硅是集成电路产业的基础，半导体材料中约 98% 为硅，半导体硅工业涵盖多晶硅、单晶硅（包含直拉和区熔）、外延片以及非晶硅等。其中，直拉硅单晶多用于集成电路和中小功率器件，区域熔单晶主要应用在大功率半导体器件上，像整流二极管、硅可控整流器、大功率晶体管等，而单晶硅与多晶硅的应用最为广泛。单晶硅用作衬底的原因单晶硅由多晶硅提纯而来，多晶硅包含多个晶向的小单元，单晶硅却只有一种晶向（常为和 < 100 > 晶向）。由于半导体采用薄膜工艺，要在硅衬底上生长外延层并制作器件，使用单晶硅做衬底，能确保生长的外延层方向与衬底一致，进而保证整个器件结构的致密性和稳定性，使其在整个晶体中呈现长程有序，而非仅在单个小单元内有序。多晶硅用于 MOSFET 栅极的情况1、优点 易于控制临界电压：MOSFET 的临界电压取决于栅极与通道材料的功函数差异，多晶硅作为半导体，可通过掺杂不同极性杂质改变功函数。且它与作为通道的硅之间能隙相同，调整其功函数就能满足降低 PMOS 或 NMOS 临界电压的需求。而金属材料功函数不易改变，若要同时降低 PMOS 和 NMOS 的临界电压，需用两种不同金属作栅极材料，会给制作过程带来较大变量。 栅下接触面缺陷少：硅与二氧化硅接面的缺陷相对较少，而金属与绝缘体接面容易形成较多表面能阶，对元件特性影响较大。 熔点高：多晶硅熔点高于多数金属，现代半导体制作过程中习惯高温沉积栅极材料以提升元件效能，金属熔点低会限制制作时的温度上限。 2、缺点 导电性不如金属：多晶硅导电性欠佳，限制了信号传递速度，虽可通过掺杂改善，但效果有限。部分熔点高的金属可与多晶硅制成合金（即金属硅化物），能提升其导电特性并耐高温，且因位置离通道区较远，对临界电压影响不大，“自我对准金属硅化物制程”（salicide 制程）就是相关应用。 小尺寸制作下存在 “多晶硅耗尽” 问题：当 MOSFET 尺寸极小、栅极氧化层很薄时（如氧化层厚度达一纳米左右），会出现 “多晶硅耗尽” 现象，即反型层形成时，栅极多晶硅靠近氧化层处会出现耗尽层，影响导通特性。解决此问题，金属栅极是较好方案，像钽、钨、氮化钽、氮化钛等金属可作为栅极材料与高介电常数物质构成的氧化层组成 MOS 电容，也可采用将多晶硅完全合金化的 FUSI 制程来解决。 在制作栅极时，多晶硅常用于自对准工艺，它能界定有源区边界。离子注入时，多晶硅区域可阻挡离子，无多晶硅的区域则被注入离子形成有源区，实现自动对准有源区。像铝金属等熔点低，无法承受离子注入，不适合做自对准，而高熔点金属则可以。
MOS管在电路设计中是比较常见的，按照驱动方式来分的话，有两种，即：N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三极管的驱动方式有点类似，但又不完全相同，那么今天笔者将会给大家简单介绍一下N-MOS管和P-MOS管的工作原理，并结合自己实际的应用来给大家分享一下如何来驱动N-MOS管和P-MOS管。 首先，我们先来看一下N-MOS管和P-MOS管分别在电路中的电气符号： 咋一看上面两个电气符号，似乎非常的相似，可能让很多人都有点傻傻分不清楚。那么，在我们看到电路中出现这些符号的时候，我们要怎么知道究竟是N-MOS管还是P-MOS管呢？ 在判断是N-MOS管还是P-MOS管之前，我们先来学会认识MOS管符号上的三个引脚，究竟哪个引脚是G（基）极、S（源）极和D（漏）极吧，请看下图： G（基）极的话，还是很容易区分的，就不用多说什么了，比较难区分的基本就是S（源）极和D（漏）极了，那么，我只需要记住：无论是N-MOS管还是P-MOS管，两根线相交的就是S（源）极了，剩下的一个单独引线的那边，就是D（漏）极了。 接下来，我们就要来区分究竟哪个是N-MOS，哪个是P-MOS了，同样 ，我们这里只需要看箭头的方向，并且记住：箭头指向G极的是N-MOS管，箭头背向G极的是P-MOS管。 通过了解MOS的相关知识，我们还得到一个知识点，那就是：MOS在制造过程中，会自动形成一个PN结，也就是我们常说的MOS管的“寄生二极管”。那么这个寄生二极管的方向如何判断呢？同样，我们记住这两句话就好了：N-MOS管，寄生二极管的方向是由S极指向D极；P-MOS管，寄生二极管的方向是由D极指向S极。如下图所示： 关于寄生二极管的方向，还有一种比较简单的记法，那就是：想象DS边的三节断续线是联通的，不论是N-MOS管还是P-MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，即，要么都由S指向D，要么都由D指向S。 当然咯，前面这些”科普知识”，基本都是来源于教材，大家只要是认真学习过MOS管相关知识的话，相信对MOS管的认识一定会比笔者这里介绍的更深刻。那么，MOS管经常在电路中作为开关来使用，我们该怎么控制呢？ 对于N-MOS管来说，它导通条件就是：G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。在实际应用中，一般是将控制信号接到G极，S极则直接接在GND上，从而达到控制N-MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds很小，一般都是几十毫欧级别，因此，电流导通后，形成的压降也是很小的。下面这个电路，就是笔者实际应用中用来控制一个小风扇开关的电路，电路中就是使用的N-MOS管来控制风扇的负极，来实现风扇的开和关的效果。 