1、电感本质 我们通常所说的电感指的是电感器件，它是用绝缘导线(例如漆包线,沙包线等)绕制而成的电磁感应元件。 在电路中，当电流流过导体时，会产生电磁场，电磁场的大小除以电流的大小就是电感。 电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。 1.2 电感分类 按电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 按工作频率 分类：高频线圈、低频线圈。 按结构特点 分类：磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。 空心电感,磁芯电感和铜芯电感一般为中频或高频电感而铁心电感多数为低频电感 1.3电感的材质及工艺 电感器一般由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料、磁心等组成。 1）骨架：泛指绕制线圈的支架。通常是采用塑料、胶木、陶瓷制成，根据实际需要可以制成不同的形状。小型电感器一般不使用骨架，而是直接将漆包线绕在磁心上。空心电感器不用磁心、骨架和屏蔽罩等，而是先在模具上绕好后再 脱去模具，并将线圈各圈之间拉开一定距离。 2）绕组：指具有规定功能的一组线圈，有单层和多层之分。单层有密绕和间绕两种形式；多层有分层平绕、乱绕、蜂 房式绕法等多种。 3）磁心：一般采用镍锌铁氧体或锰锌铁氧体等材料，它有“工”字形、柱形、帽形、“E”形、罐形等多种形状。 铁心：主要有硅钢片、坡莫合金等，其外形多为“E”型。 4）屏蔽罩：用于为避免有些电感器在工作时产生的磁场影响其它电路及元器件正常工作。采用屏蔽罩的电感器，会增加线圈的损耗，使Q值降低。 5）封装材料：有些电感器（如色码电感器、色环电感器等）绕制好后，用封装材料将线圈和磁心等密封起来。封装材料采用塑料或环氧树脂等。 1.4 电感主要参数 1）电感量：也称自感系数，是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。 电感量的大小，主要取决于线圈的圈数、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大；磁心导磁率越大的线圈，电感量也越大。 应用的工作频率越高电感的尺寸可以越小 同样的阻抗值，频率越高，感值越小 感值小，圈数可减小，电感的尺寸就可以做小 感值小，材质的导磁率亦不用太高 （材质的导磁率越高，越不适合在高频工作） 2）允许偏差：指电感上标称的电感量与实际电感的允许误差值。一般用于振荡或滤波等电路中的电感要求精度较高， 允许偏差为±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高；允许偏差为±10%~15%。 3）固有频率：电感的等效电路实际上是电感与电容的并联谐振电路，其震荡频率 f0= 即是固有频率。 也定义为感抗和容抗相等时对应的自谐振频率。使用电感线圈时，为保障线圈的电感量稳定，应使线 圈的工作频率远低于固有频率。 4）分布电容：指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。电感的分布电容越小，其稳定性越好。 减小分布电容的方法： 1)如果磁性是导体，用介电常数低的材料 2)起始端与终止端远离（夹角>40°） 3)尽量单层绕制，并增加匝间距离 4)多层绕制时，采用渐进方式绕，避免来回绕制 5）直流电阻Rdc：指直流状态下测量器件的电阻值为直流电阻，表征器件内部线圈的质量状况。 6）阻抗Z：表征的是给定频率下元件对流经其本身的交流电流的总抵抗能力。 7）品质因数：也称Q值，是衡量电感质量的主要参数。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。 