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影响功率半导体器件用硅外延片清洗质量的因素

薛宏伟周晓龙刘永刚（河北普兴电子科技股份有限公司）摘要：硅外延片非常适合且已经被广泛用作制备功率半导体器件，但其供给远远不能满足市场需求。硅外延片清洗后，可能会造成表面有机物、颗粒、金属污染物和水痕残留，直接影响到功率半导体器件用晶圆加工过程的稳定性和加工产品的最终良率。从人机料法环等环节，分析了这些影响因素的来源和实际生产过程中使用的方法。利用新型清洗技术，可以减少传统清洗工艺对环境的影响。根据清洗机和工艺的实际情况，及时发现和解决清洗遇到的问题，才能保证清洗质量稳定在较高的水平，满足晶圆加工厂家的要求。0 引言功率半导体器件是电力电子行业应用非常广泛的基础元器件。随着人类文明和时代的进步，新能源、物联网、高铁、变频家电等领域的新兴需求日益增长，驱动着功率半导体器件的研制和应用水平水涨船高。中国是全球最大的功率半导体器件消费国家，功率半导体器件细分的主要几大产品如 IGBT、MOSFET 等，供给远远不能满足市场需求。硅是半导体行业最主要的基础材料，与晶体原生缺陷富集的硅抛光片相比，硅外延片表面的外延层中氧含量也更低，更适合并且已经被广泛用作制备功率半导体器件。清洗作为半导体产业中的一环，其重要性已经越来越被人们所认知。硅外延片清洗质量的好坏，直接影响到后续晶圆加工过程的稳定性和加工产品的最终良率，因此行业持续对清洗后的硅外延片表面质量提出了越来越高的要求。如何更有效地去除硅外延片表面的有机物、颗粒、金属污染物和粒状水痕，已经成为硅外延片生产厂家共同面临的一个重要课题。1 影响因素分析硅外延片清洗普遍采用 RCA 法，利用去离子水和化学液，加以兆声、甩干和加热等方式，将外延片表面的外来沾污去除。但是清洗过程中，如果在人、机、料、法、环等环节处理不当，可能就会造成表面残留有机物、颗粒、金属污染物和水痕等影响功率半导体器件制造过程和制造良率的不佳因素。比如，颗粒的粒径和数量直接影响晶圆加工后的成品率，金属会造成少数载流子寿命缩短等问题。为了使清洗后的外延片能满足下游功率半导体器件厂家的要求，需要对这些因素的来源进行分析，并对这些因素在人、机、料、法、环等环节中造成的问题进行规避，提高清洗质量。1.1 有机物有机物沾污包括硅外延片表面的碳和以成键的形式与硅结合的碳。它的来源很广泛，如人的皮肤油脂、防锈油和润滑油以及蜡等。这些物质通常都会对加工进程带来不良的影响。另外，表面附着的有机物也会影响硅片表面沾污的清洗效率，阻止化学清洗达到预期效果。硅外延片表面的有机物去除通常会用到 SPM（H2SO4+H2O2+H2O）化学液，SPM 可以将有机物氧化生成 H2O 和 CO2。但是 SPM 化学液的过量使用对环境有不利的影响，因此氧化还原势更高的臭氧（O3）逐渐被人们用来去除有机物。针对有机物沾污，关键是加强对清洗过程中人为环节和清洗机设备的管控，对人为环节的管控包括清洗全程使用真空镊子等夹具和机械手持片等，对清洗机设备的管控包括机械部分使用的防锈油或润滑油绝对不能造成清洗机台面和清洗槽的沾污等，同时清洗机所使用的化学液要单独存放，不能与任何有机物混放。通过以上管控措施，即使不特别使用 SPM化学液或臭氧清洗，也不会造成有机物对清洗过程的影响和最终有机物的残留。1.2 表面颗粒颗粒是硅外延片最常见的一种表面缺陷，不仅会直接带来器件的失效，还会破坏布线的完整性，解决好颗粒问题是提高外延成品率的关键。硅外延片表面上的颗粒，有的是在衬底上就存在，“开盒即用”长完外延后，可能就会在原有的颗粒位置上出现点状的颗粒；有的是在外延过程中或生长结束后，由于反应腔室的环境引入的颗粒，造成外延片表面出现大小不一的颗粒；还有的是在外延片测试、存放、运输等过程中增加的颗粒。在应用广泛的湿法清洗环节中的SC1（或 APM ：NH4OH+H2O2+H2O）化学液主要是用来去除外延过程结束后附着在硅外延片表面颗粒的，兆声是靠化学液清洗槽下方的振板产生的，声波在液态介质中传播产生非周期性声波流并作用在硅外延片表面，使得表面附着的滞留层厚度减小，从而使 SC1 化学液清洗不掉的粒径较小的颗粒更容易被声波流去除，然后被化学清洗液带走，达到增加清洗效果的目的。SC1 化学液的浓度（特别是 NH4OH 的浓度）和温度同样会影响去表面颗粒的效果，SC1 的浓度和温度过低，会降低化学液去颗粒的能力，但浓度和温度过高，又会加速化学液的挥发并且影响硅外延片表面的粗糙度，因此为了达到平衡，可以利用化学液补液系统进行补液，补液量范围可以控制在 100~200 ml/h，另外还可以在石英槽上部进行遮盖减少挥发。为了进一步减少洗后的表面颗粒，可以采用以下途径：增加预清洗步骤，增加 SC1 化学液清洗槽，增加兆声功率、循环化学液等手段；提高石英槽内花篮材质的硬度；提高清洗间、测试间和外延片存放环境的净化等级；提高清洗槽内的纯水和化学液的颗粒水平。利用上述方法，硅外延片可以做到清洗后40 nm 颗粒增加小于 30 个，6 英寸硅外延片表面 0.2 um颗粒小于 10 个，8 英寸硅外延片表面 0.2 um 颗粒小于20 个。