 2.增益平坦度 如果放大器在工作频带内,增益的波动很大,这就意味着对与同一个输入信号,有些增益高,有些增益低,会造成输出信号在幅度上的失真。输出信号与输入信号在幅度上的失真称为AM-AM失真。为了描述放大器增益变化的剧烈程度,就引入了增益平坦度这一指标。增益平坦度是指在一定的条件下,整个工作频带内放大器的增益变化范围 3.三阶截点 信号的三阶分量将在信号的放大过程中产生。放大器增益在达到饱和点后开始下降，如果输入功率持续增加，则基频信号功率和三阶信号功率将在特定点相交，该点称为三阶截点。通过计算该值，可以在设计时确定放大器的非线性行为。在选择射频器件时，三阶交调指标的绝对值越大越好。其值越大，说明交调产物相对主信号来说越小，对系统的干扰影响越小。 4.线性度与1dB压缩点 当输出功率越大,放大器的效率就越高，但是放大器的输出功率越大时，会造成放大器线性度的恶化，产生非线性失真。当放大器工作在小信号状态时，可以视其为线性的，忽略非线性效应,得到器件的小信号模型和S参数。但是,当射频功率放大器工作在大信号状态时，不可避免的会出现非线性失真。描述功率放大器的线性度的主要参数为1dB功率压缩点P1dB，当放大器的输入功率比较低时，功率增益为常数,放大器工作在线性区。当输入功率增加时，输出功率也随输入功率线性增加。但是当输入功率增大到一定程度时,受到晶体管非线性特性的影响，放大器的输出功率不再随输入线性增加,增益压缩。若继续增加输入功率，晶体管已工作在饱和区,其输出功率几乎维持不变，1dB功率压缩点PidB指的是输出增益比线性增益小1dB时的输出功率。PidB与输入信号的大小无关，是晶体管的自身属性。 5.效率 在射频功率放大器设计中,有多少直流功率被转化为射频功率输出,是需要考虑的一个重要问题。描述此现象的指标为功率放大器的效率,以下为功率放大器常用的效率的定义： 在以上两个定义当中,一般功率附加效率的数值最小,但是功率附加效率既考虑了输出功率和直流功率的关系,又考虑到了的功率增益的影响,这样就避免出现一个没有功率增益的放大器,效率却非常高的情况出现。所以,采用功率附加效率来描述放大器是比较合理的。 三、实例演示 因为AB类放大器在射频功率放大器设计中，既兼顾到了效率,又考虑到了线性度的问题，属于各个性能都比较平均的放大器，所以传统的射频功率放大器通常都偏置在AB类状态下。本实例通过安捷伦公司的ADS 2020，设计仿真了一款应用于460M无线通信系统的AB类功率放大器。 1.设计指标 偏置类型： AB类 输出功率： 2W (33 dBm) 中心频率： 460MHz 增益：G > 26 dB PAE: >50% 电源电压： +12V 2.晶体管选择 因本实例芯片级输出功率范围是：-20dBm ~ +7dBm,选择NXP的BFU590G和ST的PD55003两个射频功率管，根据数据手册，BFU590G最大输出功率：20 dBm，在IC = 50 mA，VCE =8V 时的增益有19.5dB，三阶交调点为33dBm。PD55003最大输出功率：3W，在VDD = 12.5 V, IDQ = 50 mA时的增益有17 dB，两管增益相加有36.5dB,满足增益需求，我们以BFU590G作为驱动级，PD55003作为输出级。 3.晶体管模型 为了使用计算机进行模拟仿真设计,就要需要晶体管的模型被计算机所识别。通常所使用的仿真软件一般都至于有普遍性，所以并不会有很多晶体管的模型，使用的晶体管模型一般都可以在官网找到。而每个晶体管由于工艺、类型以及材料的不同,其函数模型复杂，所以也不可能对每个晶体管都建立专一的模型，这就需要使用者首先要根据所选晶体管的性能，通过电容电阻二极管等具有简单函数模型的元器件来建立等价的晶体管仿真模型，模拟晶体管的特性。如图所示，为PD55003晶体管的等效模型。 3.PD55003 仿真 1.