相信很多小伙伴在遇到需要使用磁珠时，总是理不清磁珠该怎么选型，或者说什么场景下适合使用磁珠，什么场景下不适合使用磁珠，今天我们一起来好好理一理！ 选型关键点：磁珠的阻值会随着频率的变化而变化，磁珠是以热量的形式散出，从而达到抑制的效果！ 一：形态 磁珠主要分为插件和贴片两种封装，具体使用哪一种封装，应以项目需求为准。 二：型号含义 一般来说，不同厂家的磁珠，型号的含义上都会有所区别，在选型时应以磁珠手册为准，以TDK的MPZ2012S601ATD25为例，手册如下图所示： 其中： MPZ：表示的是这个系列的名称，这一系列主要用于抑制高频噪声。 2012：表示的是磁珠的尺寸大小。 S：表示的是物料编码。 101：表示的是磁珠在100MHZ的标称频率下表现的阻抗大小为：100Ω。101即为10*10=100Ω。 A：表示的是类型。 T：表示的是封装形式。 D25：表示的是内部代码。 三：选型参数 主要关注以下几点： ①额定电流：由于磁珠是通过热量的形式散出的，当磁珠通过较大电流时，损耗也随之增加，热量增加，所以在选型时需注意电路的工作电流需小于额定电流，一般余量为1.5~2倍即可。 ②阻抗：标称评率基本都是100MHZ，磁珠手册中也会给出相应的曲线图，曲线图中一般都会出现电阻，电抗和阻抗的三条曲线，如下图所示： ③交叉频率：磁珠的等效模型为一个电感和电阻组成，在生产制作过程中可能还存在寄生电容。 而交叉频率就是XL和R的交叉点，如下图箭头所示： 在选型时应注意有用的信号频段要小于交叉频率，无用的噪音频 段要大于交叉频率。 ④直流导通电阻（DCR）：字面的意思就是直流电流通过磁珠时所表现出来的阻值大小。这个参数越小，对电压的压降越小，对信号的损耗越小。 ⑤阻抗-频率特性曲线：对于电源处的话，应该选用矮胖型曲线的磁珠，频率范围较宽，滤波范围大，当使用在信号处时，应选用瘦高型曲线的磁珠，比较有针对性，去除高频噪音，留下有用的信号。 实例：假如某芯片的工作电流为5V/100MA,，而且允许的压降为0.5V。那该如何选择磁珠？ 1：首先已知后端负载允许的压降为0.5V，工作电流为100MA，那磁珠的DCR计算如下： 0.5V/100MA=5Ω 留50%的余量，即DCR<2.5Ω即可。 2：额定电流：留1.5~2倍的余量即可。 3：阻抗：因为是电源滤波，所以尽量选择阻抗-频率特性曲线矮胖型即可。 对于磁珠使用在信号处，应该知道有用信号和噪音的频段。找到有用信号附近阻抗小，噪音附近阻抗大的磁珠，具体需要根据实际的项目测试为准，需要经过多次测试验证才能找到合适的型号。
MOS管工作时，DG、GS间结电容充电，G极电压达一定程度导通，R7泄放并加速开关。关断时，R6、D3回路放电加速开关，R6减震荡。Rc吸收尖波，D5防反峰电压击穿MOS。去掉C11、R8、D5回路，电路波形大幅震荡。 在电路中，MOS 管的 DG 和 GS 之间存在结电容，当电路工作时，DS 之间的电压会对这些结电容进行充电。随着 G 极积累的静电电压不断升高，一旦达到一定程度，MOS 管就会导通，若电压过高，甚至会导致 MOS 管损坏。此时，R7为结电容提供泄放通道，同时可以加快MOS开关速度，其阻值一般为几千欧姆左右。在MOS管关断时，R6 和 D3 构成的回路能够快速放掉栅极结电容的电荷，使得栅极电位快速下降，从而加快MOS管的开关速度。并且在高频环境下，MOSFET 的输入阻抗会降低，在特定频率范围内还会变成负阻并引发振荡，这时R6可以减少震荡。R6阻值一般较小，通常在几欧到几十欧之间。另外，由于 MOS 管存在分布电感，在其关断时会产生反峰电压。Rc部分用于吸收尖波，给反峰电压提供了释放回路。并且，D5 能够在出现反峰电压时保护 MOS 管，防止其被过高的电压击穿。经实验，若去掉由 C11、R8 和 D5 组成的回路，电路的波形会出现大幅震荡。