利用相同来源的硅衬底在同一个外延设备上生长相同参数的外延片，清洗后使用相同测试菜单测试颗粒，利用 KLATencor 公司 Surfscan SP1 型颗粒测试仪测量 8英寸硅外延片表面颗粒水平，改善前，＞ 0.20 um 颗粒数量典型值超过 20 个，改善后，＞ 0.20 um 颗粒数量典型值能控制在 10 个左右，颗粒去除比例明显提升（见图 1）。1.3 金属污染物金属沾污会增加硅功率器件的漏电流密度，影响器件的稳定性，破坏器件的性能。如铁会减少少数载流子的寿命，钠会在氧化层中引起移动电荷，铜会在硅 - 二氧化硅界面形成富铜的沉淀破坏薄氧化层的完整性。硅外延片表面的金属可能是来源于衬底和化学液的原生沾污、清洗设备带来的系统沾污或环境引入的外来沾污等。通常应用 SC2（或 HPM ：HCl+H2O2+H2O）化学液来降低硅外延片表面的金属含量，但是 SC2 化学液结晶可能会增加洗后表面小直径颗粒的数量，可以用氢氟酸（HF）代替盐酸（HCl）或用 O3 配合 HF 替代 SC2化学液，也能很好地达到去金属的目的。一般晶圆加工厂家对 Na、Cu、Al、Fe 等主要金属，要求用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS，Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry）测得的含量最高不能大于 5×1010Atms/cm2。为了满足对金属含量更低的要求，可以使用更高等级的化学液，监控 SC2 化学液浓度并进行及时补液，增加 SC2 化学液浓度，定期清理 SC2 化学液槽，系统阀门和管路进行周期维护。采取这些降低金属含量水平的手段后，硅外延片经过清洗后，利用 Agilent 公司7900 ICP-MS 测试仪测量外延片表面主要元素含量可以持续稳定在不高于 1×1010 Atms/cm2 或者更低水平，利用 SEMILAB 公司 FAaST 210 型 SPV 测试仪测量外延片 Fe 离子平均浓度在 1010 cm-3 量级（表 2 和图2）。1.4 表面水痕水痕是因为干燥不充分，硅外延片表面的水形成水滴，与硅在水中氧化形成的二氧化硅（SiO2）进行反应，形成稳定的偏硅酸（H2SiO3）：2H2O+Si -> SiO2+4H+Si+O2 -> SiO2SiO2+H2O -> H2SiO3这些偏硅酸在清洗后的硅外延片表面表现为颗粒状水痕。由于水痕会影响刻蚀的完整性，引起区域性芯片失效，造成最终良率损失。经过湿法清洗后的硅外延片，通常采用以下两种技术进行干燥：表面张力干燥技术（Marangoni dry method）和旋转干燥技术（Rotagoni dry method），配合异丙醇蒸汽（IPA vapor）或红外干燥（IR dry），加强对硅外延片表面的干燥。由这两种技术可以组合出多种硅外延片的干燥方法，比如：在硅外延片从去离子水槽中进行慢提拉过程中，利用异丙醇与去离子水之间表面张力的不同（异丙醇表面张力小于去离子水），将异丙醇蒸汽吹向外延片表面，使得硅外延片表面的异丙醇浓度高于去离子水内的异丙醇浓度，较小的异丙醇表面张力将水从硅外延片表面移除；利用硅外延片在高速旋转时产生的离心力移除表面去离子水的同时，向硅外延片表面喷射异丙醇蒸汽，同样是利用异丙醇与去离子水之间表面张力的差异，加强干燥效果；将硅外延片从去离子水槽中进行慢提拉后，对硅外延片进行红外辐射，达到完全干燥的目的。2 清洗技术进展随着微电子产业技术的进步，硅外延片的直径越来越大，器件的结构和线宽越来越小，不仅仅对硅外延片的厚度和电阻率的均匀性要求越来越高，对硅外延片的表面状态特别是清洁程度的要求也越来越严苛。由美国无线公司开发的浸泡式 RCA 化学清洗工艺得到广泛应用，但是无法在一道清洗工序中同时实现对硅外延片表面的有机物、颗粒、金属污染物和粒状水痕高质量的去除。另外，工艺中会用到大量纯水，化学液本身会对硅外延片表面带来微粗糙度的影响，化学液的排放还会对环境造成不可逆的破坏和污染。为了减少传统清洗工艺对环境的影响，新型清洗技术的开发成为必然趋势。日本东北大学Ohmi 教授利用超净水溶解 O3 的强氧化性，可以带来更为平坦的氧化膜，还可以去除 C-H 键结合的有机物和金属。利用H2O2 的氧化作用和 HF 清洗液的强活性，可以使硅外延片表面氧化层上附着的金属同氧化层一同被溶解去除。将O3 和 HF 清洗液配合用到 RCA 标准清洗工艺中，可以减小对表面微粗糙度的影响，并提升清洗效果，配合单片清洗机的使用，还可以有效减少纯水和化学液的使用量。3 结语功率半导体器件用硅外延片清洗质量的高低，固然与清洗机的设计理念和部件配置有直接关系，但是设备因素只是人、机、料、法、环影响要素中的一个。RCA标准清洗工艺经过 30 余年的发展，已经演变出很多种新的工艺，而且每台清洗机的工艺都不会完全一样，也不会一成不变。在实际清洗过程中，还需要对操作者、设备保养、化学液浓度、工艺流程和清洗环境等环节进行标准化管理，遇到相关清洗问题（如本文提到的表面有机物、颗粒、金属污染物和粒状水痕去除效果变差）比例增加的情况，能够及时发现和解决，才能保证清洗质量维持在比较高的水平，从而满足晶圆加工厂家的需求。