直流仿真 直流仿真的目的是找到合适的静态工作点，设置静态工作点的目的就是要保证在被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 调出直流仿真模板，这里的DisplayTemplate控件的作用是插入一个仿真显示模板，如果不加入此控件，仿真出来的结果需要自己手动调出或者输入公式调出，而加入此控件仿真后可自动显示仿真结果。将晶体管模板连接好线路，设置VGS的电压仿真范围为1.5V ~ 3.6V，扫频为30个点，VDS电压仿真范围为0V ~ 30V，扫频为100个点，如下图所示： 仿真结果如下： 可以看到在放大区，IDS只随VGS的增大而增大，当VGS=3.3V，IDS=68mA，与数据手册给出的数据对比相差不大，说明仿真是准确有效的，因此我们静态工作取VGS=3.3V，VDS=12V。公众号@电路一点通 2.稳定性分析 在任何功率放大器的设计中,电路的稳定性是非常重要的。如果功率放大器不稳定,便不能发挥其正常功能而变成了振荡器,甚至有可能会烧毁电路。通常使用改善稳定性的措施都是通过一定的衰减或反馈使增益不会振荡增大,即牺牲增益来改善稳定性，在输入或输出端口串联或并联电阻,对于低噪声放大器,通常在输出端加入阻性负载,而对于功率放大器,电阻一般设置在输入端。(因为电阻会产生噪声,消耗掉功率) 绘制电路图如下： “DC_Block”的作用是起到隔直流的作用，“DC-Feed”类似射频扼流圈，经常应用在电源滤波电路中，对高频RF（射频）信号呈高阻，从而抑制高频信号进入系统，与磁珠的功能有点类似。“StabFact”控件返回的是稳定性因子。可以看到在电路输入端串联了一个电阻和电容，电容的作用是减小串联电阻所带来功率损耗。 仿真结果如图所示： 可以看到在460MHz的时候稳定因子大于1，这代表晶体管处于稳定状态，如果稳定因子小于1，则晶体管可能会发生振荡。 3.负载牵引 我们知道，功率放大器不同于小信号放大器，输出与输入总是成线性关系，因为功率放大器的功放管工作趋近于饱和区，其s参数会随着输入功率的变化而变化。一般情况下,我们只需要满足输出与输入的共轭匹配，即可满足最大功率输出的条件。但是,由于输入功率改变带来的s参数改变，简单的共轭匹配不能满足所有的输入功率点。因此，我们需要在所有的输入功率下进行仿真，得出在所有输入功率下，满足最大输出功率的条件。 在不同的负载阻抗下，功率放大器的输出功率和效率都不同，满足最大输出功率条件所对应的负载阻抗就称为最优负载阻抗，用z_opt表示。在实际情况中，不一定最大功率输出就是我们所需要的结果，因为输出最大功率带来的代价就是效率的降低，因此我们经常要对输出功率和放大效率进行一个折中，所以，我们选择的最优负载阻抗往往也不是输出功率最大的阻抗点，而是我们选择的一个功率效率折中阻抗点。LoadPull (负载牵引)技术就是通过仿真，来得到在一定输入功率下，不同的负载阻抗与输出功率和效率之间的关系。顾名思义，它是通过改变负载阻抗从而计算输出功率和效率,最终得到z_opt的技术。LoadPull的实现需要一个|分复杂且庞大的系统,但是ADS为我们集成好了LoadPull模板，我们只需要填写对应的输入功率，连接好电路，设置好偏置等条件之后，直接进行电路仿真，即可得到Loadpull结果。 通常厂家在Datasheet中，会按照最大功率输出设计提供合适的负载阻抗和源阻抗值，但是其数据含量有限，使用局限还是比较大，所以设计中必须自己测量最佳阻抗。 调出ADS的 LoadPull 模板，加上稳定性电路，替换成自己的晶体管后，根据驱动级提供的输出功率范围，填上合适的输入功率参数，Pavs是输入功率，RFfreq是工作频率，Vhigh是Vds的值，Vlow是Vgs的值。这里输入功率我们填17dBm，频率为460MHz，Vhight=12V，Vlow=3.3V。s11_rho对应的是扫描圆半径，s11_center对应的是圆心，pts对应的是采样点，z0对应的是特性阻抗。扫描圆中心点和半径需要根据自己的仿真结果进行合适的调整，采样点的设置得越多，得到的结果就越精确，但是仿真所耗费的资源就会越大，甚至会出现不收敛的情况，我们通常设置为200即可。 