电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。在实际当中，Q不仅只与线圈的 直流电阻有关，还包括线圈骨架的介质损耗，铁芯和屏蔽的损耗以及在高频条件下工作时的趋肤效应等因素有关，提高线圈的Q值，并不是一件很容易的事情。 实际电感的应用选择必须同时兼顾较小的电感量波动与较高的Q值。 8）额定电流Ir：指电感正常工作时反允许通过的最大电流。若工作电流超过额定电流，则电感器就会因发热而使性能参数发生改变，甚至还会因过流而烧毁。 电感失效分析 电感器失效模式：电感量和其他性能的超差、开路、短路 模压绕线片式电感失效机理： 1.磁芯在加工过程中产生的机械应力较大，未得到释放 2.磁芯内有杂质或空洞磁芯材料本身不均匀，影响磁芯的磁场状况，使磁芯的磁导率发生了偏差； 3.由于烧结后产生的烧结裂纹； 4.铜线与铜带浸焊连接时，线圈部分溅到锡液，融化了漆包线的绝缘层，造成短路； 5.铜线纤细，在与铜带连接时，造成假焊，开路失效 1、耐焊性 低频片感经回流焊后感量上升 < 20％ 由于回流焊的温度超过了低频片感材料的居里温度，出现退磁现象。片感退磁后，片感材料的磁导率恢复到最大值，感量上升。一般要求的控制范围是片感耐焊接热后，感量上升幅度小于20%。 耐焊性可能造成的问题是有时小批量手工焊时，电路性能全部合格（此时片感未整体加热，感量上升小）。但大批量贴片时，发现有部分电路性能下降。这可能是由于过回流焊后，片感感量会上升，影响了线路的性能。在对片感感量精度要求较严格的地方（如信号接收发射电路），应加大对片感耐焊性的关注。 检测方法：先测量片感在常温时的感量值，再将片感浸入熔化的焊锡罐里10秒钟左右，取出。待片感彻底冷却后，测量片感新的感量值。感量增大的百分比既为该片感的耐焊性大小 2、可焊性 电镀简介 当达到回流焊的温度时，金属银（Ag）会跟金属锡（Sn）反应形成共熔物，因此不能在片感的银端头上直接镀锡。而是在银端头上先镀镍（2ｕm 左右） ，形成隔绝层，然后再镀锡（4－8ｕm ）。 可焊性检测 将待检测的片感的端头用酒精清洗干净，将片感在熔化的焊锡罐中浸入4秒钟左右，取出。如果片感端头的焊锡覆盖率达到90％以上，则可焊性合格。 可焊性不良 1）端头氧化：当片感受高温、潮湿、化学品、氧化性气体（SO2、NO2等）的影响， 或保存时间过长，造成片感端头上的金属Sn氧化成SnO2，片感端头变暗。由于SnO2不和Sn、 Ag、Cu等生成共熔物，导致片感可焊性下降。片感产品保质期：半年。如果片感端头被污染，比如油性物质，溶剂等，也会造成可焊性下降 2）镀镍层太薄，吃银：如果镀镍时，镍层太薄不能起隔离作用。回流焊时，片感端头上的Sn和自身的Ag首先反应，而影响了片感端头上的Sn和焊盘上的焊膏共熔，造成吃银现象，片感的可焊性下降。 判断方法：将片感浸入熔化的焊锡罐中几秒钟，取出。如发现端头出现坑洼情况，甚至出现瓷体外露，则可判断是出现吃银现象的。 3、焊接不良 内应力 如果片感在制作过程中产生了较大的内部应力，且未采取措施消除应力，在回流焊过程中，贴好的片感会因为内应力的影响产生立片，俗称立碑效应。 判断片感是否存在较大的内应力，可采取一个较简便的方法： 取几百只的片感，放入一般的烤箱或低温炉中，升温至230℃左右，保温，观察炉内情况。如听见噼噼叭叭的响声，甚至有片子跳起来的声音，说明产品有较大的内应力。 元件变形 如果片感产品有弯曲变形，焊接时会有放大效应。 焊接不良、虚焊 焊接正常 焊盘设计不当 a.焊盘两端应对称设计，避免大小不一，否则两端的熔融时间和润湿力会不同 b.焊合的长度在0.3mm以上（即片感的金属端头和焊盘的重合长度） c.焊盘余地的长度尽量小，一般不超过0.5mm。 d.焊盘的本身宽度不宜太宽，其合理宽度和MLCI宽度相比，不宜超过0.25mm 贴片不良 当贴片时，由于焊垫的不平或焊膏的滑动，造成片感偏移了θ角。