控制端G极接的是一个3.3V单片机的IO口： 当单片机IO口输出高电平时，MOS管的G极电压高于S极将近3.3V，此时N-MOS管AO3400A的D极和S极导通。 当单片机IO口输出低电平时，MOS管的G极电压也几乎为0V（GND电压），此时N-MOS管AO3400A的D极和S极断开。 在实际应用中，对于电压比较高的电路，尤其是高于人体安全电压36V的电路中，往往会用MOS管来控制负载的正极而不是负极，似乎这样会更安全一些？或许就跟我们的日常家用电器中，大部分是控制火线的通断来实现对负载的控制道理是一样的吧。控制电源的正极通断，我们一般是用P-MOS管来实现，那么P-MOS又该怎么驱动呢？ 其实P-MOS管的驱动跟N-MOS管也是有点类似的，P-MOS管的导通条件是：G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。 虽然P-MOS管的驱动原理跟N-MOS管比较类似，但是，两者之间的驱动电路还是有点差异的，同样以单片机IO口控制为例，当P-MOS管的S极与D极电压差异过大时，就不能直接用单片机IO口来控制了，比如，P-MOS管的S极接的是12V电压，那么： 当单片机IO口输出高电平时，P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-9.7V； 当单片机IO口输出低电平时，P-MOS管的G极电压和S极之间的电压就是将近-12V； 那么，此时对于大部分P-MOS管来说，都是导通的，实现不了关断的功能。当然，对于S极接3.3V的电压的话，是不会有什么影响的。但是，为了能适应更多的应用场合，我们必须得考虑这个问题，因此笔者通过对驱动电路的改进，得到了下面这个电路： 这个电路是笔者用来控制制冷片制冷的电路，用了一个N-MOS管和一个P-MOS管来实现，当然，电路中的N-MOS管也用三极管来替代，甚至P-MOS管WSF70P03的G极也可以通过电阻分压的方式来实现驱动。 但是，笔者之前说了，为了通用性，这里还是选择N-MOS管或者三极管来作为前级驱动比较合适。这个电路的工作原理也很简单，关于N-MOS管AO3400A的通断笔者就不再多说了。当AO3400A导通后，会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压变成接近GND的电压，从而使得它的S极和G极的电压差增大为接近12V，从而使得WSP70P03的S极和D极导通。 同理，当AO3400A关断后，会导致P-MOS管WSP70P03的G极电压在上拉电阻的作用下上拉至12V，从而使得它的S极和G极的电压差几乎为0V，从而使得WSP70P03的S极和D极关断。 好了，关于N-MOS管和P-MOS管的原理以及基本应用笔者就简单介绍到这里了，笔者相信，通过这两个实例，大家对MOS的驱动会有更加深刻的认识，在以后的应用中，就可以针对负载特性，来选择合适的MOS管驱动了。
目录 一、理论基础 1. A类功放 2.B类功放 3.AB类功放 二、性能参数 1.增益 2.增益平坦度 3.三阶截点 4.线性度与1dB压缩点 5.效率 三、实例演示 1.设计指标 2.晶体管选择 3.晶体管模型 3.PD55003 仿真 一、理论基础 根据工作状态的不同，功率放大器可分为线性功率放大器和开关型功率放大器，线性功率放大器包含：A、B、C、AB类放大器，开关型功率放大器包含：D、E、F类放大器。为获得较好的线性度和高增益，因此射频PA一般使用线性功率放大器。 功率放大器的电路可以由以下几个部分组成：晶体管、偏置及稳定电路、输入输出匹配电路。 1. A类功放 A类功放输出级中两个（或两组）晶体管永远处于导电状态，也就是说不管有无讯号输入它们都保持传导电流，并使这两个电流等于交流电的峰值，这时交流在最大讯号情况下流入负载。A类功放的工作方式具有最佳的线性，每个输出晶体管均放大讯号全波，完全不存在交越失真（Switching Distortion），即使不施用负反馈，它的开环路失真仍十分低，因此被称为是声音最理想的放大线路设计。但这种设计有利有弊，A类功放放最大的缺点是效率低，因为无讯号时仍有满电流流入，电能全部转为高热量。 2.B类功放 B类功放放大的工作方式是当无讯号输入时，输出晶体管不导电，所以不消耗功率。当有讯号时，每对输出管各放大一半波形，彼此一开一关轮流工作完成一个全波放大，在两个输出晶体管轮换工作时便发生交越失真，因此形成非线性。 B类放大器的偏置电压设置在截止点。 3.AB类功放 AB类功放通常有两个偏压，在无讯号时也有少量电流通过输出晶体管。它在讯号小时用A类工作模式，获得最佳线性，当讯号提高到某一电平时自动转为B类工作模式以获得较高的效率。 AB类放大器的效率和线性度在A类和B类放大器之间,其最大的特点是导通角的范围为180°~360°,相应的设计目标就是实现他在一个周期的50%和100%之间的某段时间内导通的工作方式,对于单MOS管来说,就是使他的漏极有电流通过的时间多于半个周期。 通过将晶体管偏置到略高于其截止点但远低于A类放大器的中心Q点，我们可以创建一个AB类放大器电路。那么AB类放大器的基本目的是保持基本的B类配置，同时通过将每个开关晶体管偏置到略高于阈值来改善其线性度。 