01-03 42浏览
如何读懂电路原理图

要想看懂电路图，必须具备相关的专业知识，如果对这方面感兴趣的话可以自学。

2024-12-19 161浏览
PIC单片机与DC-DC转换器电路设计

一.实验目的 1. 认识电路板设计中的要素：元器件的类型（芯片、电阻、电容、电感、接插件等）、封装、安装方式，以及PCB设计、生产、验证等过程。 2. 认识原理图schematic中的元件符号、符号库、线、网络标签等；电路布板PCB Layout中的元件封装、封装库、布线、过孔、覆铜、层。 3. 掌握KiCad下载、安装和工作流程。 4.完成DC-DC转换电路的PCB layout。 5.掌握KiCad的第三方插件安装，能输出BOM文件。 6.掌握输出制造工艺要求的Gerber光绘文件。二.实验资源KiCad5.1.10软件（含Eeschema和Pcbnew工具）三.实验步骤1.PIC单片机电路(1) 根据KiCad指导书中的步骤绘制PIC单片机原理图(2) 进行连线，覆铜等操作 (3) 三维视图及物料表 2.sim卡座封装绘制阅读getting started in KiCad.pdf中第8章，KiCad的元件封装库，参照9.2数据手册中相关资料，完成元件7P自弹MICROSIM卡座的封装绘制。绘制结果如下： 3.DC-DC转换电路 (1)原理图绘制，使用给定的封装设置物料表： (2) 按照DC-DC电源PCB布局要点及布局板框和接口图，完成PCB布局布线 (3) 生成Gerber文件，(文件见工程压缩包) https://github.com/A-Y-1/HNU/tree/main/%E7%94%B5%E5%AD%90%E6%B5%8B%E8%AF%95%E5%B9%B3%E5%8F%B0/%E7%94%B5%E5%AD%90%E6%B5%8B%E8%AF%95%E5%B9%B3%E5%8F%B01四.实验总结1.通过实验熟悉了KidCad的使用，原理图的绘制，PCB布板的方法，物料表的生成，Gerber文件的生成，覆铜的方法等相关知识。2.通过实验完整的体验了电路设计及布板的流程，并学习了相关的方法和步骤3.认识了KidCad的元件库，封装库，和绘制元件符号的方法。4.完成了DC-DC原理图的绘制，了解了其电路工作原理。并完成了Gerber文件的生成以及通过嘉立创得到了样板，体会了自行设计电路的过程，解决了绘图和布线过程中的问题。5.布线需要清楚电路原理，并有耐心的进行覆铜，绘制等操作，才能完成合理，可用的电路布板。版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，原文链接：https://blog.csdn.net/Aaron503/article/details/125828091

2024-12-18 185浏览
为什么需要压敏电阻？

在电阻中，有一类特殊的存在，它就是压敏电阻，不同于一般都电阻，压敏电阻是一种典型的非线性电阻器件，它会在一定的电流电压范围内电阻值随电压而发生变化，当压敏电阻的两端电压低于阈值时，通过它的电流几乎为零，所以在电路设计过程中可不能把它当常规电阻使用。压敏电阻是防浪涌电路中常常会用到的一类电子元器件，其他的如TVS管，保险管，空气开关，TSS管等等都属于这类器件。压敏电阻英文全称Voltage Dependent Resistor，在电路中是以VR标识的，这个VR可不是VR眼镜。当然如果单看电路图的话，会发现有的压敏电阻的标识不是VR，而是标识成了MOV，那这又是为什么呢？这个就和压敏电阻的材质相关联了，目前市面上用的压敏电阻的材料一般是氧化锌（ZnO）为主体材料，然后再掺杂其他多种金属氧化物而组成，所以有点电路图中就会使用Metal Oxide Varistors金属氧化物压敏电阻来表示压敏电阻，而这个MOV就是这个英文首字母缩写，所以写成MOV也是没有问题的。压敏电阻不同于一般的电阻阻值可能在范围内不发生变化，主要的作用就是用来在电路有发生过压情况时进行电路保护电压钳位，吸收多余的电流从而保护后级电路。不过需要注意到的是，压敏电阻虽然可以吸收很大的浪涌能量，但是也是有限度的，它不能承受毫安级以上的持续电流，在电路需要应用压敏电阻时必须要考虑到这点。那么在使用压敏电阻时，有哪些参数是需要重点考虑的呢？压敏电压压敏电压（Varistor voltage）就是击穿电压、阈值电压，指的是在规定的直流电流流过压敏电阻时，压敏电阻两端的直流电压值，这个值大多数情况下都是在1mA直流电流流过压敏电阻时所测得的电压值。一般电压范围可在10~9000V之间，选型使用时根据实际情况进行选择。最大允许工作电压最大允许工作电压（Max.Allowable Voltage）指的是在环境温度25摄氏度下，允许连续施加在压敏电阻上的最大正弦电压的有效值或者直流工作电压。最大钳位电压最大钳位电压（Max.Clamping Voltage）指的是在标准脉冲电流波形下（8/20us）压敏电阻两端的最大电压。额定功率额定功率（Rated Power）指的是在环境温度25摄氏度下的最大允许平均功耗最大耐受的能量最大耐受的能量（Max.Energy）指的是使压敏电阻压敏电压波动±10%时的最大能量，测试电压为10/1000us（10us上升时间，1000us半峰值时间），也有的测试条件是8/20us 浪涌电流浪涌电流指的是施加规定的脉冲能量波形（如8/20us）的时候，压敏电阻的电气特性不会下降的最大电流。