由于焊垫熔融时产生的润湿力，可能形成以上三种情况，其中自行归正为主，但有时会出现拉的更斜，或者单点拉正的情况，片感被拉到一个焊盘上，甚至被拉起来，斜立或直立（立碑现象）。目前带θ角偏移视觉检测的贴片机可减少此类失效的发生 焊接温度 回流焊机的焊接温度曲线须根据焊料的要求设定，应该尽量保证片感两端的焊料同时熔融，以避免两端产生润湿力的时间不同，导致片感在焊接过程中出现移位。如出现焊接不良，可先确认一下，回流焊机温度是否出现异常，或者焊料有所变更。 电感在急冷、急热或局部加热的情况下易破损，因此焊接时应特别注意焊接温度的控制，同时尽可能缩短焊接接触时间 回流焊推荐温度曲线 手工焊推荐温度曲线 4、上机开路 虚焊、焊接接触不良 从线路板上取下片感测试，片感性能是否正常 电流烧穿 如选取的片感，磁珠的额定电流较小，或电路中存在大的冲击电流会造成电流烧穿，片感或磁珠 失效，导致电路开路。从线路板上取下片感测试，片感失效，有时有烧坏的痕迹。如果出现电流烧穿，失效的产品数量会较多，同批次中失效产品一般达到百分级以上。 焊接开路 回流焊时急冷急热，使片感内部产生应力，导致有极少部分的内部存在开路隐患的片感的缺陷变大，造成片感开路。从线路板上取下片感测试，片感失效。如果出现焊接开路，失效的产品数量一般较少，同批次中失效产品一般小于千分级。 5、磁体破损 磁体强度 片感烧结不好或其它原因，造成瓷体强度不够，脆性大，在贴片时，或产品受外力冲击造成瓷体破损 附着力 如果片感端头银层的附着力差，回流焊时，片感急冷急热，热胀冷缩产生应力，以及瓷体受外力冲击，均有可能会造成片感端头和瓷体分离、脱落；或者焊盘太大，回流焊时，焊膏熔融和端头反应时产生的润湿力大于端头附着力，造成端头破坏。 片感过烧或生烧，或者制造过程中，内部产生微裂纹。回流焊时急冷急热，使片感内部产生应力，出现晶裂，或微裂纹扩大，造成瓷体破损。
这个电控界的MOS管，但想让它听话，还得靠驱动电路！整理了 4 种常用方案： 直接驱动：使用微控制器或逻辑门直接连接MOS管的栅极。 推挽驱动：采用NPN和PNP三极管（或NMOS/PMOS）组成推挽结构，分别负责快速充放电栅极电容。 隔离驱动：通过光耦传递信号或变压器磁耦合，实现电气隔离，适合高压场合。 专用驱动芯片：集成推挽输出、电平转换、死区控制等功能。 关键设计考虑 栅极电阻：调节开关速度，平衡EMI与损耗。 布局布线：减少寄生电感，防止振荡和电压尖峰。 保护电路：加入TVS二极管或稳压管防止过压。 总而言之：选择合适的驱动电路需综合考虑功率等级、开关频率、隔离需求及成本等因素，确保MOS管高效可靠工作。 驱动电路分类 直接驱动 原理:使用微控制器或逻辑门直接连接MOS管的栅极。 优点:结构简单，成本低。 缺点:驱动电流有限，可能导致开关速度慢、 损耗大适用场景:低功率、低频率应用，如小信号开关。 推挽驱动 原理:采用NPN和PNP三极管(或NMOS/PMOS)组成推挽结构，分别负责快速充 放电栅极电容。优点:提升开关速度，减少损耗，驱动能力强 缺点:驱动电流受限于三极管或MOS管的参数，大功率场景需额外优化。 应用:中等功率开关电路，如电机控制。 隔离驱动 光耦隔离:通过光耦传递信号，实现电气隔离， 变压器隔离:利用磁耦合传递能量，支持高频应用，需注意磁芯饱和问题。 优点:电气隔离，安全性高。 缺点:光耦传输延迟较大，不适用于高频开关，磁芯变压器占用PCB面积，难以小型化。应用:逆变器、离线电源等高压系统。 专用驱动芯片 原理:集成推挽输出、电平转换、死区控制等 功能。优点:简化设计，提供高驱动电流和保护功能。 缺点:不同芯片支持的电压范围、死区时间配置可能受限，需匹配需求。 应用:半桥/全桥拓扑、大功率开关场景。