AB类放大器的偏置电路有电压偏置、电阻偏置、可调节放大器偏置、二极管偏置，下面以电压偏置电路为例进行讲解：公众号@电路一点通 如图所示，这里通过使用适当的固定偏置电压来实现晶体管的偏置。当输入信号变为正值时， TR1 基极电压增加，产生相似量的正输出，从而增加流过 TR1 的集电极电流向负载R L提供电流 。然而，由于两个碱基之间的电压是固定且恒定的，所以 TR1 的传导的电流增加都将导致 TR2 的传导电流相反的减少。结果，晶体管 TR2 最终关闭，留下正向偏置晶体管， TR1 ，为负载提供所有电流增益。同样，对于输入电压的负半部分，发生相反的情况。也就是说，当输入信号变得更负时， TR2 导通负载电流而 TR1 关闭。 然后我们可以看到输入时电压 VIN 为零，两个晶体管由于其电压偏置而略微导通，但随着输入电压变得更正或负，两个晶体管中的一个传导更多要么下沉来获取负载电流。由于两个晶体管之间的切换几乎立即发生并且是平滑的，因此大大降低了影响B类配置的交叉失真。然而，当两个晶体管切换时，不正确的偏置会导致尖锐的交越失真尖峰。 各类功放静态工作点选择： 二、性能参数 1.增益 增益是每个放大器最重要的指标。它表示放大器对输入信号的放大能力，以dB为单位。放大器的增益随频率而变化，频率高，放大器的损耗也就高（增益在整个频率范围内不是线性的）。 2.增益平坦度 如果放大器在工作频带内,增益的波动很大,这就意味着对与同一个输入信号,有些增益高,有些增益低,会造成输出信号在幅度上的失真。输出信号与输入信号在幅度上的失真称为AM-AM失真。为了描述放大器增益变化的剧烈程度,就引入了增益平坦度这一指标。增益平坦度是指在一定的条件下,整个工作频带内放大器的增益变化范围 3.三阶截点 信号的三阶分量将在信号的放大过程中产生。放大器增益在达到饱和点后开始下降，如果输入功率持续增加，则基频信号功率和三阶信号功率将在特定点相交，该点称为三阶截点。通过计算该值，可以在设计时确定放大器的非线性行为。在选择射频器件时，三阶交调指标的绝对值越大越好。其值越大，说明交调产物相对主信号来说越小，对系统的干扰影响越小。 4.线性度与1dB压缩点 当输出功率越大,放大器的效率就越高，但是放大器的输出功率越大时，会造成放大器线性度的恶化，产生非线性失真。当放大器工作在小信号状态时，可以视其为线性的，忽略非线性效应,得到器件的小信号模型和S参数。但是,当射频功率放大器工作在大信号状态时，不可避免的会出现非线性失真。描述功率放大器的线性度的主要参数为1dB功率压缩点P1dB，当放大器的输入功率比较低时，功率增益为常数,放大器工作在线性区。当输入功率增加时，输出功率也随输入功率线性增加。但是当输入功率增大到一定程度时,受到晶体管非线性特性的影响，放大器的输出功率不再随输入线性增加,增益压缩。若继续增加输入功率，晶体管已工作在饱和区,其输出功率几乎维持不变，1dB功率压缩点PidB指的是输出增益比线性增益小1dB时的输出功率。PidB与输入信号的大小无关，是晶体管的自身属性。 5.效率 在射频功率放大器设计中,有多少直流功率被转化为射频功率输出,是需要考虑的一个重要问题。描述此现象的指标为功率放大器的效率,以下为功率放大器常用的效率的定义： 在以上两个定义当中,一般功率附加效率的数值最小,但是功率附加效率既考虑了输出功率和直流功率的关系,又考虑到了的功率增益的影响,这样就避免出现一个没有功率增益的放大器,效率却非常高的情况出现。所以,采用功率附加效率来描述放大器是比较合理的。 三、实例演示 因为AB类放大器在射频功率放大器设计中，既兼顾到了效率,又考虑到了线性度的问题，属于各个性能都比较平均的放大器，所以传统的射频功率放大器通常都偏置在AB类状态下。本实例通过安捷伦公司的ADS 2020，设计仿真了一款应用于460M无线通信系统的AB类功率放大器。 1.设计指标 偏置类型： AB类 输出功率： 2W (33 dBm) 中心频率： 460MHz 增益：G > 26 dB PAE: >50% 电源电压： +12V 2.晶体管选择 因本实例芯片级输出功率范围是：-20dBm ~ +7dBm,选择NXP的BFU590G和ST的PD55003两个射频功率管，根据数据手册，BFU590G最大输出功率：20 dBm，在IC = 50 mA，VCE =8V 时的增益有19.5dB，三阶交调点为33dBm。PD55003最大输出功率：3W，在VDD = 12.5 V, IDQ = 50 mA时的增益有17 dB，两管增益相加有36.5dB,满足增益需求，我们以BFU590G作为驱动级，PD55003作为输出级。 3.晶体管模型 为了使用计算机进行模拟仿真设计,就要需要晶体管的模型被计算机所识别。通常所使用的仿真软件一般都至于有普遍性，所以并不会有很多晶体管的模型，使用的晶体管模型一般都可以在官网找到。而每个晶体管由于工艺、类型以及材料的不同,其函数模型复杂，所以也不可能对每个晶体管都建立专一的模型，这就需要使用者首先要根据所选晶体管的性能，通过电容电阻二极管等具有简单函数模型的元器件来建立等价的晶体管仿真模型，模拟晶体管的特性。如图所示，为PD55003晶体管的等效模型。 3.PD55003 仿真 1.直流仿真 直流仿真的目的是找到合适的静态工作点，设置静态工作点的目的就是要保证在被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 调出直流仿真模板，这里的DisplayTemplate控件的作用是插入一个仿真显示模板，如果不加入此控件，仿真出来的结果需要自己手动调出或者输入公式调出，而加入此控件仿真后可自动显示仿真结果。