2024-12-18 171浏览
最容易引发电路故障的元器件都有哪些？

01电容故障电容损坏引发的故障在电子设备中是最高的，其中尤其以电解电容的损坏最为常见。电容损坏表现为：容量变小、完全失去容量、漏电、短路。电容在电路中所起的作用不同，引起的故障也各有特点：在工控电路板中，数字电路占绝大多数，电容多用做电源滤波，用做信号耦合和振荡电路的电容较少。用在开关电源中的电解电容如果损坏，则开关电源可能不起振，没有电压输出；或者输出电压滤波不好，电路因电压不稳而发生逻辑混乱，表现为机器工作时好时坏或开不了机，如果电容并在数字电路的电源正负极之间，故障表现同上。这在电脑主板上表现尤其明显，很多电脑用了几年就出现有时开不了机，有时又可以开机的现象，打开机箱，往往可以看见有电解电容鼓包的现象，如果将电容拆下来量一下容量，发现比实际值要低很多。电容的寿命与环境温度直接有关，环境温度越高，电容寿命越短。这个规律不但适用电解电容，也适用其它电容。所以在寻找故障电容时应重点检查和热源靠得比较近的电容，如散热片旁及大功率元器件旁的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。所以在检修查找时应有所侧重。有些电容漏电比较严重，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换。在检修时好时坏的故障时，排除了接触不良的可能性以外，一般大部分就是电容损坏引起的故障了。所以在碰到此类故障时，可以将电容重点检查一下，换掉电容后往往令人惊喜。 02电阻故障常看见许多初学者在检修电路时在电阻上折腾，又是拆又是焊的，其实修得多了，你只要了解了电阻的损坏特点，就不必大费周章。电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是低阻值 (100Ω以下) 和高阻值 (100kΩ以上) 的损坏率较高，中间阻值 (如几百欧到几十千欧) 的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大；圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹；水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹；保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。根据以上列出的特点，我们先可以观察一下电路板上低阻值电阻有没有烧黑的痕迹，再根据电阻损坏时绝大多数开路或阻值变大以及高阻值电阻容易损坏的特点，我们就可以用万用表在电路板上先直接量高阻值的电阻两端的阻值。如果量得阻值比标称阻值大，则这个电阻肯定损坏 (要注意等阻值显示稳定后才下结论，因为电路中有可能并联电容元件，有一个充放电过程) ，如果量得阻值比标称阻值小，则一般不用理会它。这样在电路板上每一个电阻都量一遍，即使“错杀”一千，也不会放过一个了。 03运算放大器故障运算放大器好坏的判别对相当多的电子维修者有一定的难度，不只文化程度的关系，在此与大家共同探讨一下，希望对大家有所帮助。理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈)下工作。如果没有负反馈，开环放大下的运放成为一个比较器。如果要判断器件的好坏，先应分清楚器件在电路中是做放大器用还是做比较器用。根据放大器虚短的原理，就是说如果这个运算放大器工作正常的话，其同向输入端和反向输入端电压必然相等，即使有差别也是mv级的，当然在某些高输入阻抗电路中，万用表的内阻会对电压测试有点影响，但一般也不会超过0.2V，如果有0.5V以上的差别，则放大器必坏无疑。如果器件是做比较器用，则允许同向输入端和反向输入端不等。同向电压>反向电压，则输出电压接近正的最大值；同向电压<反向电压，则输出电压接近0V或负的最大值(视乎双电源或单电源)。如果检测到电压不符合这个规则，则器件必坏无疑！这样你不必使用代换法，不必拆下电路板上的芯片就可以判断运算放大器的好坏了。 04SMT元件故障有些贴片元件非常细小，用普通万用表表笔测试检修时很不方便，一是容易造成短路，二是对涂有绝缘涂层的电路板不便接触到元件管脚的金属部分。这里告诉大家一个简便方法，会给检测带来不少方便。取两枚最小号的缝衣针，将之与万用表笔靠紧，然后取一根多股电缆里的细铜线，用细铜线将表笔和缝衣针绑在一起，再用焊锡焊牢。这样用带有细小针尖的表笔去测那些SMT元件的时候就再无短路之虞，而且针尖可以刺破绝缘涂层，直捣关键部位，再也不必费神去刮那些膜膜了。 05公共电源短路故障电路板维修中，如果碰到公共电源短路的故障往往头大，因为很多器件都共用同一电源，每一个用此电源的器件都有短路的嫌疑。如果板上元件不多，采用“锄大地”的方式终归可以找到短路点；如果元件太多，“锄大地”能不能锄到状况就要靠运气了。在此推荐一比较管用的方法，采用此法，事半功倍，往往能很快找到故障点。要有一个电压电流皆可调的电源，电压0-30V，电流0-3A，这种电源不贵，大概300元左右。将开路电压调到器件电源电压水平，先将电流调至最小，将此电压加在电路的电源电压点如74系列芯片的5V和0V端，视乎短路程度，慢慢将电流增大。用手摸器件，当摸到某个器件发热明显，这个往往就是损坏的元件，可将之取下进一步测量确认。当然操作时电压一定不能超过器件的工作电压，并且不能接反，否则会烧坏其它好的器件。 06板卡故障工业控制用到的板卡越来越多，很多板卡采用金手指插入插槽的方式。由于工业现场环境恶劣，多尘、潮湿、多腐蚀气体的环境易使板卡产生接触不良故障，很多朋友可能通过更换板卡的方式解决了问题，但购买板卡的费用非常可观，尤其某些进口设备的板卡。其实大家不妨使用橡皮擦在金手指上反复擦几下，将金手指上的污物清理干净后，再试机，没准就解决了问题，方法简单又实用。 07电气故障各种时好时坏电气故障从概率大小来讲大概包括以下几种情况：接触不良：板卡与插槽接触不良、缆线内部折断时通时不通、线插头及接线端子接触不好、元器件虚焊等皆属此类；信号受干扰：对数字电路而言，在特定的情况条件下故障才会呈现，有可能确实是干扰太大影响了控制系统使其出错，也有电路板个别元件参数或整体表现参数出现了变化，使抗干扰能力趋向临界点从而出现故障；元器件热稳定性不好：从大量的维修实践来看，其中首推电解电容的热稳定性不好，其次是其它电容、三极管、二极管、IC、电阻等；电路板上有湿气、尘土等：湿气和积尘会导电具有电阻效应，而且在热胀冷缩的过程中阻值还会变化，这个电阻值会同其它元件有并联效果，这个效果比较强时就会改变电路参数使故障发生；软件也是考虑因素之一：电路中许多参数使用软件来调整，某些参数的裕量调得太低处于临界范围，当机器运行工况符合软件判定故障的理由时，那么报警就会出现。