最近对MOS管的驱动设计进行相关思考和仿真，这里将一些感悟写出来，仅供记录。 使用分立器件搭建MOS驱动的话，一般会使用互补的三极管搭建图腾柱电路，但是为什么会是图腾柱的结构不是半桥的结构呢？又为什么是要用三极管呢？用MOS管不可以吗？因为这些思考，便开始了一些仿真和实验。 首先，下图是经典的图腾柱结构，这个电路是可以正常驱动MOS的。 但是，这个电路存在一些不足之处，比如输出的电压总是不能到电源轨，会差一个VBE的结压降（个人认为是VBE，有些文章写的是CE结压降，但是我认为这里是电压跟随器形式，输出跟随B极电压），大约是0.7V左右，虽然存在这个问题，但是拿来驱动MOS是没问题的，因为MOS也是有一个开启电压的，但是用着总是不太舒服。同时注意这里的三极管一般选取大电流、高放大倍数的，最好是开关三极管。 由于输出受限，所以就引发了我的思考，下面是使用MOS搭建的类似电路。 首先要明确的是，上面电路基本不能正常工作。因为这样也基本是电压跟随的形式，但是输出会与输入有一个MOS开启电压的差距，显然比三极管大多了。由此导致后级的功率MOS更不能正常工作了。 然后又搭建了下面两种半桥结构的电路。 上面两种电路都勉强可以工作，但是会存在驱动管上下直通的问题，导致驱动管有直通电流会引起较大的损耗，解决的办法最好是加入死区控制。但是死区电路较为复杂且难以使用分立元件很好匹配，所以经过试验之后，引出了上面使用MOS搭建的电路，上面将MOS驱动的充放电电路使用二极管区分开来，并且使用RC对MOS的开启信号进行简单延时。效果仿真还是基本可以的，但是在输入频率变化的时候可能会影响效果，比如在LLC电路中不一定能应用。这种MOS半桥电路在有些驱动芯片的数据手册上面见到过，可能使用集成电路工艺可以实现更好的死区匹配以实现这种方式。 至于上面的三极管半桥方案，因为三极管是电流驱动器件，可以用基极电流限制最大电流，也可以利用电阻或电感减缓直通的损耗，但是不建议这样用，没太大必要，驱动MOS的话直接用三极管搭建图腾柱电路就可以实现很好的效果了。 至于死区电路，有下面的仿真。本来我想把下面电路应用，但是发现MOS的电平匹配也比较麻烦，所以就以失败暂时告终了。后面再想办法处理吧。 上面电路核心就是利用与门将原始信号和经过延时后的信号求与逻辑，可以延迟上升沿信号。同样，可以使用或门来对下降沿信号进行延迟。将设计一个小板子用来实现单独PWM信号的死区生成。
Buck芯片 部分芯片有SS引脚，该引脚为软启动引脚，特点是电压升高不是瞬间跳变而是慢慢升高到额定电压。 同步整流的BUCK电路比普通的BUCK电路效率高，成本低。所以多用同步整流芯片，少用像LM2596这样的芯片（体积大，效率低，发热严重）。 提高效率的方法： 1、使用 小的MOS管，将两个MOS管并联可以进一步减小MOS管的； 2、使用DCR小的电感，开关频率越高，使用的电感越小 3、输出电容最好用多个MLCC（0.1uF、10uF、22uF），输入电容最好用一个大的固态电容加上几个小的贴片电容（1000uF、22uF、0.1uF） 4、提高输出电流 电感选择： 电感的选择取决于输入电压与输出电压的压差、所需输出电流与芯片开关频率，计算公式如下： 计算出电感值后，购买略大于计算值的使用，电感越大电源的纹波越小，但效率越低，根据实际情况选择电感大小。 电感选型： 常用电感有非屏蔽电感、半屏蔽电感、全屏蔽电感三类。 非屏蔽电感： 半屏蔽电感（就是漏了一半电感在外面，没全包住）： 全屏蔽电感（把线全部包住）： 非屏蔽电感会产生大量的漏磁，它们会进入其它回路和滤波元件中。在噪声敏感的应用中要使用半屏蔽或全屏蔽电感，敏感电路和回路要远离电感。特别是VO到FB的走线，要避开电感和二极管，特别注意不能和电感平行。 所以最好使用全屏蔽电感，避免漏磁干扰电路。 消除Buck转换器中的EMI问题： 1、转换器中的EMI源头： 造成EMI问题的辐射源有两类：交变电场（高阻），交变磁场（低阻）。Buck架构DC/DC转换器中主要的辐射源通常是磁场。磁场辐射是由小型电流环中的高频电流形成的。电流环所生成的高频磁场会在离开环路大约0.16以后逐渐转换为电磁场。现实中造成辐射超标的原因常常是应该极小化的环路变成了大的环路，或者是附加在线路上的导线形成了多余的辐射。这些大回路或导线所形成的天线效应将在总的辐射中发挥主要的作用。 2、转换器中的电流回路 Buck架构DC/DC转换器中存在两个电流发生剧烈变化的主回路： 上图（b）所示为引脚波形，区间Q1通，Q2关；区间Q1关，Q2通。 