将晶体管模板连接好线路，设置VGS的电压仿真范围为1.5V ~ 3.6V，扫频为30个点，VDS电压仿真范围为0V ~ 30V，扫频为100个点，如下图所示： 仿真结果如下： 可以看到在放大区，IDS只随VGS的增大而增大，当VGS=3.3V，IDS=68mA，与数据手册给出的数据对比相差不大，说明仿真是准确有效的，因此我们静态工作取VGS=3.3V，VDS=12V。公众号@电路一点通 2.稳定性分析 在任何功率放大器的设计中,电路的稳定性是非常重要的。如果功率放大器不稳定,便不能发挥其正常功能而变成了振荡器,甚至有可能会烧毁电路。通常使用改善稳定性的措施都是通过一定的衰减或反馈使增益不会振荡增大,即牺牲增益来改善稳定性，在输入或输出端口串联或并联电阻,对于低噪声放大器,通常在输出端加入阻性负载,而对于功率放大器,电阻一般设置在输入端。(因为电阻会产生噪声,消耗掉功率) 绘制电路图如下： “DC_Block”的作用是起到隔直流的作用，“DC-Feed”类似射频扼流圈，经常应用在电源滤波电路中，对高频RF（射频）信号呈高阻，从而抑制高频信号进入系统，与磁珠的功能有点类似。“StabFact”控件返回的是稳定性因子。可以看到在电路输入端串联了一个电阻和电容，电容的作用是减小串联电阻所带来功率损耗。 仿真结果如图所示： 可以看到在460MHz的时候稳定因子大于1，这代表晶体管处于稳定状态，如果稳定因子小于1，则晶体管可能会发生振荡。 3.负载牵引 我们知道，功率放大器不同于小信号放大器，输出与输入总是成线性关系，因为功率放大器的功放管工作趋近于饱和区，其s参数会随着输入功率的变化而变化。一般情况下,我们只需要满足输出与输入的共轭匹配，即可满足最大功率输出的条件。但是,由于输入功率改变带来的s参数改变，简单的共轭匹配不能满足所有的输入功率点。因此，我们需要在所有的输入功率下进行仿真，得出在所有输入功率下，满足最大输出功率的条件。 在不同的负载阻抗下，功率放大器的输出功率和效率都不同，满足最大输出功率条件所对应的负载阻抗就称为最优负载阻抗，用z_opt表示。在实际情况中，不一定最大功率输出就是我们所需要的结果，因为输出最大功率带来的代价就是效率的降低，因此我们经常要对输出功率和放大效率进行一个折中，所以，我们选择的最优负载阻抗往往也不是输出功率最大的阻抗点，而是我们选择的一个功率效率折中阻抗点。LoadPull (负载牵引)技术就是通过仿真，来得到在一定输入功率下，不同的负载阻抗与输出功率和效率之间的关系。顾名思义，它是通过改变负载阻抗从而计算输出功率和效率,最终得到z_opt的技术。LoadPull的实现需要一个|分复杂且庞大的系统,但是ADS为我们集成好了LoadPull模板，我们只需要填写对应的输入功率，连接好电路，设置好偏置等条件之后，直接进行电路仿真，即可得到Loadpull结果。 通常厂家在Datasheet中，会按照最大功率输出设计提供合适的负载阻抗和源阻抗值，但是其数据含量有限，使用局限还是比较大，所以设计中必须自己测量最佳阻抗。 调出ADS的 LoadPull 模板，加上稳定性电路，替换成自己的晶体管后，根据驱动级提供的输出功率范围，填上合适的输入功率参数，Pavs是输入功率，RFfreq是工作频率，Vhigh是Vds的值，Vlow是Vgs的值。这里输入功率我们填17dBm，频率为460MHz，Vhight=12V，Vlow=3.3V。s11_rho对应的是扫描圆半径，s11_center对应的是圆心，pts对应的是采样点，z0对应的是特性阻抗。扫描圆中心点和半径需要根据自己的仿真结果进行合适的调整，采样点的设置得越多，得到的结果就越精确，但是仿真所耗费的资源就会越大，甚至会出现不收敛的情况，我们通常设置为200即可。 电路图如下所示： 仿真结果如下所示： 可以看到，等效率圆和等功率圆显示完整，均为封闭圆，意味着收敛（红色对应效率圆，蓝色对应功率圆），同时拖动m3，我们可以看到效率和功率的最大值以及对应的阻抗点。这里显示仿真出来的最大功率为32.92dBm，与我们所需要的33dBm相近，可以接受，我们记下此时的阻抗点为3.99+j6.79。 4.输出阻抗匹配 如果频率在GHz以上，为了避免LC元件所产生的的寄生效应，以及从成本考虑，一般选取串联阶跃阻抗的微带线进行匹配，同时为了抑制载波，在设计输出匹配时使用低通形式。因为我们这里的频率是460MHz，所以不考虑LC元件的寄生效应，采用分立元件进行匹配。 当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时，为使负载得到最大功率，负载阻抗与内阻必须满足共扼关系，即电阻成份相等，电抗成份绝对值相等而符号相反。这种匹配条件称为共扼匹配。共轭匹配在信号源给定的情况下，输出功率取决于负载电阻与信号源内阻之比K，当两者相等，即K=1时，输出功率最大。阻抗匹配的概念可以推广到交流电路，当负载阻抗与信号源阻抗共轭时，能够实现功率的最大传输，如果负载阻抗不满足共轭匹配的条件，就要在负载和信号源之间加一个阻抗变换网络，将负载阻抗变换为信号源阻抗的共轭，实现阻抗匹配。 输出阻抗匹配电路图如下： 5.源端牵引 源端牵引与负载牵引做法类似，只不过是需要把负载牵引得出的输出匹配电路代入到源端牵引电路中。 