2024-12-18 157浏览
IC和元器件封装对照表（图片）

IC元器件封装是电子元器件设计中至关重要的一环，它直接影响着元器件的性能和可靠性。元器件的封装都是有国际标准的，不同的元器件封装形式不一样，即使是同一个器件也可以有多个封装。通过了解不同类型的封装形式、应用场景和选材原则，可以更好地选择合适的封装方式，提高产品的性能和稳定性。 IC封装的种类分立元件的封装种类来源：chip1stop官网

2024-12-13 240浏览
51单片机引脚、时钟电路、复位电路、I/O端口、内部结构，通透

1、功能简述 STC89C52 是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K在系统可编程Flash存储器(ROM)。STC89C52具有以下标准功能：8k字节Flash，512字节RAM，32位I/O 口线，看门狗定时器，2个数据指针，三个16位定时器/计数器，一个6向量2级中断结构，全双工串行口，片内晶振及时钟电路。 2、引脚分类 3、引脚功能难易程度：P0>P2>P3>P1 1、P1 = 1个锁存器+一个场效应管驱动器+2个三态门缓冲期准双向P1口：8个相同的结构电路，组成P1特殊功能寄存器（90H） p1 输出缓冲器能驱动4个TTL逻辑电平。 2、复用口P3特殊功能寄存器（B0H） = 1个锁存器+1个场效应管驱动器+2个三态门缓冲器+1个与非门用作输出端口：单片机内部相关电路会送出“1”到与非门的一个输入端（第二功能输出端），打开与非门（与非门的特点是：一个输入端为“1”时，输出端与另一个输入端状态始终相反）。若要将P3端口用作输出端口，CPU给锁存器的CL端送写锁存器信号，内部总线送来的数据通过D端进入锁存器并从Q端输出，再通过与非门和晶体管两次反相后从P3端口引脚输出。用作输入端口：单片机内部相关电路会送出“1”到与非门的一个输入端（第二功能输出端），打开与非门（与非门的特点是：一个输入端为“1”时，输出端与另一个输入端状态始终相反）。若要将P2端口用作输入端口，CPU会先往P3锁存器写“1”，让Q=1，与非门输出“0”，晶体管截止，关闭P3端口的输出电路，然后CPU往输入三态门控制端送一个读引脚控制信号，输入三态门打开，从P3端口引脚输入的信号经过输入缓冲器和输入三态门送到内部总线。用作第二功能： 3、高8位拓展地址总线P2（A0H）= 1个锁存器+2个三态门缓冲器+1个场效应管驱动器+两路开关+非门用作输出端口：单片机内部相关电路会送控制信号到电子开关的控制端，让电子开关与P2锁存器的Q端连接。若要将P2端口用作输出端口，CPU会通过内部总线将数据送到锁存器的D端，同时给锁存器的CL端送写锁存器信号，D端数据存入锁存器并从Q端输出，再通过电子开关、非门和晶体管从P2端口引脚输出。用作输入端口：单片机内部相关电路会送控制信号到电子开关的控制端，让电子开关与P2锁存器的Q端连接。若要将P2端口用作输入端口，CPU会先往P2锁存器写“1”，让Q=1、,Q=1会使晶体管截止，关闭P2端口的输出电路，然后CPU往输入三态门控制端送一个读引脚控制信号，输入三态门打开，从P2端口引脚输入的信号经输入三态门送到内部总线。用作地址总线引脚：单片机内部相关电路会发出一个控制信号到电子开关的控制端，让电子开关与内部地址线接通，地址总线上的信号就可以通过电子开关、非门和晶体管后从P2端口引脚输出。 4、低8位拓展地址总线P0口（80H） = 1个锁存器+2个三态门缓冲器+2个场效应管驱动器+两路开关+非门 +与门用作输出端口：内部CPU会送控制信号“0”到与门和电子开关，与门关闭（上晶体管VT1同时截止，将地址/数据线与输出电路隔开），电子开关将锁存器与输出电路连接，然后CPU通过内部总线往P0端口锁存器送数据和写锁存器信号，数据通过锁存器、电子开关和输出电路从P0端口的引脚输出。在P0端口用作输出端口时，内部输出电路的上晶体管处于截止（开路），下晶体管的漏极处于开路状态（称为晶体管开漏），因此需要在P0端口引脚接外部上拉电阻，否则无法可靠输出“1”或“0”。用作输入端口：内部CPU会先往P0端口锁存器写入“1”（往锁存器D端送“1”，同时给CL端送写锁存器信号），让,VT2截止，关闭输出电路。P0端口引脚输入的信号送到输入三态门的输入端，此时CPU再给三态门的控制端送读引脚控制信号，输入三态门打开，P0端口引脚输入的信号就可以通过三态门送到内部总线。如果单片机的CPU需要读取P0端口锁存器的值（或称读取锁存器存储的数据），会送读锁存器控制信号到三态门（上方的三态门），三态门打开，P0锁存器的值（Q 值）经三态门送到内部总线。用作地址数据总线：单片机内部相关电路会通过控制线发出“1”，让与门打开，让电子开关和非门输出端连接。当内部地址/数据线为“1”时，“1”一方面通过与门送到 VT1的栅极，VT1导通，另一方面送到非门，反相后变为“0”，经电子开关送到VT2的栅极，VT2截止，VT1导通，P0端口引脚输出为“1”；当内部地址/数据线为“0”时，VT1截止，VT2导通，P0端口引脚输出“0”。总的来说，当单片机需要将P0端口用作地址/数据总线时，CPU会给与门和电子开关的控制端送“1”，与门打开，将内部地址/数据线与输出电路的上晶体管 VT1接通，电子开关切断输出电路与锁存器的连接，同时将内部地址/数据线经非门反相后与输出电路的下晶体管VT1接通，这样VT1、VT2状态相反，让P0端口引脚能稳定输出数据或地址信号（1或0）。 5、其他非I/O口 4、最小系统工作电路 5、时钟电路——单片机的心脏单片机需要时钟信号才能正常工作，时钟信号是脉冲信号的一种，周期固定，占宽比1:1的矩形脉冲波。时钟电路就是通过其他元器件综合来形成的时钟信号。1.晶振时钟：通过外部晶振电路来获取时钟信号，电容用于起振。2.脉冲时钟：外部从XTAL2引脚输出时钟信号。部分51单片机不需要外部晶振也能正常工作，优点是降低成本，缺点是RC振荡频率精度不高。单片机的时序是对象间按照时间顺序组成的序列关系，可以用状态方程、状态图、状态表和时序图表示。时序与时钟的关系：时钟要受时钟节拍的制约。时钟度量单位：时钟周期（节拍）P、状态周期S、机器周期、指令周期。1S = 1P、1机器周期 = 6S = 12P、1指令周期 = 1~4机器周期 6、复位与复位电路复位电路的首要功能是通电复位。使单片机恢复原始默认状态。P0-P3复位默认是全高电平。复位条件：在RST/VPD引脚端出现：大于等于10ms时间的高电平3V状态。 7、51内部结构 8、中央处理器控制器用途：统一指挥和控制各单元协调工作任务：从ROM中取出指令——译码——执行指令组成：程序计数器、指令寄存器、指令译码器、数据指针寄存器程序计数器（Program Counter）：指向下一条指令首地址，ROM存储单元的地址指针，可修改，让程序跳转运行复位时：PC=0——复位后程序从0开始运行。指令寄存器（Instruction Register）：8位寄存器，暂存指令，等待译码。指令译码器（Instruction Decoder）：将指令寄存器的指令进行译码，转为可执行的电信号，在通过定时器电路将其执行。数据指针寄存器（Data Pointer）：指向ROM或者RAM存储单元的地址指针（引导数据传送）DPTR是专门的16位的外设RAM或者外部ROM准备用于读取和写入的。（16位寄存器的可寻址范围为2^16=64kb,可拆成两个8位独立寄存器DPL和DPH低8位和高8位）运算器作用：对数据进行算术运算和逻辑运算。功能：1.对暂存器中的数据进行运算。2.结果保存到ACC中。3.运行状态反映在PSW中累加器ACC：一个8位寄存器，用来存放操作数或中间运行结果。状态值可由指令修改，是最繁忙的寄存器。算术逻辑单元ALU：执行算术和逻辑运算，运算结果给PSW。状态字寄存器PSW：8位寄存器，存放程序运行过程中的各种状态信息的寄存器。状态值可由指令修改版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，原文链接：https://blog.csdn.net/qq_59572329/article/details/127574982