钽电容在电容界属于什么呢？可以说是富哥，因为钽是一种贵金属，回收价值高。 钽电容全称是钽电解电容，是属于电解电容的一类，相比于铝电解电容，它价格会更贵。在发展上钽电容最早是在1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的，可以做到在保证电容器体积小的同时又能够达到较大电容量的效果，性能优异。 钽电容具有高容量密度，低ESR，高温度稳定性，低漏电流以及寿命长等优点，在电子产品的设计有着广泛的应用。在结构上钽电容使用钽金属片作为电极，电介质是钽氧化物，在钽氧化物薄膜和钽金属片之间有一个极细的介电层，整个钽电容的结构被包裹在塑料或者金属外壳中，以保护其结构稳定性，免受环境的影响。 在封装形式上，钽电容主要分为贴片钽电容和引线钽电容两种形式，并且它是有极性的，其中贴片钽电容有标记的一端是表示正极，这个标示法刚好是和部分铝电解电容是相反的（也就是有标记的一端是负极）；而如果是引线钽电容，它的正极是长腿的那一根。 钽电容千万不要接反，不然就可能造成电容被烧焦，严重的情况甚至会发生爆炸。 那钽电容在使用时需要考虑哪些参数呢？其实也和正常电容使用时要考虑的参数差不多。 容值 正常来讲，容值随频率的增加而下降，随温度的增加也会跟着细微增加，不过因为钽电容的温度系数好，它是采用的固体MnO2电解质，所以它的容值变化相对来说更加稳定。 额定电压 在规格书中，一般标示的工作电压是一定温度下最大直流电压（小于85℃），当这个温度高于85℃时，额定电压就会降低，比如说到了125℃，额定电压就可能降低到了原来的额定电压的三分之二。 漏电流 DCL值是钽电容的性能表现的一个关键的参数，漏电流的衰减速度和高温时的漏电流变化率对于产品的可靠性起着决定性的作用。 耗散因子（DF值） 耗散因子是电容内部功率耗散的物理量，它指的是电容上施加交流电时的功率损耗，高的耗散因子可能会使得电容的寿命缩短，所以这个值是越小越好的。耗散因子的公式是串联电阻除以容抗，即DF=RS/XC。一般情况下，DF值会随着频率增加而增加。 绝缘电阻 绝缘电阻值是规定值，指的是在常温下，对电容以额定电压值进行充电1分钟/2分钟，然后再将电压值除以1分钟/2分钟的平均漏电流得到绝缘电阻值。 ESR 等效电阻，这里指的是电容的等效串联电阻，这个参数ESR的值会影响电源纹波和PDN仿真，其中MLCC的ESR一般都比较小，差不多是mΩ级别，不过像钽电容就会相对大一点，一般是Ω级别的。
这是前几天一位学员私底下问我的一个问题：阻抗不就是电阻吗？为什么不能直接叫电阻？答案：不是。 首先我们需要先理清一个概念：那就是如果电路中通的是直流电，那可以把阻抗等效于电阻，但是如果电路中通的是交流电，那阻抗就不单单是电阻了，还有感抗和容抗（两者也称为电抗）。也就是说，电阻（R）其实就是阻抗的一个“子集”，阻抗（Z）是电阻（R）和感抗（XL）以及容抗（CL）的总和，公式表示为： Z=R+jX（其中X为电抗）在电路中，即使是PCB的走线，面对交流电（或者高频信号）寄生的电感和电容都会直接影响到信号，也就不是单纯的电阻了，包括很多电子器件，都会存在寄生电容和寄生电感。 电容的两个极板之间是绝缘的，也就是两个极板之间是不短路的，那么任何两个不短路的导体都能等效于电容，虽然很小很小。比如电感，本身的铜丝就存在寄生电阻（ESR），虽然很小，同理也存在等效电容的。可以这么说：阻抗无处不在！对于电感来说，面对交流电，它有一个特性：总是阻止电流的变化，当电流变大时它就阻止电流变大，当电流变小时就阻止电流变小。这是由于电感的“自感”效应引起的。根据法拉第的电磁感应定律可以得知这一个现象。对于电容来说，面对交流电，它有一个特性：总是阻止两端电压的变化，当两端电压变大时它就阻止电压变大，当两端电压变小时它就阻止电压变小。面对交流电，电感，电容的电压和电流都出现了“错位”的现象，也就是电压和电流之间存在了“相位差”。 总结：电阻阻碍电荷流过导体，从而产生热量，并且这个热量只能白白浪费掉。而电抗（感抗/容抗）阻碍电荷流过导体时会以其他的形式交换能量，而不是消耗能量。感抗的大小从公式中可以看得出：频率越大，感抗越大！XL=2πfL容抗的大小从公式中可以看得出：频率越大，容抗越小！XC=1/(2πfC)