电路图如下所示： 仿真结果如下所示： 可见输出功率达到33dBm，满足我们的要求。 6.输入阻抗匹配 输入阻抗匹配和输出阻抗匹配做法一样，匹配电路如下所示： 7.谐波平衡仿真测试 在ADS软件中，分析非线性电路的最主要方法是使用谐波平衡仿真控制模块，谐波平衡仿真用于仿真非线性电路中的增益压缩、噪声、谐波失真、效率和互调产物等，普遍适用于放大器、混频器、振荡器等非线性电路。对于射频功率放大器来说，采用谐波平衡法仿真的目的就是进行大信号的非线性模拟，进而得到放大器的输出1dB功率压缩点,交调分量分析等与放大器非线性相关的性能参数。 插入谐波平衡仿真模板，“MeasEqn”是公式编辑器，在里面我们可以输入所需要的的计算公式，现在模板里已经存在计算功率和PAE的公式；在“VAR”里设置漏级电压12V，栅极电压3.3V，工作频率460MHz；在“HarmonicBalance”控件里自定义设置扫描功率为16~17dBm，步进为1dBm，当我们自定义设置扫描功率后，“SweepPlan”控件默认的扫描计划将不起作用，ADS将会以我们设置的步进扫描功率进行仿真。如下图所示： 电路图如下所示 仿真结果如下图所示： 可以看到在输入功率为16 ~17dBm的情况下，期望输出功率最低可以达到33.5dBm，增益为17.5dB，PAE为58.3%，直流消耗为3.77W，电流和热耗散功率、二三四五阶交调点都可以清楚的看到。 BFU590G晶体管的仿真与此仿真类似，当两个晶体管的仿真完成后，得到BFU590G的最佳输出阻抗和PD55003的最佳输入阻抗，我们将它们进行共轭匹配，从而将两个晶体管级联在一起，至此，PA级联仿真完成，接下来的工作是打板回来调试。
介绍电路之前，我们需要了解一下压控和流控的概念 压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通 流控：是指电流作为控制信号，对于BJT，只要Ibe满足开启要求，三极管就会导通 记得第一次分析MOS管的导通状态的时候，还会各种考虑D级与G 极 D极与S极的电压关系；搞得自己脑袋疼；记住不要去仅仅针对MOS管去分析各种关系，因为好多电压关系在实际应用中并不会出现 现在不要去想那些！！！ NMOS 导通条件：VGS电压高于Vth（一般4.5V）:R1 R2的作用就是为给G 和S 之间创造一个VGS (一般2.5~4.5V，管子就可以完全导通，具体看手册);不用去关心G极与D极的电压关系（只要没达到击穿电压）；实测过，就算C极电压低于G极电压，管子依旧导通(不是经过体二极管的那种导通) 有人会说如果S极不接地呢，其实一样，只要你能保证VGS的电压满足要求就行： 比如下图 只要此时G极电压大于S极电压（高于导通电压），那就该怎么导通就怎么导通； 此时要特别注意，此时的S极电压不是0V ；具体多少V取决于你的电路，只要你能保证VGS； 比如此时S极电压大于D极电压，那不就是个二极管吗？还分析啥？ 结论：只要你保证VGS 满足导通电压，他就导通 NPN三级管 NPN三极管导通条件 1、Ib大约为1mA左右 2、Vbe>0.7V（因此设计时，需保证Vbe>0.7V，这个是导通条件）；但三极管导通时Vbe = 0.7V左右 就好像对于二极管，如果想让它导通，就要保证其两端压差高于0.7V (只要高于0.7V 你设计成5V 10V 都可以)，但二极管一旦导通，其两端电压就是0.7V 有些绕；一个是条件、一个是特征； 考虑点： 电阻R9的作用：用于设置Ib的大小（我们假设当NPN导通时，此时Vb=0.7V,因此流过R9的电流约为（5-0.7）/4=1mA左右） R11的作用： （1）如果没有R11、假设开关信号断开，三级管的b极就悬空；此时其属于高阻态（不确定状态），极易受到外部的高压静电、雷击、外部干扰信号的影响；导致三极管误导通和击穿损坏； （2）由于工艺的原因的原因，三极管的三个极之间都存在寄生电容；当三极管关断的时候，电容CBE可以通过R11更快速的放电，加快三极管关断速度（使得其工作在放大区的时间减小） R11阻值的选择： （1）必须要保证R11与R9在b极的分压安全的大于0.7V,管子才能导通（如果不能导通，其他的分析还有啥意义） （2）如果R11过大，会导致三极管关断时间变慢 （3）R11在满足分压要求的条件下如果阻值过小，会导致功耗变大（0.7V/R11） （4）据其他工程师的经验，R11选2K(个人觉得，这个值一定要满足第一个条件，在其左右就可以了) 对于以上四个条件，你要先保证条件（1），如果功能都不能实现，还在讲性能？？？ 总结： (1):三极管开关电路设计的思路是一种 假设成真的设计方法：就是我按照其完全导通的时候选择各种参数，而不是我先选参数后判断其是否导通 (2):对于R9和R11的分压要满足Vbe大于0.7V（比如这个图中设计的Vb=5*(2/6)=1.6V）但为什么实测出来是0.7V而不是1.6V 这是因为be间的特性很像一个二极管，只要其压差大于0.7V 其压差就是0.7V(有点绕，哈哈哈哈）以前这个问题困扰我这个小白 因此你要做的就是保证其大于0.7V；