电路图如下所示： 仿真结果如下所示： 可以看到，等效率圆和等功率圆显示完整，均为封闭圆，意味着收敛（红色对应效率圆，蓝色对应功率圆），同时拖动m3，我们可以看到效率和功率的最大值以及对应的阻抗点。这里显示仿真出来的最大功率为32.92dBm，与我们所需要的33dBm相近，可以接受，我们记下此时的阻抗点为3.99+j6.79。 4.输出阻抗匹配 如果频率在GHz以上，为了避免LC元件所产生的的寄生效应，以及从成本考虑，一般选取串联阶跃阻抗的微带线进行匹配，同时为了抑制载波，在设计输出匹配时使用低通形式。因为我们这里的频率是460MHz，所以不考虑LC元件的寄生效应，采用分立元件进行匹配。 当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时，为使负载得到最大功率，负载阻抗与内阻必须满足共扼关系，即电阻成份相等，电抗成份绝对值相等而符号相反。这种匹配条件称为共扼匹配。共轭匹配在信号源给定的情况下，输出功率取决于负载电阻与信号源内阻之比K，当两者相等，即K=1时，输出功率最大。阻抗匹配的概念可以推广到交流电路，当负载阻抗与信号源阻抗共轭时，能够实现功率的最大传输，如果负载阻抗不满足共轭匹配的条件，就要在负载和信号源之间加一个阻抗变换网络，将负载阻抗变换为信号源阻抗的共轭，实现阻抗匹配。 输出阻抗匹配电路图如下： 5.源端牵引 源端牵引与负载牵引做法类似，只不过是需要把负载牵引得出的输出匹配电路代入到源端牵引电路中。 电路图如下所示： 仿真结果如下所示： 可见输出功率达到33dBm，满足我们的要求。 6.输入阻抗匹配 输入阻抗匹配和输出阻抗匹配做法一样，匹配电路如下所示： 7.谐波平衡仿真测试 在ADS软件中，分析非线性电路的最主要方法是使用谐波平衡仿真控制模块，谐波平衡仿真用于仿真非线性电路中的增益压缩、噪声、谐波失真、效率和互调产物等，普遍适用于放大器、混频器、振荡器等非线性电路。对于射频功率放大器来说，采用谐波平衡法仿真的目的就是进行大信号的非线性模拟，进而得到放大器的输出1dB功率压缩点,交调分量分析等与放大器非线性相关的性能参数。 插入谐波平衡仿真模板，“MeasEqn”是公式编辑器，在里面我们可以输入所需要的的计算公式，现在模板里已经存在计算功率和PAE的公式；在“VAR”里设置漏级电压12V，栅极电压3.3V，工作频率460MHz；在“HarmonicBalance”控件里自定义设置扫描功率为16~17dBm，步进为1dBm，当我们自定义设置扫描功率后，“SweepPlan”控件默认的扫描计划将不起作用，ADS将会以我们设置的步进扫描功率进行仿真。如下图所示： 电路图如下所示 仿真结果如下图所示： 可以看到在输入功率为16 ~17dBm的情况下，期望输出功率最低可以达到33.5dBm，增益为17.5dB，PAE为58.3%，直流消耗为3.77W，电流和热耗散功率、二三四五阶交调点都可以清楚的看到。 BFU590G晶体管的仿真与此仿真类似，当两个晶体管的仿真完成后，得到BFU590G的最佳输出阻抗和PD55003的最佳输入阻抗，我们将它们进行共轭匹配，从而将两个晶体管级联在一起，至此，PA级联仿真完成，接下来的工作是打板回来调试。
介绍电路之前，我们需要了解一下压控和流控的概念 压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通 流控：是指电流作为控制信号，对于BJT，只要Ibe满足开启要求，三极管就会导通 记得第一次分析MOS管的导通状态的时候，还会各种考虑D级与G 极 D极与S极的电压关系；搞得自己脑袋疼；记住不要去仅仅针对MOS管去分析各种关系，因为好多电压关系在实际应用中并不会出现 现在不要去想那些！！！ NMOS 导通条件：VGS电压高于Vth（一般4.5V）:R1 R2的作用就是为给G 和S 之间创造一个VGS (一般2.5~4.5V，管子就可以完全导通，具体看手册);不用去关心G极与D极的电压关系（只要没达到击穿电压）；实测过，就算C极电压低于G极电压，管子依旧导通(不是经过体二极管的那种导通) 有人会说如果S极不接地呢，其实一样，只要你能保证VGS的电压满足要求就行： 比如下图 只要此时G极电压大于S极电压（高于导通电压），那就该怎么导通就怎么导通； 此时要特别注意，此时的S极电压不是0V ；具体多少V取决于你的电路，只要你能保证VGS； 比如此时S极电压大于D极电压，那不就是个二极管吗？