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    在我们的日常使用中,MOS就是个纯粹的电子开关,虽然MOS管也有放大作用,但是几乎用不到,只用它的开关作用,一般的电机驱动,开关电源,逆变器等大功率设备,全部使用MOS管作为电子开关,使用起来比较方便,简单粗暴,经常用到的只有N沟道的MOS管,并且也针对PMOS讲解,并对比三极管跟mos管的区别。 目录 NMOS管的基础认识 NMOS工作条件 NMOS的等效电路及驱动方法 PMOS的等效电路及驱动方法 三极管和mos管的区别 MOS管选型 MOS管封装 MOS容易忽视的参数-Cgs NMOS管的基础认识 如下图所示,简单的电路图,如引脚输出HIGH电平时,NMOS就等效为闭合的开关。 以上就是最经典的用法,实现了io口,来控制功率器件,因此如下图所示,也就是栅极施加电压,即可导通。 NMOS工作条件 (导通条件):Ugs大于Ugs(th)阈值电压 性质: 1、MOS导通后,相当于开关闭合,压降几乎为0 2、虽然导通压降几乎为0,但是会有一个内阻RDSon 3、GS极之间是一个电容,只有电容充满电后MOS才会导通 4、一般的MOS管DS极之间会自带一个肖特基二极管,MOS由于自身结构会有一个寄生二极管,有的厂家生产时,会故意把这个二极管做大,增强MOS的性能 5、想要让MOS管截至(断开),只要取消掉G极电压即可,但是要注意,必须想办法给GS间那个电容放电! G :栅极 D :漏极 S  :源极 与三极管不同,MOS管为电压型驱动方式,小电压控制大电压。 状态1: 单片机输出低电平,Q22截至,A点为高电平, 电流方向如图所示,Q20导通,Q23截至,B为高电平 MOS导通,电机转动。 状态2: 单片机输出高电平,Q22导通,A点为低电平, 电流方向如图所示,Q20截至,Q23导通,B为低电平 MOS关断,电机的自感电流流过D7。 。 NMOS的等效电路及驱动方法 可以看成是一个电压控制的电阻,电压就是GS两端的电压差,电阻就指的是DS之间的电阻了,这个电阻的大小呢,会随着gs的电压的变化而产生变化,但是值得注意的是,他们不是线性对应的关系,实际的关系如下所示: 上述的关系图,本质就是当当gs的电压小于一个特定值的时候,电阻基本就是无穷大的,你也可以看成开关断开嘛,断路,当电压值大于特定值的时候,电阻就无限趋近于0,也就是理解成开关闭合,至于说等于这个值的时候会怎么样,这个临界的电压值,我们称之为Vgsth,也就是打开nmos所需要的gs电压了,并且这是每一个nmos的固有属性,我们可以在nmos的数据手册里面找到它,显然Vgsth应该小于高电平的电压值,否则nmos当然也不会正常打开了,因此在你硬件选型的时候,你也需要注意这个点了。 PMOS的等效电路及驱动方法 如下为PMOS与NMOS的结构图如下: 因此PMOS跟NMOS的驱动能力也是相反的,如下图可见,值得注意的是两个mos管的位置。 因此一般对于灯泡、电机这种无源功率器件,我们可以用nmos,如果是有源例如芯片,我们可以用pmos来控制,如下所示: 三极管和mos管的区别 三极管和MOS管(场效应管)都是常见的电子元件,用于放大和开关电路,但它们在结构、工作原理、特性和应用方面有显著差异: 1. 结构与基本原理 三极管:三极管是电流控制型器件,由发射极、基极和集电极组成。其工作原理是通过控制基极电流来调节发射极与集电极之间的电流。 MOS管:MOS管是电压控制型器件,通常分为N沟道和P沟道两种,主要由源极、漏极和栅极构成。它通过栅极电压来控制源极与漏极之间的电流,栅极与其他电极之间有氧化层隔离,基本没有直流电流流入。 2. 控制方式 三极管:需要基极电流来控制集电极电流,因此输入端存在一定的电流损耗。 MOS管:用栅极电压控制,没有电流损耗(栅极电流极小),输入阻抗很高,非常适合高输入阻抗的电路应用。 3. 驱动电压与电流 三极管:一般需要0.6V左右的基极-发射极电压(V_BE)来导通。驱动电流相对较大,驱动能力较强。 MOS管:一般需要较高的栅极-源极电压(V_GS)来开启,对于N沟道常用10V或更高的电压,逻辑电平的MOS管可以使用5V或3.3V来开启。 4. 开关速度 三极管:开关速度较慢,特别是在高频应用中,开关损耗较大。 MOS管:开关速度较快,尤其适合高速开关应用,因此常用于数字电路、功率电子电路中。 5. 功率和效率 三极管:在大功率应用中,开关效率较低,容易发热。 MOS管:导通电阻低,效率较高,适合大电流、大功率应用,且散热相对较好。 6. 应用 三极管:常用于低功率信号放大、音频放大、信号处理等场合,如音响和小功率电源等。 MOS管:常用于开关电源、电动机控制、高频变换等功率电子电路,尤其在功率放大、数字电路、驱动电路中应用广泛。 MOS管选型 参数: DS间耐压、Id(最大工作电流)、RDS(on)(内阻)、Qgs(栅极电荷)、体二极管压降,电流,反向恢复时间。 MOS管封装 贴片:SOT-23 < SOT-89 < TO-252 < TO-263 < QFN 直插:TO-92 < TO-126 < TO-220 < TO-247 长成集成电路芯片模样的:SOP-8、SOIC-8 MOS容易忽视的参数-Cgs Cgs就是g跟s之间的寄生电容了,如下所示: 这个Cgs会影响nmos的打开速度,因为加载到gate端的电压,首先要给这个电容充电,这就导致了gs的电压,并不能一下子就到达给定的值,现象也就是下述的图像了,因此这个对高速PWM波是致命的,如果当pwm接近这个爬升波形时,此时就会失真。