这个电控界的MOS管，但想让它听话，还得靠驱动电路！整理了 4 种常用方案： 直接驱动：使用微控制器或逻辑门直接连接MOS管的栅极。 推挽驱动：采用NPN和PNP三极管（或NMOS/PMOS）组成推挽结构，分别负责快速充放电栅极电容。 隔离驱动：通过光耦传递信号或变压器磁耦合，实现电气隔离，适合高压场合。 专用驱动芯片：集成推挽输出、电平转换、死区控制等功能。 关键设计考虑 栅极电阻：调节开关速度，平衡EMI与损耗。 布局布线：减少寄生电感，防止振荡和电压尖峰。 保护电路：加入TVS二极管或稳压管防止过压。 总而言之：选择合适的驱动电路需综合考虑功率等级、开关频率、隔离需求及成本等因素，确保MOS管高效可靠工作。 驱动电路分类 直接驱动 原理:使用微控制器或逻辑门直接连接MOS管的栅极。 优点:结构简单，成本低。 缺点:驱动电流有限，可能导致开关速度慢、 损耗大适用场景:低功率、低频率应用，如小信号开关。 推挽驱动 原理:采用NPN和PNP三极管(或NMOS/PMOS)组成推挽结构，分别负责快速充 放电栅极电容。优点:提升开关速度，减少损耗，驱动能力强 缺点:驱动电流受限于三极管或MOS管的参数，大功率场景需额外优化。 应用:中等功率开关电路，如电机控制。 隔离驱动 光耦隔离:通过光耦传递信号，实现电气隔离， 变压器隔离:利用磁耦合传递能量，支持高频应用，需注意磁芯饱和问题。 优点:电气隔离，安全性高。 缺点:光耦传输延迟较大，不适用于高频开关，磁芯变压器占用PCB面积，难以小型化。应用:逆变器、离线电源等高压系统。 专用驱动芯片 原理:集成推挽输出、电平转换、死区控制等 功能。优点:简化设计，提供高驱动电流和保护功能。 缺点:不同芯片支持的电压范围、死区时间配置可能受限，需匹配需求。 应用:半桥/全桥拓扑、大功率开关场景。
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中约 98% 为硅，半导体硅工业涵盖多晶硅、单晶硅（包含直拉和区熔）、外延片以及非晶硅等。其中，直拉硅单晶多用于集成电路和中小功率器件，区域熔单晶主要应用在大功率半导体器件上，像整流二极管、硅可控整流器、大功率晶体管等，而单晶硅与多晶硅的应用最为广泛。单晶硅用作衬底的原因单晶硅由多晶硅提纯而来，多晶硅包含多个晶向的小单元，单晶硅却只有一种晶向（常为和 < 100 > 晶向）。由于半导体采用薄膜工艺，要在硅衬底上生长外延层并制作器件，使用单晶硅做衬底，能确保生长的外延层方向与衬底一致，进而保证整个器件结构的致密性和稳定性，使其在整个晶体中呈现长程有序，而非仅在单个小单元内有序。多晶硅用于 MOSFET 栅极的情况1、优点 易于控制临界电压：MOSFET 的临界电压取决于栅极与通道材料的功函数差异，多晶硅作为半导体，可通过掺杂不同极性杂质改变功函数。且它与作为通道的硅之间能隙相同，调整其功函数就能满足降低 PMOS 或 NMOS 临界电压的需求。而金属材料功函数不易改变，若要同时降低 PMOS 和 NMOS 的临界电压，需用两种不同金属作栅极材料，会给制作过程带来较大变量。 栅下接触面缺陷少：硅与二氧化硅接面的缺陷相对较少，而金属与绝缘体接面容易形成较多表面能阶，对元件特性影响较大。 熔点高：多晶硅熔点高于多数金属，现代半导体制作过程中习惯高温沉积栅极材料以提升元件效能，金属熔点低会限制制作时的温度上限。 2、缺点 导电性不如金属：多晶硅导电性欠佳，限制了信号传递速度，虽可通过掺杂改善，但效果有限。部分熔点高的金属可与多晶硅制成合金（即金属硅化物），能提升其导电特性并耐高温，且因位置离通道区较远，对临界电压影响不大，“自我对准金属硅化物制程”（salicide 制程）就是相关应用。 小尺寸制作下存在 “多晶硅耗尽” 问题：当 MOSFET 尺寸极小、栅极氧化层很薄时（如氧化层厚度达一纳米左右），会出现 “多晶硅耗尽” 现象，即反型层形成时，栅极多晶硅靠近氧化层处会出现耗尽层，影响导通特性。解决此问题，金属栅极是较好方案，像钽、钨、氮化钽、氮化钛等金属可作为栅极材料与高介电常数物质构成的氧化层组成 MOS 电容，也可采用将多晶硅完全合金化的 FUSI 制程来解决。 在制作栅极时，多晶硅常用于自对准工艺，它能界定有源区边界。离子注入时，多晶硅区域可阻挡离子，无多晶硅的区域则被注入离子形成有源区，实现自动对准有源区。像铝金属等熔点低，无法承受离子注入，不适合做自对准，而高熔点金属则可以。
最近看到一个关于上下拉电阻的问题，发现不少人认为上下拉电阻能够增强驱动能力。随后跟几个朋友讨论了一下，大家一致认为不存在上下拉电阻增强驱动能力这回事，因为除了OC输出这类特殊结构外，上下拉电阻就是负载，只会减弱驱动力。 但很多经验肯定不是空穴来风，秉承工程师的钻研精神，我就试着找找这种说法的来源，问题本身很简单，思考的过程比较有趣。 二极管逻辑 今天已经很难看到二极管逻辑电路了，其实用性也不算高，不过因为电路简单，非常适合用来理解基本概念。 一个最简单的二极管与门如下图。与门实现逻辑与操作Y=A&B，即A或者B任意为L的时候，输出Y为L，只有当A和B都为H时，Y才为H。 上图，基本二极管与门。 假设二极管无导通压降，在这个电路中，二极管充当了单向开关的角色，当A和B等于VDD时，两根二极管反向截至，Y被电阻上拉到VDD，这是Y就是H；当A或者B任意一端为GND时，二极管导通，因为二极管导通时电阻很小，远小于上拉电阻，所以Y被拉到了GND，即逻辑L。 至于二极管或门，只要把二极管转一下，再把电阻从拉到VDD改成拉到GND就可以了，非常简单。 上图，基本二极管或门。 