2024-12-06 342浏览
二极管、三极管、MOS管和IGBT基础知识

本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管作为开关的应用和电阻选择方法，解释了MOS管的结构和栅极串联电阻布局，并概述了IGBT在电力转换中的重要角色及其发展。硬件工程师入门基础知识（一）基础元器件认识（二） tips：学习资料和数据来自《硬件工程师炼成之路》、百度百科、网上资料。 1.二极管 2.三极管 3.MOS管 4.IGBT 5.晶振 1.二极管肖特基二极管和硅二极管的比较：肖特基二极管的优势主要在速度和压降，对这两个没要求的场景，那自然选择更便宜的由硅构成的二极管。二极管漏电流这个参数，值得一提的是，肖特基二极管的漏电流，是硅二极管的 100 倍左右。还有一点就是，漏电流与温度有很大的关系。温度越高，漏电流越大。硅二极管温度越高，漏电流越大，是原因硅二极管的漏电流是由少子决定的，温度越高，本征激发越强烈，少子浓度会升高，所以漏电流就越大了。反向恢复时间：也是比较重要的参数，这个前面有文章专门讲过，就不再说了。工作频率：由反向恢复时间决定的。耐压：记住肖特基二极管耐压值，很难做高就行吧，一般不超过 100V，当然，更高的也有，这里只说常见的。而硅二极管可以做很高。反向恢复时间实际应用中的二极管，在电压突然反向时，二极管电流并不是很快减小到 0，而是会有比较大的反向电流存在，这个反向电流降低到最大值的 0.1 倍所需的时间，就是反向恢复时间。几种二极管的最高工作频率顺序是下面这样的：为什么要用肖特基二极管续流？我们来看一个问题：为什么开关电源中，一般用肖特基二极管续流，不用快恢复二极管呢？主要有两点：一是肖特基二极管导通电压更低。二是肖特基二极管速度更快，反向恢复时间更小。如此一来，使用肖特基二极管肯定损耗是更小的，温度更低，也不会烫成狗，这样整个开关电源效率也更高。 2.三极管常用的三极管电路设计-电阻到底是怎么选的我们在模电教材里面，会有各种放大电路，共基，共集，共射等，相关的计算公式，曲线，电路等效模型天花乱坠，学起来非常费劲。实际 90%工作，可能我们主要关注一个参数就行了，那就是电流放大倍数 β，其它的通通用不到，而且我们做产品，如果真要放大信号，那也是使用各种集成运放。绝大多数情况，我们是把三极管当作一个低成本的开关来使用的，作为开关，虽然 MOS 可能更为合适，不过三极管价格更低，在小电流场景，三极管反而是用得更多的。一个 NPN 三极管，价格也就 2 分钱左右。常用的电路（NPN 为例） 1、电平转换，反相这个电路用得非常多，有两个功能。一是信号反相，就是输入高电平，输出就是低电平；输入低电平，输出就是高电平二是改变输出信号的电压，比如输入的电压范围是 0V 或者是 3.3V，想要得到一个输出是 0V 或者是5V 的电平怎么办呢？让 Vcc 接 5V 就可以了，输出高的时候，out 的电平就是大约为 5V 的。2、驱动指示灯我们经常使用三极管驱动 LED 灯，比如下面这个电路： 3、驱动 MOS 开关还一个电路也用得非常多，那就是驱动电源的 PMOS 开关，如下图：在 in 为低时，三极管不导通，相当于是开路，PMOS 管的 Vgs 为 0，PMOS 管也不导通，Vcc2 没有电。在 in 为高时，三极管导通，集电极相当于是接地 GND，于是 PMOS 管的 Vgs 为-Vcc1，PMOS 管导通，也就是 Vcc1 与 Vcc2 之间导通，Vcc2 有电。如何选择电阻我们的电路输入一般是只有两种状态，0V 或者是其它的高电平（1.8V，3.3V，5V 等），截止状态一般不用怎么考虑，因为如果让三极管的 Vbe=0，自然就截止了，重要的是饱和状态如何保证。那么啥叫饱和状态？我们先假定三极管工作在放大状态，那么放大倍数就是β，如果基极有 Ib 电流流过，那么集电极 Ic=β*Ib，Ic 也会在 Rc 上面产生压降 Urc。易得：Urc+Uce=Vcc，显然，Ib 越大，那么 Urc=βIbRc 越大，如果 Ib 足够大，那么 Urc=Vcc 时， Uce=Vcc-Urc≈0。电路计算举例 LED 灯的例子已知条件：输入控制电压高电平为 3.3V，电源电压为 5V，灯的导通电流 10mA，灯导通电压 2V，三极管选用型号 MMBT3904 三极管饱和导通时，Vce=0V，所以 Rc=(5V-2V)/10mA=300Ω。查询芯片手册，三极管 MMBT3904 的的放大倍数 β（hfe）如下图所示：可以看到，在 Ic=10mA 时，放大倍数最小为 100。那么 Ib=10mA/100=100uA，三极管导通时，Vbe 约为 0.7V，继而求得 Rb=（3.3- 0.7V)/100uA=26K。