还分析啥？ 结论：只要你保证VGS 满足导通电压，他就导通 NPN三级管 NPN三极管导通条件 1、Ib大约为1mA左右 2、Vbe>0.7V（因此设计时，需保证Vbe>0.7V，这个是导通条件）；但三极管导通时Vbe = 0.7V左右 就好像对于二极管，如果想让它导通，就要保证其两端压差高于0.7V (只要高于0.7V 你设计成5V 10V 都可以)，但二极管一旦导通，其两端电压就是0.7V 有些绕；一个是条件、一个是特征； 考虑点： 电阻R9的作用：用于设置Ib的大小（我们假设当NPN导通时，此时Vb=0.7V,因此流过R9的电流约为（5-0.7）/4=1mA左右） R11的作用： （1）如果没有R11、假设开关信号断开，三级管的b极就悬空；此时其属于高阻态（不确定状态），极易受到外部的高压静电、雷击、外部干扰信号的影响；导致三极管误导通和击穿损坏； （2）由于工艺的原因的原因，三极管的三个极之间都存在寄生电容；当三极管关断的时候，电容CBE可以通过R11更快速的放电，加快三极管关断速度（使得其工作在放大区的时间减小） R11阻值的选择： （1）必须要保证R11与R9在b极的分压安全的大于0.7V,管子才能导通（如果不能导通，其他的分析还有啥意义） （2）如果R11过大，会导致三极管关断时间变慢 （3）R11在满足分压要求的条件下如果阻值过小，会导致功耗变大（0.7V/R11） （4）据其他工程师的经验，R11选2K(个人觉得，这个值一定要满足第一个条件，在其左右就可以了) 对于以上四个条件，你要先保证条件（1），如果功能都不能实现，还在讲性能？？？ 总结： (1):三极管开关电路设计的思路是一种 假设成真的设计方法：就是我按照其完全导通的时候选择各种参数，而不是我先选参数后判断其是否导通 (2):对于R9和R11的分压要满足Vbe大于0.7V（比如这个图中设计的Vb=5*(2/6)=1.6V）但为什么实测出来是0.7V而不是1.6V 这是因为be间的特性很像一个二极管，只要其压差大于0.7V 其压差就是0.7V(有点绕，哈哈哈哈）以前这个问题困扰我这个小白 因此你要做的就是保证其大于0.7V；
这个电控界的MOS管，但想让它听话，还得靠驱动电路！整理了 4 种常用方案： 直接驱动：使用微控制器或逻辑门直接连接MOS管的栅极。 推挽驱动：采用NPN和PNP三极管（或NMOS/PMOS）组成推挽结构，分别负责快速充放电栅极电容。 隔离驱动：通过光耦传递信号或变压器磁耦合，实现电气隔离，适合高压场合。 专用驱动芯片：集成推挽输出、电平转换、死区控制等功能。 关键设计考虑 栅极电阻：调节开关速度，平衡EMI与损耗。 布局布线：减少寄生电感，防止振荡和电压尖峰。 保护电路：加入TVS二极管或稳压管防止过压。 总而言之：选择合适的驱动电路需综合考虑功率等级、开关频率、隔离需求及成本等因素，确保MOS管高效可靠工作。 驱动电路分类 直接驱动 原理:使用微控制器或逻辑门直接连接MOS管的栅极。 优点:结构简单，成本低。 缺点:驱动电流有限，可能导致开关速度慢、 损耗大适用场景:低功率、低频率应用，如小信号开关。 推挽驱动 原理:采用NPN和PNP三极管(或NMOS/PMOS)组成推挽结构，分别负责快速充 放电栅极电容。优点:提升开关速度，减少损耗，驱动能力强 缺点:驱动电流受限于三极管或MOS管的参数，大功率场景需额外优化。 应用:中等功率开关电路，如电机控制。 隔离驱动 光耦隔离:通过光耦传递信号，实现电气隔离， 变压器隔离:利用磁耦合传递能量，支持高频应用，需注意磁芯饱和问题。 优点:电气隔离，安全性高。 缺点:光耦传输延迟较大，不适用于高频开关，磁芯变压器占用PCB面积，难以小型化。应用:逆变器、离线电源等高压系统。 专用驱动芯片 原理:集成推挽输出、电平转换、死区控制等 功能。优点:简化设计，提供高驱动电流和保护功能。 缺点:不同芯片支持的电压范围、死区时间配置可能受限，需匹配需求。 应用:半桥/全桥拓扑、大功率开关场景。