基本原理 你看，在这么原始的逻辑电路中就已经出现了上下拉电阻，这里面的原理也非常简单粗暴：利用开关的闭合（电阻为0）和开启（电阻无穷大）的特性，配合电阻，就可以轻松实现两种电压的输出。这种电路还有一个变形，就是用恒流源取代电阻，一方面集成电路工艺，恒流源比电阻更容易获得，另一方面恒流源的驱动能力也更好。根据开关和电阻（或恒流源）的相对位置，有以下基本电路：即开关接到GND（L）或开关接到VDD（H）。 上图，几种开关电路接法。 这几种电路都是由开关的闭合或开启决定了VOUT是VDD还是GND。开关的相对位置不同，还决定了电路在某一状态下的驱动能力：开关的导通电阻为0，可视为驱动力无穷大，可是电阻（或恒流源）的驱动能力呢，只有VDD/R（或者恒流I），这就导致了电路在输出H或L的时候驱动能力不对称（换一个说法，就是电路在输出H或者L的时候，输出阻抗不一样）。 除了驱动能力的问题，这种单开关加电阻的模式还会带来静态功耗的问题，因为只要开关闭合，不管外部有没有负载，都会消耗电流。 既然开关的驱动力比电阻强，那么能不能把电阻也换成开关？恭喜你，发现了现代CMOS逻辑电路的基本单元：俩互补的开关。这样不管输出H还是输出L，驱动能力都是无穷大！好的，这时候上下拉电阻就不见了。 这样两个开关的电路还多出来了一种状态：当两个开关都开启时，VOUT即不是VDD也不是GND，而是一个悬空的状态（即高阻态，Hi-Z），这时候外部给什么信号它就是什么状态。这样又出现了一个新的逻辑门大类：三态逻辑门。 上图，互补开关电路。 上下拉电阻增强驱动能力？ 很多经验不是空穴来风，只是在流传的过程中丢失了重要的前提条件。上一节也看到了有一些逻辑器件，他们输出高和输出低时的驱动能力差别很大。 TTL（70xx、74Fxx、74Sxx、74LSxx等）家族的器件就属于这种类型，如下图是7404（TTL反相器）的原理图，由于非对称的输出级设计，输出为高时驱动能力只有0.4mA，而输出低时居然能输出16mA的电流（手册中的输出电流不是晶体管或者电路本身的极限，而是超过这个电流以后，输出的电压可能无法满足逻辑族的要求）。 上图，7404的简化电路。 这个时候在输出端口外加一个上拉电阻，就可等效以增强端口在输出H时的驱动能力，但代价是端口输出L时，驱动能力相应地减弱，不过这时候芯片输出能力足够强，用这点代价来换取另一个状态下驱动能力的增强，还是划算。 上图，带上拉电阻的7404。 下表是仿真有无上拉电阻时，负载电流与输出电压的关系，可以看到上拉电阻确实增强了在一定负载下的输出电压，不过当负载电流较大时效果并不明显，而且边际效应也很显著，当上拉电阻减小到一定程度以后，增强效果也不太显著，而且会大大增加静态功耗。 上表，带不同上拉电阻的7404输出电压与负载电流的关系。 既然非对称的输出级有这样的问题，那为啥不能把这个驱动器设计成上下对称的呢？ 一方面，如果要设计成上下对称的结构，上管需要用P管，而当时的工艺限制，P管各方面性能都不如N管，速度、功耗和成本都不是很划算，所以能看到很多上年代的芯片，内部几乎没有P管（包括MOS工艺的器件也是）。 另一方面，TTL输入结构的特点，输入为H时所需电流很小，而输入为L所需的输入电流很大，这样对输出L时的驱动能力要求就很高，反而对输出H时没有驱动能力要求（TTL输入悬空时等效为H）。 但TTL的这种特点，又会带来一个比较麻烦的问题：下拉电阻值需要很大才能满足要求，而下拉电阻太大则会导致输出高时负载太重以至于无法达到规定电压，所以TTL要尽量避免使用下拉。 下图是仿真结果，因为这是一个反相器，所以下拉时输出高是所期望的，而下拉电阻超过1.8kΩ时已经无法满足TTL定义的最低高电平标准了；而上拉时，就算上拉电阻达到20kΩ，也丝毫不影响输出。 上表，TTL上下拉电阻取值与输出电压的关系。 CMOS电路 相信现在已经没多少人会在设计时选用TTL家族的器件了，可能多数人都没接触过这类器件，最常用的还是CMOS家族（HC、HCT、LVC、CD4000等）。 CMOS家族的东西就比较简单粗暴，上下对称的结构，上下管驱动能力也基本一致，这个时候输出的上下拉电阻对增强驱动能力几乎没有帮助不说，还加重了负载，属于得不偿失（其实多数情况下是无关痛痒）。 下图是基本的CMOS反相器，只需要一对互补的MOS管即可实现（现实中的CMOS反相器一般是三对这种管子级联出来的，为了提高开环增益）。 但是CMOS器件的输入悬空时，不会被拉向任何一个方向，处于一种浮空的状态，这样会造成输出紊乱，不是我们所希望的结果，这种情况下需要在输入端接入上拉或者下拉电阻给电路提供一个确定的状态。一般可拔插的对外接口（如JTAG）需要在I/O上加上上下拉电阻，有三态的总线视工作情况也可能需要上下拉，不过大多数的CMOS电路不需要额外的上下拉电阻。 上图，CMOS器件在使用是一般要加上下来避免输入悬空。 因为CMOS输入是电压控制型，输入阻抗很高，所以上下拉电阻的值可以很大，理论上用MΩ级别的电阻都没问题。 不过理论归理论，工程师得认清现实。现实的CMOS输入结构，为了保护MOS管的栅极，会在栅极上加入ESD二极管，二极管反向偏置的时候是有漏电流的，还会随温度的升高还会指数增长！所以CMOS电路的上下拉电阻一般在100kΩ以下，一些制程比较先进的CPU，I/O口的漏电流或者上下拉电流较大，上下拉电阻一般取在几kΩ级别。所以设计上下拉电阻前一定要仔细阅读芯片手册，查查I/O的输入电流，看看取什么样的电阻值才合理。 上图，CMOS输入有ESD二极管。 