也就是说只要 Rb<26K，三极管就工作在了饱和状态，像这种情况，我一般取 Rb=2.2K，或者是 1K，4.7K，10K，这样 Ib 更大，更能让三极管工作在饱和状态。具体取多少，取决于整个板子的电阻使用情况，比如 10K 电阻用得多，那我就取 10K，这样物料种类少，生产更方便。或者咱为了保险一点，比如要兼容别的三极管型号，可以取 Rb=1K，这样即使别的三极管 β 小于100，也能工作在饱和状态。一般来说，我们不要取正好的值，比如 26K 或者接近 26K 的值，这样太不安全。我们也可以反向验算下，假如 Rc=300Ω，Rb=10K，那么 Ib=（3.3-0.7）/10K=0.26mA，那么Ic=1000.26mA=26mA，那么 Rc 的压降是300Ω26mA=7.8V，这已经超过 Vcc 了，所以管子肯定是工作在饱和状态的。3.MOS管1、MOS 导通后电流方向其实可以双向流动，可以从 d 到 s，也可以从 s 到 d。 2、MOS 管体二极管的持续电流可以根据 MOS 管的功耗限制来计算， 3、MOS 管体二极管瞬间可以通过的电流，等于 NMOS 管导通后瞬间可以通过的电流，一般不会是瓶颈 NMOS 管的结构我们看一下 NMOS 管的结构。以 NMOS 为例，如上图，S 和 D 都是掺杂浓度比较高的 N 型半导体，衬底为 P 型半导体，并且衬底和 S 极是接到一起的。在 Vgs 电压大于门限电压 Vth 时，也就是栅极相对衬底带正电，它会将 P 型衬底中的少子（电子）吸引到 P 型衬底上面，形成反型层，也就是导电沟道。PCB Layout 时，MOS 管栅极串联电阻放哪儿？如上图，串联的电阻 R1 到底是放在靠近 IC 端，还是靠近 MOS 端？（注意，图中的 L1 是走线寄生电感，并不是这里放了个电感器件）1、 TI 的无刷电机驱动芯片 DRV8300 的 demo 板 Demo 板硬件设计可以直接在 Ti 官网下载，如下图，可以看到，串联电阻是放置在 MOS 管端的。 2、 Ti 的 POE 方案 TPS23753A 的 Demo 板原理图如下： PCB 如下图，串联电阻也是放置在靠近 MOS 管端。 3、 MPS 的无刷电机驱动芯片 MP6535。如下图，6 个 MOS 的栅极串联电阻 R18，R19，R20，R21，R22，R23 放置在中间。从走线长度看，Q1，Q2，Q3 串联的电阻离 MOS 较近，离驱动 IC 较远。Q4，Q5，Q6 串联的电阻在 MOS 和驱动 IC 中间。大部分情况栅极串联电阻靠近 MOS 管放置这个说法是属实的。4.IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。IGBT如有讨论尽管留言，目前在新能源领域接触最多的还是IGBT模块。5.晶振晶振分类首先，晶振一般分为两种，一种叫有源晶振，一种叫无源晶振。有源晶振也叫晶体振荡器，Oscillator；无源晶振有时也叫无源晶体，Crystal，晶体谐振器。至于哪个名字更专业，更准确，我觉得无需争论，名字只是代号而已，大家工作中沟通能知道说的是什么就行。简单说有源晶振自己供上电就能输出振荡信号，无源晶体必须额外增加电路才能振荡起来。以上分类是从使用上面来说的。如果我们单看晶振的内部构造，就会发现，有源晶振内部是包含了一个无源晶振，然后再将阻容，放大等电路也包含进去，整体封装好再给我们用。晶振的等效模型那么其中 Lm，Rm，Cm 分别又是什么意思呢？ Cm：动态电容，反映了振动体的弹性，随频率会变化 Lm：动态电感，反映了振动体的质量，随频率会变化 Rm：动态电阻，反映了振动体的损耗，随频率会变化 C0：静电容，两个电极间形成的电容。晶振是如何起振的？皮尔斯晶体振荡器目前工作中用得最多的就是皮尔斯晶体振荡器，也就是下面这个结构。 CL1，CL2 为匹配电容，Rext 通常为串联的几百欧姆电阻（有时也不加）。有时候数据手册会有推荐参数。上面这个结构可能看着不是很熟悉，我们把它转换一下，变成下面这个就熟悉些。 Inv：内部反相放大器。 Q：石英或陶瓷晶振。 RF：内部反馈电阻。 RExt：外部限流电阻，限制反相器输出电流。 CL1 和 CL2：两个外部负载电容。 Cs：寄生电容：PCB 布线，OSC_IN 和 OSC_OUT 管脚之间的效杂散电容反馈电阻 RF 在几乎所有的 ST 的 MCU 中，RF 是内嵌在芯片内的。它的作用是让反相器作为一个放大器来工作。Vin 和 Vout 之间增加的反馈电阻使放大器在 Vout ＝ Vin 时产生偏置，迫使反向器工作在线性区域(图 5 中阴影区)。该放大器放大了晶振的正常工作区域内（Fs 与 Fa 之间）的噪声(例如晶振的热噪声)，该噪声从而引发晶振起振。在某些情况下，起振后去掉反馈电阻 RF，振荡器仍可以继续正常工作。