一）简介： RT9293 是一款高频、异步的 Boost 升压型 LED 定电流驱动控制器，其工作原理如下： 1）基本电路结构及原理 ????查看更多目录???? RT9293的主要功能为上图的Q1. Boost 电路核心原理：基于电感和电容的特性实现升压功能。当驱动信号使能，增强型 Nmos 管导通时，电感充电，电容两端电压为电源电压，二极管防止电容放电；当 Nmos 管截止时，电感放电，其电动势与电源串联使电容两端电压抬高，从而实现升压。 2) RT9293 内部电路结构： 内部集成了支持多达 10 只 WLED 串联的背光应用和 OLED 供电的 MOSFET，还内置了软启动功能以消除冲击电流。其工作在 1MHz 的频率下，允许使用小型的元器件，可简化 EMI 问题。 3) 工作过程 使能与参考电压产生：EN 引脚上升沿使能后，在 FB 端口会输出一个参考电压 VA，该参考电压可根据使能引脚的占空比来调。当输入 PWM 信号频率小于 500Hz 时，VA 是一个 PWM 信号；输入 PWM 信号频率大于 500Hz 时，VA 相当于一个直流信号。VA 经过一个推挽结构，将外部输入的 PWM 转换为同频同占空比的高电平为 300mV 的 PWM 波，然后经过一个低通滤波器得到。 1,电流控制： 提供给 LED 的电流由外部电流检测电阻 RSET 所确定，ILED = VSET/RSET。在确定好 RSET 的阻值之后，通过控制反馈电阻上端的电压就可以控制流过 LED 的电流。其可通过两种方式接入 PWM 波进行调光，一是 PWM 接入 EN 引脚，通过改变内部的参考电压来控制外部反馈电压的稳定值；二是 PWM 接入 FB 引脚，需要用一个低通滤波器将 PWM 波转成直流信号，然后接入通过一个电阻接入 FB 引脚，实现对 VSET 的控制。 2,反馈与调节： 误差放大器会回送反馈信号 FB，通过对输出电流的监测和反馈，与内部参考电压进行比较，然后根据比较结果调整 MOSFET 的导通占空比等参数，从而实现对输出电流和电压的稳定控制。当占空比低时会产生更大误差，所以对 PWM 输入信号的占空比有最低值要求。 3,保护机制 过压保护：RT9293A 提供了 50V 的过压保护，RT9293B 提供了 50V/20V 的过压保护。当输出电压超过设定的过压保护阈值时，芯片会采取相应的保护措施，如切断输出或调整输出电压等，以防止下游电路因过压而损坏。 欠压保护：当输入电压低于芯片的欠压保护阈值时，芯片会停止工作或进入低功耗模式，以避免芯片在欠压状态下出现异常工作或损坏。 过温保护：在芯片工作过程中，如果温度升高到一定程度，超过了芯片的过温保护阈值，芯片会自动降低工作效率或停止工作，待温度降低到安全范围内后再恢复正常工作，以防止芯片因过热而损坏。 二）实际电路和电流计算 1）5寸液晶屏背光参数： 电流调节范围： 这里驱动电流最大值过大，会影响液晶屏背光管的寿命。按照液晶屏背光LED参数计算为Imax = 42.5mA。所以应该调整电阻Rset=7.58R. 这样， Imax = 42.5mA,Imin=10.3mA. 调整后的电路图如下： 2）7寸液晶屏背光参数： 根据最大电流计算Imax = 212.5mA. 根据以上电路计算 电阻Rset=1.52R. 如此：电流调整范围：Imax = 212.5mA. Imin = 51.2mA. 电路图如下：
整流器是重要设备之一，因为构件的不同，目前市场上具备各种类型的整流器，如二极管整流器和晶闸管整流器。在本文中，小编将对这两种整流器进行介绍。此外，小编还将为大家介绍检测电子整流器的步骤。如果你对整流...
滤波器的主要功能就是内部的滤波电路，通过滤波器，使用人员能够对特定的频率信号加以处理。为增进大家对滤波器的认识，本文将对滤波器以及滤波器的主要参数予以介绍。如果你对滤波器具有兴趣，不妨继续往下阅读哦...