其他需要上下拉的情况 开集（Open-Collector）和开漏（Open-Drain）的输出结构往往也需要加上拉电阻:理清推挽、开漏、OC、OD的特点与应用。OC和OD输出结构只有下管，所以只能输出L和高阻（Hi-Z）两种状态，而高阻态是难以被电路识别的，所以需要合适的上拉电阻把高阻态转变为高态。 上图，OC（左）和OD（右）输出结构。 虽然OC和OD输出结构看起来很复古，使用时也需要外接电阻有点麻烦，但这种结构最大的好处就是可以做线与，也就是多个OC或者OD可以接到一起，只要其中一个输出L，总线就是L，这在多外设中断和电源时序控制方面很常用。 上图，OC/OD的线与接法。 I2C也是OC/OD结构，这样很轻松就能在一条数据线上双向传输数据而不需要额外的方向控制信号，而CAN总线则巧妙地利用线与特性来实现总线仲裁。 在处理OC或者OD电路的时候，一定要注意评估总线负载电容、上拉电阻与所需速度的关系，负载电容越大，速度越快，所需的上拉电阻要越小:通俗理解STM32中的上/下拉电阻。比如I2C总线，如果只挂载了一片从设备，使用4.75kΩ的上拉电阻可能就满足400kHz的总线要求了，但如果挂了10片从设备呢，1kΩ的上拉电阻也不一定能搞定100kHz的总线速度，这种时候可能得考虑总线负载隔离或者降低总线速度了。 下图是在200pF负载电容情况下，上拉电阻为500Ω、1kΩ、2kΩ、4.75kΩ和10kΩ下的波形，可以看到上拉电阻越大，对电容充电速度越慢，所以上升沿也越慢，当上拉电阻不合适时上升沿已经严重变形，无法保证正常工作。 上图，OC电路不同上拉电阻对波形的影响。 逻辑反相器可以当成放大器来用！不是开玩笑，我还真见过产品上用这种骚操作的，只需要把反相器接成反向放大器就可以了，不过逻辑器件当线性器件用，性能嘛... 上图，逻辑反相器（非门）当成线性放大器用。
一）简介： RT9293 是一款高频、异步的 Boost 升压型 LED 定电流驱动控制器，其工作原理如下： 1）基本电路结构及原理 ????查看更多目录???? RT9293的主要功能为上图的Q1. Boost 电路核心原理：基于电感和电容的特性实现升压功能。当驱动信号使能，增强型 Nmos 管导通时，电感充电，电容两端电压为电源电压，二极管防止电容放电；当 Nmos 管截止时，电感放电，其电动势与电源串联使电容两端电压抬高，从而实现升压。 2) RT9293 内部电路结构： 内部集成了支持多达 10 只 WLED 串联的背光应用和 OLED 供电的 MOSFET，还内置了软启动功能以消除冲击电流。其工作在 1MHz 的频率下，允许使用小型的元器件，可简化 EMI 问题。 3) 工作过程 使能与参考电压产生：EN 引脚上升沿使能后，在 FB 端口会输出一个参考电压 VA，该参考电压可根据使能引脚的占空比来调。当输入 PWM 信号频率小于 500Hz 时，VA 是一个 PWM 信号；输入 PWM 信号频率大于 500Hz 时，VA 相当于一个直流信号。VA 经过一个推挽结构，将外部输入的 PWM 转换为同频同占空比的高电平为 300mV 的 PWM 波，然后经过一个低通滤波器得到。 1,电流控制： 提供给 LED 的电流由外部电流检测电阻 RSET 所确定，ILED = VSET/RSET。在确定好 RSET 的阻值之后，通过控制反馈电阻上端的电压就可以控制流过 LED 的电流。其可通过两种方式接入 PWM 波进行调光，一是 PWM 接入 EN 引脚，通过改变内部的参考电压来控制外部反馈电压的稳定值；二是 PWM 接入 FB 引脚，需要用一个低通滤波器将 PWM 波转成直流信号，然后接入通过一个电阻接入 FB 引脚，实现对 VSET 的控制。 2,反馈与调节： 误差放大器会回送反馈信号 FB，通过对输出电流的监测和反馈，与内部参考电压进行比较，然后根据比较结果调整 MOSFET 的导通占空比等参数，从而实现对输出电流和电压的稳定控制。当占空比低时会产生更大误差，所以对 PWM 输入信号的占空比有最低值要求。 3,保护机制 过压保护：RT9293A 提供了 50V 的过压保护，RT9293B 提供了 50V/20V 的过压保护。当输出电压超过设定的过压保护阈值时，芯片会采取相应的保护措施，如切断输出或调整输出电压等，以防止下游电路因过压而损坏。 欠压保护：当输入电压低于芯片的欠压保护阈值时，芯片会停止工作或进入低功耗模式，以避免芯片在欠压状态下出现异常工作或损坏。 过温保护：在芯片工作过程中，如果温度升高到一定程度，超过了芯片的过温保护阈值，芯片会自动降低工作效率或停止工作，待温度降低到安全范围内后再恢复正常工作，以防止芯片因过热而损坏。 二）实际电路和电流计算 1）5寸液晶屏背光参数： 电流调节范围： 这里驱动电流最大值过大，会影响液晶屏背光管的寿命。按照液晶屏背光LED参数计算为Imax = 42.5mA。所以应该调整电阻Rset=7.58R. 这样， Imax = 42.5mA,Imin=10.3mA. 调整后的电路图如下： 2）7寸液晶屏背光参数： 根据最大电流计算Imax = 212.5mA. 根据以上电路计算 电阻Rset=1.52R. 如此：电流调整范围：Imax = 212.5mA. Imin = 51.2mA. 电路图如下：
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