2024-12-04 167浏览
分享一个过压保护、防反接、缓启动电源保护电路

过压保护、防反接、缓启动电源保护电路过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明： 1、过压保护正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。关注公众号：硬件笔记本因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，Q1导通，VCC_BAT与VCC_24V导通，正常输出24V电压给后级电路。过压情况>26V一般会到28-30V，稳压管D3反向击穿，将Q2PNP管的栅极电位钳制在其稳压值28V而Q2PNP的射极电压接的是过压的VCC，因此Q2PNP的Vbe<-0.7，PNP导通，之后过压的VCC通过导通的Q2和R7到Q2PMOS的栅极，由于管压降很小，可以近似认为Q2PMOS的Vgs=0，PMOS关断，无输出电压到后级电路，实现过压关断保护。关注公众号：硬件笔记本问题：关断时间有延迟。主要原因是PNP导通后集电极处电位需要快速升高到电源电压才能使得PMOS关断，而由于电容C4的存在，电位上升速度受限，τ = Rg * C。可能的改进方案：外加一个控制电路来直接控制PMOS的栅极G，直接挂在稳压管1脚处就可以了。 2、防反接/欠压保护当没有电源输入/电源输入小于Q3NMOS的Vgs阈值电压、电源反接的时候NMOS关断地网络断开，无输出到后级回路实现保护；关注公众号：硬件笔记本正常输入状态可以通过D4稳压管将Vgs 钳位到 10V，保证Q2NMOS开通，地网络接通正常输出。 3、缓启动 C4作用：一阶段：接通瞬间 Q2PNP导通，Q1PMOS的栅极通过Q2和R7迅速到达VCC_BAT，使得Q1的PMOS的Cgs充电完毕之前达到Vgs = 0；二阶段：此时由于VCC_BAT通过R4和R6到达PNP基极，让PNP关断，同时电容C4两端电压不可突变，故VCC_BAT通过R4/R6/R8回路给电容C4充电，期间电容等效为一个阻值不断增大的内阻，此电阻与R8串联分压，此电阻上的分压不断增加，因此PMOS管的栅级电位因此分压逐渐降低直到Vgs < Vgs阈值，PMOS开启，从而实现缓启动。各电源输入端口/各级电源拓扑的瞬态保护。关注公众号：硬件笔记本一般使用保险丝+TVS瞬态二极管吸收电压过冲以及瞬时大电流保护各个电源端口可以加一个肖特基二极管防止电流/电压倒灌

2024-11-26 227浏览
芯片时序导致的“失效”

在芯片的失效分析中，有很多时候在板是故障的，但是拆下来后测试单体却又是正常的，导致这种现象主要有两种可能： 1）芯片的故障不稳定，典型案例如键合缺陷 2）板上时序存在问题，导致芯片功能异常本文将对针对第2种情况，找一个典型案例进行剖析分享。问题背景：某板卡LDO故障，设计输出0.8V，实际输出1.3V，故障率20% 核对原理图设计未见明显异常，将芯片拆下后进行分析，IV测试和bench测试均未见明显异常，bench测试与良品表现一样单体分析结论：芯片“大概率”是良品，因此返回到板级分析。断开LDO后级负载，故障现象未消失；查看器件规格书对EN和Vin上电时序有要求，该板设计EN管脚不是直连Vin，怀疑可能LDO的上电时序存在问题。时序确认：对板卡LDO上电时序进行测试，确认时序存在问题。改善：通过飞线方式，将EN直连Vin，“故障”芯片恢复正常，确认为板卡设计问题导致芯片异常。拓展： 1）在进行板级设计时，需要考虑芯片上电时序，此类问题在我的印象中是仅次于EOS的类型，且此类问题分析需要跨专业域协同，耗时耗力。 2）查看TI官网，发现3A的的LDO有两个版本，另一个就对芯片上电时序没有要求。 TPS7A84A上电时序要求：总结：失效分析作为一门专业性极强的学科，拥有着典型且具有显著规范性的失效分析流程与方法。但是，在实际的操作过程之中，绝对不能不加思索、盲目地去生搬硬套既定的分析流程，而是应当紧密地结合具体的实际状况，展开全面且深入的分析以及富有逻辑性的思考。就拿同样都是故障不复现的问题来说，在到底应当如何去制定下一步的分析思路这一关键方面，不同的案例彼此之间是存在着巨大且完全不同的差异的。

2024-11-25 168浏览

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