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    输入传感器被归类为有源或无源。无源传感器,如热电偶或光电二极管(在电压输出模式下),是双端口设备,可以直接将物理能转换为电能,产生输出信号而不需要励源。有源传感器(如一般的有源电路)需要外部激励源。电阻式传感器(如热敏电阻、电阻温度检测器、

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  • 一个N-MOS管和P-MOS管驱动应用实例

    MOS管在电路设计中是比较常见的,按照驱动方式来分的话,有两种,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三极管的驱动方式有点类似,但又不完全相同,那么今天笔者将会给大家简单介绍一下N-MOS管和P-MOS管的工作原理,并结合自己实际的应用来给大家分享一下如何来驱动N-MOS管和P-MOS管。 首先,我们先来看一下N-MOS管和P-MOS管分别在电路中的电气符号: 咋一看上面两个电气符号,似乎非常的相似,可能让很多人都有点傻傻分不清楚。那么,在我们看到电路中出现这些符号的时候,我们要怎么知道究竟是N-MOS管还是P-MOS管呢? 在判断是N-MOS管还是P-MOS管之前,我们先来学会认识MOS管符号上的三个引脚,究竟哪个引脚是G(基)极、S(源)极和D(漏)极吧,请看下图: G(基)极的话,还是很容易区分的,就不用多说什么了,比较难区分的基本就是S(源)极和D(漏)极了,那么,我只需要记住:无论是N-MOS管还是P-MOS管,两根线相交的就是S(源)极了,剩下的一个单独引线的那边,就是D(漏)极了。 接下来,我们就要来区分究竟哪个是N-MOS,哪个是P-MOS了,同样 ,我们这里只需要看箭头的方向,并且记住:箭头指向G极的是N-MOS管,箭头背向G极的是P-MOS管。 通过了解MOS的相关知识,我们还得到一个知识点,那就是:MOS在制造过程中,会自动形成一个PN结,也就是我们常说的MOS管的“寄生二极管”。那么这个寄生二极管的方向如何判断呢?同样,我们记住这两句话就好了:N-MOS管,寄生二极管的方向是由S极指向D极;P-MOS管,寄生二极管的方向是由D极指向S极。如下图所示: 关于寄生二极管的方向,还有一种比较简单的记法,那就是:想象DS边的三节断续线是联通的,不论是N-MOS管还是P-MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的,即,要么都由S指向D,要么都由D指向S。 当然咯,前面这些”科普知识”,基本都是来源于教材,大家只要是认真学习过MOS管相关知识的话,相信对MOS管的认识一定会比笔者这里介绍的更深刻。那么,MOS管经常在电路中作为开关来使用,我们该怎么控制呢? 对于N-MOS管来说,它导通条件就是:G极与S极中间的电压差超过阈值时,D极和S极导通。在实际应用中,一般是将控制信号接到G极,S极则直接接在GND上,从而达到控制N-MOS管的开和关的效果,在D极和S极导通后,导通电阻Rds很小,一般都是几十毫欧级别,因此,电流导通后,形成的压降也是很小的。下面这个电路,就是笔者实际应用中用来控制一个小风扇开关的电路,电路中就是使用的N-MOS管来控制风扇的负极,来实现风扇的开和关的效果。 控制端G极接的是一个3.3V单片机的IO口: 当单片机IO口输出高电平时,MOS管的G极电压高于S极将近3.3V,此时N-MOS管AO3400A的D极和S极导通。 当单片机IO口输出低电平时,MOS管的G极电压也几乎为0V(GND电压),此时N-MOS管AO3400A的D极和S极断开。 在实际应用中,对于电压比较高的电路,尤其是高于人体安全电压36V的电路中,往往会用MOS管来控制负载的正极而不是负极,似乎这样会更安全一些?或许就跟我们的日常家用电器中,大部分是控制火线的通断来实现对负载的控制道理是一样的吧。控制电源的正极通断,我们一般是用P-MOS管来实现,那么P-MOS又该怎么驱动呢? 其实P-MOS管的驱动跟N-MOS管也是有点类似的,P-MOS管的导通条件是:G极与S极中间的电压差低于阈值时,S极和D极导通。 虽然P-MOS管的驱动原理跟N-MOS管比较类似,但是,两者之间的驱动电路还是有点差异的,同样以单片机IO口控制为例,当P-MOS管的S极与D极电压差异过大时,就不能直接用单片机IO口来控制了,比如,P-MOS管的S极接的是12V电压,那么: 当单片机IO口输出高电平时,P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-9.7V; 当单片机IO口输出低电平时,P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-12V; 那么,此时对于大部分P-MOS管来说,都是导通的,实现不了关断的功能。当然,对于S极接3.3V的电压的话,是不会有什么影响的。但是,为了能适应更多的应用场合,我们必须得考虑这个问题,因此笔者通过对驱动电路的改进,得到了下面这个电路: 这个电路是笔者用来控制制冷片制冷的电路,用了一个N-MOS管和一个P-MOS管来实现,当然,电路中的N-MOS管也用三极管来替代,甚至P-MOS管WSF70P03的G极也可以通过电阻分压的方式来实现驱动。 但是,笔者之前说了,为了通用性,这里还是选择N-MOS管或者三极管来作为前级驱动比较合适。这个电路的工作原理也很简单,关于N-MOS管AO3400A的通断笔者就不再多说了。当AO3400A导通后,会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压变成接近GND的电压,从而使得它的S极和G极的电压差增大为接近12V,从而使得WSP70P03的S极和D极导通。 同理,当AO3400A关断后,会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压在上拉电阻的作用下上拉至12V,从而使得它的S极和G极的电压差几乎为0V,从而使得WSP70P03的S极和D极关断。 好了,关于N-MOS管和P-MOS管的原理以及基本应用笔者就简单介绍到这里了,笔者相信,通过这两个实例,大家对MOS的驱动会有更加深刻的认识,在以后的应用中,就可以针对负载特性,来选择合适的MOS管驱动了。