相信很多小伙伴在遇到需要使用磁珠时，总是理不清磁珠该怎么选型，或者说什么场景下适合使用磁珠，什么场景下不适合使用磁珠，今天我们一起来好好理一理！ 选型关键点：磁珠的阻值会随着频率的变化而变化，磁珠是以热量的形式散出，从而达到抑制的效果！ 一：形态 磁珠主要分为插件和贴片两种封装，具体使用哪一种封装，应以项目需求为准。 二：型号含义 一般来说，不同厂家的磁珠，型号的含义上都会有所区别，在选型时应以磁珠手册为准，以TDK的MPZ2012S601ATD25为例，手册如下图所示： 其中： MPZ：表示的是这个系列的名称，这一系列主要用于抑制高频噪声。 2012：表示的是磁珠的尺寸大小。 S：表示的是物料编码。 101：表示的是磁珠在100MHZ的标称频率下表现的阻抗大小为：100Ω。101即为10*10=100Ω。 A：表示的是类型。 T：表示的是封装形式。 D25：表示的是内部代码。 三：选型参数 主要关注以下几点： ①额定电流：由于磁珠是通过热量的形式散出的，当磁珠通过较大电流时，损耗也随之增加，热量增加，所以在选型时需注意电路的工作电流需小于额定电流，一般余量为1.5~2倍即可。 ②阻抗：标称评率基本都是100MHZ，磁珠手册中也会给出相应的曲线图，曲线图中一般都会出现电阻，电抗和阻抗的三条曲线，如下图所示： ③交叉频率：磁珠的等效模型为一个电感和电阻组成，在生产制作过程中可能还存在寄生电容。 而交叉频率就是XL和R的交叉点，如下图箭头所示： 在选型时应注意有用的信号频段要小于交叉频率，无用的噪音频 段要大于交叉频率。 ④直流导通电阻（DCR）：字面的意思就是直流电流通过磁珠时所表现出来的阻值大小。这个参数越小，对电压的压降越小，对信号的损耗越小。 ⑤阻抗-频率特性曲线：对于电源处的话，应该选用矮胖型曲线的磁珠，频率范围较宽，滤波范围大，当使用在信号处时，应选用瘦高型曲线的磁珠，比较有针对性，去除高频噪音，留下有用的信号。 实例：假如某芯片的工作电流为5V/100MA,，而且允许的压降为0.5V。那该如何选择磁珠？ 1：首先已知后端负载允许的压降为0.5V，工作电流为100MA，那磁珠的DCR计算如下： 0.5V/100MA=5Ω 留50%的余量，即DCR<2.5Ω即可。 2：额定电流：留1.5~2倍的余量即可。 3：阻抗：因为是电源滤波，所以尽量选择阻抗-频率特性曲线矮胖型即可。 对于磁珠使用在信号处，应该知道有用信号和噪音的频段。找到有用信号附近阻抗小，噪音附近阻抗大的磁珠，具体需要根据实际的项目测试为准，需要经过多次测试验证才能找到合适的型号。
MOS管工作时，DG、GS间结电容充电，G极电压达一定程度导通，R7泄放并加速开关。关断时，R6、D3回路放电加速开关，R6减震荡。Rc吸收尖波，D5防反峰电压击穿MOS。去掉C11、R8、D5回路，电路波形大幅震荡。 在电路中，MOS 管的 DG 和 GS 之间存在结电容，当电路工作时，DS 之间的电压会对这些结电容进行充电。随着 G 极积累的静电电压不断升高，一旦达到一定程度，MOS 管就会导通，若电压过高，甚至会导致 MOS 管损坏。此时，R7为结电容提供泄放通道，同时可以加快MOS开关速度，其阻值一般为几千欧姆左右。在MOS管关断时，R6 和 D3 构成的回路能够快速放掉栅极结电容的电荷，使得栅极电位快速下降，从而加快MOS管的开关速度。并且在高频环境下，MOSFET 的输入阻抗会降低，在特定频率范围内还会变成负阻并引发振荡，这时R6可以减少震荡。R6阻值一般较小，通常在几欧到几十欧之间。另外，由于 MOS 管存在分布电感，在其关断时会产生反峰电压。Rc部分用于吸收尖波，给反峰电压提供了释放回路。并且，D5 能够在出现反峰电压时保护 MOS 管，防止其被过高的电压击穿。经实验，若去掉由 C11、R8 和 D5 组成的回路，电路的波形会出现大幅震荡。
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