1.当上桥MOS管Q1导通，电流从电源流出，经Q1和L1后进入输出电容和负载，再经地线回流至电源输入端。在此过程中电流的交变成分会流过输入电容和输出电容。这里说的电流路径如上图红线所示，标记为. 2.当Q1截止以后，电感电流还会继续保持原方向流动，而同步整流开关MOS管Q2将在此时导通，这时电流经Q2、L1、输出电容流动并经地线回流至Q2，其回路如上图蓝线所示，标记为. 3.电流和都是不连续的，这意味着它们在发生切换的时候都存在陡峭的上升沿和下降沿，这些陡峭的上升沿和下降沿具有极短的上升和下降时间，因而存在很高的电流变化速度，其中就必然有很多高频成分。 将整个电路拆成两个工作区域，一个是区域，一个是区域。区域在时有电流，在时没电流，电流变化率大，生成的高频噪声就多。反观区域，由于电感的存在，电流不能跳变，相对稳定，电流变化率小，产生的高频噪声就少。所以进行Buck转换器PCB布局时，区域的面积应当尽可能设计的小一点。 芯片的VIN引脚和GND引脚之间要接一个0805封装的COG（最好）或者X7R（便宜）0.1uF电容，这个小电容越靠近芯片的VIN和GND引脚越好，在此小电容旁边再并联大容量MLCC电容。例如10uF或者22uF的0805电容。 芯片开关频率小于等于5MHz，VIN引脚和GND引脚之间就用一个0.1uF的0805COG电容；大于5MHz就使用0.01uF的电容。 SW引脚与FB引脚要越远越好 3、输入和输出的滤波处理 理想情况下，输入、输出电容对于Buck转换器的开关电流来说都具有极低的阻抗。但实际上，电容都存在ESR和ESL，它们都增加了电容的阻抗，并且导致上面出现额外的高频电压跌落。这种电压跌落将在电源供应线路上和负载连接电路上形成相应的电流变化。 由于Buck转换器输入电流的不连续特性和实际为转换器供电的电源线通常都很长的缘故，输入回路A3所造成的辐射也可能是很客观的，并且可导致超出规格的传导辐射（150kHZ~30MHz），不能通过电磁兼容（EMC）的传导测试检验。 对输入滤波： 为了降低输入电容造成的电压跌落，可以在靠近Buck芯片的地方放置多种不同尺寸的低ESR的MLCC电容，例如可将1206封装的20uF和0603或0402封装的100nF电容结合起来使用。为了降低输入回路的噪声，强烈建议在输入线上添加额外的LC滤波器（如一个1uH电感+100uF电解电容），用以抑制电源输入端可能出现的振铃信号，确保输入电源的稳定。 对输出滤波： 使用不同尺寸的MLCC电容作为输出电容Cout，小尺寸的0603和0402的22nF~100nF电容效果就很好，可以有效阻止源于开关切换节点的高频噪声经由电感L1的寄生电容耦合到输出端。输出线上添加磁珠可以构成额外的LC滤波器（如一个22uF的1206MLCC+0603 4A磁珠）。但使用高频磁珠可以防止输出回路变成有效的环形天线，但要注意磁珠可能会是转换器的负载瞬态响应特性和负载调整特性变差。如果应用中的负载在这分面有严格要求，就不要使用磁珠，可以直接将转换器尽可能地靠近负载，通过对铜箔的优化布置使环路的面积最小化。 4、降低转换器的开关切换速度 如果通过PCB布局和滤波设计的优化仍然不能让一个Buck转换电路的辐射水平低于需要的水平，那就只能降低转换器的开关切换速度来降低辐射水平。 EMI辐射通常发生在50MHz~300MHz频段，部分芯片可以通过设计外围电路改变开关频率，适当降低开关频率，可以降低辐射水平。 5、在自举电路上增加串联电阻 对于大多数应用来说在自举电容Cboot上串联一个10欧姆的电阻Rboot就可以降低辐射EMI 6、RC缓冲抑制电路 正确添加RC缓冲电路可有效地抑制振铃现象，同时会增加开关切换的损耗。 在开关节点SW处和功率地之间串联一个电阻和电容，注意和的大小一定要计算正确，随意放两个上去，并不会有效果，还会减少效率。 7、RL缓冲抑制电路 就是在电源处和VIN引脚之间接一个RL并联电路，如下图和。