    05-27 339浏览
  • 嵌入式-数模电-MOS管经典知识汇总

    目录 一:快速了解 1.看箭头快速辨认NMOS和PMOS 2.电流方向和寄生二极管方向相反 3.NMOS和PMOS区别 4.工作中最便宜最好用的贴片三极管-2N7002 5.用万用表快速检测mos管 二:带着第二节的问题从三四节找答案 三:电路符号 四:实物 五:答案 一:快速了解 1.看箭头快速辨认NMOS和PMOS 箭头朝里,里-你-n-NMOS 2.电流方向和寄生二极管方向相反 3.NMOS和PMOS区别 作用、常用接法、导通条件和截止条件 示例① NMOS作用:信号切换(开关) 常用接法: S极接地,US=0V 截止条件:UG=US=0V。 导通条件: UG比US大3V—5V即可,UG=3V。简单来说NMOS管G极电平高电平导通。 示例② NMOS作用:电压通断(开关) 常用接法: D极接输入,UD=5V,S极接输出。 截止条件:UG=US=0V。 导通条件: UG比US大10V以上,UG=Us+10V=15V。(导通时,Us=5V) (不太严谨的记法:NMOS管G极高电平导通,和输出端S极比较) 示例③ PMOS作用:电压通断(开关) 常用接法: S极接输入,Us=19v。 D极接输出。 截止条件:UG=US=0V。 导通条件: UG比US小10V以上,UG=Us-13v=6V。 (不太严谨的记法:PMOS管G极低电平导通,和输出端D极比较) 推荐文章《硬件-经典开机电路》 4.工作中最便宜最好用的贴片三极管-2N7002 常见的3PIN脚MOS管(SOT-23) 5.用万用表快速检测mos管 万用表二极管(蜂鸣器)档 二:带着第二节的问题从三四节找答案 三:电路符号 四:实物 mos管常用有8脚、6脚、3脚。 五:答案 以上,完,欢迎评论区补充

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