以STM32参考手册中的GPIO输出配置图为例： 看到输出驱动器虚线框中的内容，输出驱动器中的P-MOS和N-MOS两个MOS管就是实现推挽输出和开漏输出的关键。推挽输出模式下，P-MOS和N-MOS都正常工作，开漏输出模式下，只有下面的N-MOS工作，上面的P-MOS不工作。 注意：GPIO在输出模式下没有上拉下拉配置。 推挽输出（Push-Pull Output） 推挽输出的结构是由两个三极管或者MOS管受到互补信号的控制，两个管子始终保持一个处于截止，另一个处于导通的状态。电路工作时，两只对称的开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力，又提高开关速度。如图1所示： 图1 推挽输出结构推挽输出的最大特点是可以真正能真正的输出高电平和低电平，在两种电平下都具有驱动能力。 补充说明：所谓的驱动能力，就是指输出电流的能力。对于驱动大负载（即负载内阻越小，负载越大）时，例如IO输出为5V，驱动的负载内阻为10ohm，于是根据欧姆定律可以正常情况下负载上的电流为0.5A（推算出功率为2.5W）。显然一般的IO不可能有这么大的驱动能力，也就是没有办法输出这么大的电流。于是造成的结果就是输出电压会被拉下来，达不到标称的5V。当然如果只是数字信号的传递，下一级的输入阻抗理论上最好是高阻，也就是只需要传电压，基本没有电流，也就没有功率，于是就不需要很大的驱动能力。对于推挽输出，输出高、低电平时电流的流向如图 2所示。所以相比于后面介绍的开漏输出，输出高电平时的驱动能力强很多。 图2 灌电流与拉电流 但推挽输出的一个缺点是，如果当两个或多个推挽输出结构的GPIO相连在一起，一个输出高电平，即上面的MOS导通，下面的MOS闭合时；同时另一个输出低电平，即上面的MOS闭合，下面的MOS导通时。电流会从第一个引脚的VCC通过上端MOS再经过第二个引脚的下端MOS直接流向GND。整个通路上电阻很小，相当于发生短路，进而可能造成端口的损害。这也是为什么推挽输出不能实现" 线与"的原因。 开漏输出（Open Drain Output） 常说的与推挽输出相对的就是开漏输出，对于开漏输出和推挽输出的区别最普遍的说法就是开漏输出无法真正输出高电平，即高电平时没有驱动能力，需要借助外部上拉电阻完成对外驱动。下面就从内部结构和原理上说明为什么开漏输出输出高电平时没有驱动能力，以及进一步比较与推挽输出的区别。首先需要介绍一些开漏输出和开集输出。这两种输出的原理和特性基本是类似的，区别在于一个是使用MOS管，其中的"漏"指的就是MOS管的漏极；另一个使用三极管，其中的"集"指的就是MOS三极管的集电极。这两者其实都是和推挽输出相对应的输出模式，由于使用MOS管的情况较多，很多时候就用"开漏输出"这个词代替了开漏输出和开集输出。介绍就先从开集输出开始，其原理电路结如图 3所示。 图3 OC开集图 3左边的电路是开集（OC）输出最基本的电路，当输入为高电平时，NPN三极管导通，Output被拉到GND，输出为低电平；当输入为低电平时，NPN三极管闭合，Output相当于开路（输出高阻）。高电平时输出高阻（高阻、三态以及floating说的都是一个意思），此时对外没有任何的驱动能力。这就是开漏和开集输出最大的特点，如何利用该特点完成各种功能稍后介绍。这个电路虽然完成了开集输出的功能，但是会出现input为高，输出为低；input为低，输出为高的情况。图 3右边的电路中多使用了一个三极管完成了"反相"。当输入为高电平时，第一个三极管导通，此时第二个三极管的输入端会被拉到GND，于是第二个三极管闭合，输出高阻；当输入为低电平时，第一个三极管闭合，此时第二个三极管的输入端会被上拉电阻拉到高电平，于是第二个三极管导通，输出被拉到GND。这样，这个电路的输入与输出是同相的了。接下来介绍开漏输出的电路，如图 4所示。原理与开集输出基本相同，只是将三极管换成了MOS而已。**图4的开漏输出电路相当于图3中的右图。**MOS管不会导致电平反相。 图4 OD开漏 接着说说开漏、开集输出的特点以及应用，由于两者相似，后文中若无特殊说明，则用开漏表示开漏和开集输出电路。开漏输出最主要的特性就是高电平没有驱动能力，需要借助外部上拉电阻才能真正输出高电平，其电路如图 5所示。 图5 OD门上拉 当MOS管闭合时，开漏输出电路输出高电平，且连接着负载时，电流流向是从外部电源，流经上拉电阻RPU，流进负载，最后进入GND。开漏输出的这一特性一个明显的优势就是可以很方便的调节输出的电平，因为输出电平完全由上拉电阻连接的电源电平决定。所以在需要进行电平转换的地方，非常适合使用开漏输出。 开漏输出的这一特性另一个好处在于可以实现"线与"功能，所谓的"线与"指的是多个信号线直接连接在一起，只有当所有信号全部为高电平时，合在一起的总线为高电平；只要有任意一个或者多个信号为低电平，则总线为低电平。而推挽输出就不行，如果高电平和低电平连在一起，会出现短路电流倒灌，损坏器件。 总结 开漏形式的电路有以下几个特点：1、利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。2、一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果需要同时具备输出高电平的功能，则需要接上拉电阻，很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压，便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。（上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大，速度越低功耗越小，所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。） 比如STM32用3.3V供电，将GPIO设置为开漏输出模式，同时引脚外部接上拉电阻到5V，则高电平时可以拉到5V，不需要接特殊的电平转换电路或芯片，即用一个电阻实现了3.3V转5V，当然上升沿速度受电阻大小影响。（理论成立，没有进行验证）3、OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出。4、可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。 补充：什么是“线与”？： 在一个结点(线)上， 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D， 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上， 只要有一个晶体管饱和， 这个结点(线)就被拉到地线电平上。 因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS)，晶体管就会饱和， 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 NOR 逻辑。 如果这个结点后面加一个反相器， 就是或 OR 逻辑。其实可以简单的理解为：在所有引脚连在一起时，外接一上拉电阻，如果有一个引脚输出为逻辑0，相当于接地，与之并联的回路“相当于被一根导线短路”，所以外电路逻辑电平便为0，只有都为高电平时，与的结果才为逻辑1。关于准双向IO，实际上结构类似于开漏输出，只不过是把上拉电阻集成到了单片机内部。（跟开漏输出有点关系，顺带放这） 如51单片机的P1 ~ P3端口 用。
整流器是重要设备之一，因为构件的不同，目前市场上具备各种类型的整流器，如二极管整流器和晶闸管整流器。在本文中，小编将对这两种整流器进行介绍。此外，小编还将为大家介绍检测电子整流器的步骤。如果你对整流...
三极管优点：耐压高；缺点：电流驱动 MOS管优点：开关速度快，电压驱动 一、一键开关机电路（小鱼冠名） （知识点不多，但是电路设计很巧妙） 1.1效果 按下按键松开→ 再次按下按键松开→ 1.2电路过程及原理 1.2.1上电，开关断开 上电时，开关断开→通过，给电容充电→电容上方电压达到→三极管基级电压为0→三极管断开→MOS管栅极电压为→不小于负的→MOS管关断→ 1.2.2按下开关 电容电压为→三极管基级电压为，三极管导通；同时通过放电→MOS管栅极经三极管导通至地，MOS管栅极电压为0→小于负的→MOS管导通→，电路处于开机状态。 1.2.3松开按键 当电容电压放电到等于三极管BE之间的开启电压，约0.7v时，三极管饱和导通电流由通过提供，三极管一直开启。这时即使松开按键，电路仍处于开机状态。 三极管导通时，集电极的电压约0，所以电容的电压也会接近于0。 1.2.4再次按下按键 按下按键→电容上端电压为0，三极管基级电压为0→三极管断开，MOS管栅极电压为→MOS管关闭→ 其中，由于电阻选取的非常大，使不能通过，使三极管导通，而且电容的电压也不能升高。 1.2.5松开按键 松开按键，通过，给电容充电→电容上方电压达到，再次按下按键后，电路又处于开机状态。 1.3器件参数 输入电压3~6v，器件参数可以参考下面的数值。 1.4电路缺点 当输出端连接的负载电容比较大时，容易出现MOS管关不断的情况。可以在输出端对地接一个几百欧的限流电阻，原因如上。 1.5陈氏总结 纵观整个电路过程：开关控制电容，电容控制三极管，三极管控制MOS管。 二、延时开关电路 （本电路知识很基础，但是讲解过程非常联系单片机实际情况） 2.1效果 配合单片机程序实现长按两秒开关机，短暂按下松开其他需要的功能。 2.2电路说明 =单片机上电电压=3.3V 单片机输出口：单片机写信号 单片机输入口：给单片机信号 的作用：反馈给单片机开关S1按下与否的状态。 D4上拉电阻接到3.3v，即单片机的一直是高电平，除非按下按键，D4就导通将拉低到0.7V。由于口写程序的时候，有上下限，例如在1v以下都是低电平，2.5v以上都是高电平（模数转换）。 2.3电路过程及原理 2.3.1按下和松开开关 按下开关后，电流通过→R15→D5→S1→GND将G点电压下拉为二极管的管压降0.3v。，MOS管导通，很小，单片机上电。接受开关关闭的信号后，单片机将设置成高电平，此时由于Q9导通，无论开关是按下还是没有按下，MOS管始终导通。 类比上一个电路，该电路此时如果误操作了开关也没有事，由处的高电平来保证单片机上电，不像上一个电路利用不太可靠的电容充放电。 2.3.2延时两秒开关机 利用对开关的监视功能，开/关机时开关闭合两秒，单片机系统做亮屏/息屏、接通/断开传感器、设置高/低电平等动作，松开按钮彻底开/关机。监视下还可以编写短暂开关键的其他作用，达到长按两秒开关机，按一下就松开是其他功能。 三、与门电路（跟我学电脑冠名） （本电路十分简单，但是别出心裁的使用方法） 3.1效果 两个三极管都给高电平导通才可以驱动MOS管，输出才有电压。 四、H冠名 4.1效果 该电路和二中的电路有异曲同工之妙。 该电路可以实现软开启功能，增加一个电容（C1），一个电阻（R2）。 软开启，是指电源缓慢开启，以限制电源启动时的浪涌电流。 4.2电路过程及原理 4.2.1不上电且Control 为低电平或高阻 控制电源开关的输入信号Control 为低电平或高阻时→三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平→Q2不导通→MOS管Q1的Vgs = 0（电源没上电）→MOS管Q1不导通→+5V_OUT 无输出。 电阻R4是为了在 Control 为高阻时，将三极管Q2的基极固定在低电平，不让其浮空。 4.2.2刚上电且Control 为低电平或高阻（实现软启动） 当电源 +5V_IN 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 Control 仍为低电平或高阻，即关闭三极管Q2，从而关闭MOS管Q1。 因 +5V_IN 还不稳定，不能将电源打开向后级电路输出。 电源 +5V_IN 上电完成后，MOS管G极与S极两端均为5V，仍然Vgs = 0。 电容上没有充电。 4.2.3上电完成且Control 为高电平 ①三极管Q2的基极为0.7V，可算出基极电流Ibe为： （3.3V - 0.7V） / 基极电阻R3 = 0.26mA ②三级管Q2饱和导通，Vce ≈ 0。电容C1通过电阻R2充电（现在由于三极管可以导地了），即C1与G极相连端的电压由5V缓慢下降到0V，导致Vgs电压逐渐增大。 ③MOS管Q1的Vgs缓慢增大，令其缓慢打开直至完全打开。最终Vgs = -5V。 ④利用电容C1的充电时间实现了MOS管Q1的缓慢打开（导通），实现了软开启的功能。 4.2.4上电完成且Control 为低电平 电源完全打开后，+5V_OUT 输出为5V电压。 此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。软关闭一般不是我们想要的，过慢地关闭电源，可能出现系统不稳定等异常。
最近对MOS管的驱动设计进行相关思考和仿真，这里将一些感悟写出来，仅供记录。 使用分立器件搭建MOS驱动的话，一般会使用互补的三极管搭建图腾柱电路，但是为什么会是图腾柱的结构不是半桥的结构呢？又为什么是要用三极管呢？用MOS管不可以吗？因为这些思考，便开始了一些仿真和实验。 首先，下图是经典的图腾柱结构，这个电路是可以正常驱动MOS的。 但是，这个电路存在一些不足之处，比如输出的电压总是不能到电源轨，会差一个VBE的结压降（个人认为是VBE，有些文章写的是CE结压降，但是我认为这里是电压跟随器形式，输出跟随B极电压），大约是0.7V左右，虽然存在这个问题，但是拿来驱动MOS是没问题的，因为MOS也是有一个开启电压的，但是用着总是不太舒服。同时注意这里的三极管一般选取大电流、高放大倍数的，最好是开关三极管。 由于输出受限，所以就引发了我的思考，下面是使用MOS搭建的类似电路。 首先要明确的是，上面电路基本不能正常工作。因为这样也基本是电压跟随的形式，但是输出会与输入有一个MOS开启电压的差距，显然比三极管大多了。由此导致后级的功率MOS更不能正常工作了。 然后又搭建了下面两种半桥结构的电路。 上面两种电路都勉强可以工作，但是会存在驱动管上下直通的问题，导致驱动管有直通电流会引起较大的损耗，解决的办法最好是加入死区控制。但是死区电路较为复杂且难以使用分立元件很好匹配，所以经过试验之后，引出了上面使用MOS搭建的电路，上面将MOS驱动的充放电电路使用二极管区分开来，并且使用RC对MOS的开启信号进行简单延时。效果仿真还是基本可以的，但是在输入频率变化的时候可能会影响效果，比如在LLC电路中不一定能应用。这种MOS半桥电路在有些驱动芯片的数据手册上面见到过，可能使用集成电路工艺可以实现更好的死区匹配以实现这种方式。 至于上面的三极管半桥方案，因为三极管是电流驱动器件，可以用基极电流限制最大电流，也可以利用电阻或电感减缓直通的损耗，但是不建议这样用，没太大必要，驱动MOS的话直接用三极管搭建图腾柱电路就可以实现很好的效果了。 至于死区电路，有下面的仿真。本来我想把下面电路应用，但是发现MOS的电平匹配也比较麻烦，所以就以失败暂时告终了。后面再想办法处理吧。 上面电路核心就是利用与门将原始信号和经过延时后的信号求与逻辑，可以延迟上升沿信号。同样，可以使用或门来对下降沿信号进行延迟。将设计一个小板子用来实现单独PWM信号的死区生成。
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