为什么需要使用恒流源电路，有以下几个主要原因： 【基本定义】恒流源：是一种能够提供稳定电流的电路，不因环境温度变化而改变。广泛的应用于led驱动电路中，有降压驱动和升压驱动。 1、保持电流稳定 2、延长设备寿命 3、提高效率 4、减小电压变化的影响【具体设计】简单的恒流源用分立元件可以如图1/图2搭建；图二中Q1/Q2交替导通使得R3两端电压保持在0.7v，恒流稳定在0.7/R3；对于高精度恒流源需要使用运放来控制输出，因为它提供了反馈环路给输入，控制输出稳定；对于高功率的恒流源需要更复杂的设计，但是基本框图和运放一致；【测试注意】判断高精度恒流源电路有多个关键指标，延时(Vin->电流输出)、电流过冲＜5%（电流波形上冲下冲）、上升沿和下降沿时间（反映了一块电路的响应时间）、电流波形完整（无振铃无掉坑）、一致性（不同板子直接的差异）。 PS：常见问题， 1.mos管发热是因为mos的D、S存在导通电阻，大电流流过会发热损耗。管子关断时电流续流流经体二极管，其导通压降会产生功耗。今天有个小伙伴说他的dcdc输出电流大烧坏了mos；2.如果负载电流逐渐增大，对应的输出电压会越来越低；输入功耗也需要提高，在dc source加大电流限制提供更高的功耗输入实现大的电流输出；并且要考虑电感的续流能力是否能达到10A。
我们直接进入主题，先看图（MOS管的等效模型）：图1就如上图所示，MOS就不单纯是一个MOS了，Cds,Cgd,Cgs就是MOS的寄生电容，在制造的时候寄生电容是与生俱来的，由结构特性所决定，无法消除。在图1中输入电容Cin=Cgs+Cgd输出电容Cout=Cds+Cgd其中，米勒电容也叫反向传输后电容，即CRSS=Cgd CRSS:反向传输电容。而Cdg不是恒定不变的，它会随着S极和D极之间的电压变化而变化。米勒效应的定义： 指的是MOS管G极和D极之间的CRSS(反向传输电容)在开关的作用下引起的瞬态变化的现象。以NMOS为例，如下图所示：VG驱动MOS管时，可以简单的看成给输入电容充放电的一个过程，如下波形图所示：米勒效应图接下来，我们分阶段来分析米勒效应这个波形。t0~t1阶段，电流Ig给寄生电容Cgs进行充电，注意，t1之前MOS还是处于关闭状态，也就是这个时刻的电压未能达到MOS管的导通阈值Vg(th)，直到升到t1时刻Vgs才上升到Vg(th)。t1~t2阶段，此阶段Ig依旧给Cgs充电，MOS管开始导通，Id电流开始稳步上升。t2~t3阶段，这个阶段MOS管开始进入米勒平台时期，这个时期Ig开始转移到给Cgd进行充电，此时Id最大，Vds开始下降，Vgs电压维持不变。t3~t4阶段，这个阶段Vgs会持续上升到MOS完全导通，而米勒电容Cgd也是这个时期充满。 如何减少米勒效应：危害：MOS管米勒效应产生的米勒平台，会直接影响驱动电压和MOS开通阶段的时间，也会影响MOS截止阶段驱动电压的下降时间，加长整个开关时间，增加损耗，降低整体效率。措施1：减小驱动电阻和提高驱动电压，本质上就是提高驱动电流，加快电容的充电时间。措施2：优化PCB布线，尽量缩短驱动信号线的长度，加大宽度，以减少寄生电感。措施3：选择Cdg较小的MOS管。措施4：使用零电压开关技术。好了，今天就先到这吧！祝大伙周末愉快！
电子电路很容易在过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，随着技术的发展，电子电路的产品日益多样化和复杂化，而电路保护则变得尤为重要。电路保护元件也从简单的玻璃管保险丝，变得种类更多，防护性能更优越。 电路保护的意义是什么? 在各类电子产品中，设置过压保护和过流保护变得越来越重要，那么电路保护的意义到底是什么，今天就来跟大家聊一聊： (1)由于如今电路板的集成度越来越高，板子的价格也跟着水涨船高，因此我们要加强保护。 (2)半导体器件，IC的工作电压有越来越低的趋势，而电路保护的目的则是降低能耗损失，减少发热现象，延长使用寿命。 (3)车载设备，由于使用环境的条件比一般电子产品更加恶劣，汽车行驶状况万变，汽车启动时产生很大的瞬间峰值电压等。因此，在为这些电子设备配套产品的电源适配器中，一般要使用过压保护元件。 (4)通信设备，通信场所对防雷浪涌有一定的要求，在这些设备中使用过压保护、过流保护元件就变得重要起来，它们是保证用户人身安全和通信正常的关键。 (5)大部分电子产品出现的故障，都是电子设备电路中出现的过压或者电路现象造成的，随着我们对电子设备质量的要求越来越高，电子电路保护也变得更加不容忽视。 那么电路保护如此重要，常用的电路保护元件有哪些？今天就给大家介绍几种： 防雷器件 01陶瓷气体放电管： 防雷器件中应用最广泛的是陶瓷气体放电管，之所以说陶瓷气体放电管是应用最广泛的防雷器件，是因为无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压可选范围大。 02半导体放电管： 半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应(响应时间ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。 03玻璃放电管： 玻璃放电管(强效放电管、防雷管)是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高(≥10^8Ω)、极间电容小(≤0.8pF)、放电电流较大(最大达3kA)、双向对称性、反应速度快(不存在冲击击穿的滞后现象)、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高(最高达5000V)、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大(±20%)。 过压器件 04压敏电阻： 压敏电阻也是一种用得最多的限压器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。 压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。 压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。 05贴片压敏电阻的作用： 贴片压敏电阻主要用于保护元件和电路，防止在电源供应、控制和信号线产生的ESD。 06瞬态抑制二极管： 瞬态抑制器TVS二极管广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级保护。基本都会是用于在陶瓷气体放电管之后的二级保护，也有用户直接将其用于产品的一级保护。 其特点为反应速度快(为ps级) ，体积小 ，脉冲功率较大 ，箝位电压低等。其10/1000μs波脉冲功率从400W ～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A ;击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。 过流器件 07自恢复保险丝： 自恢复保险丝PPTC就是一种过流电子保护元件，采用高分子有机聚合物在高压、高温，硫化反应的条件下，掺加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。 自恢复保险丝(PPTC：高分子自恢复保险丝)是一种正温度系数聚合物热敏电阻，作过流保护用，可代替电流保险丝。 电路正常工作时它的阻值很小(压降很小)，当电路出现过流使它温度升高时，阻值急剧增大几个数量级，使电路中的电流减小到安全值以下，从而使后面的电路得到保护，过流消失后自动恢复为低阻值。 静电元件 08ESD静电放电二极管： ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。 ESD静电二极管是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容，具有优异的传输线脉冲(TLP)测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数高达1000之后，进而改善对敏感电子元件的保护。 09电感的作用： 电磁的关系相信大家都清楚，电感的作用就是在电路刚开始的时候，一切还不稳定的时候，如果电感中有电流通过，就一定会产生一个与电流方向相反的感应电流(法拉第电磁感应定律)，等到电路运行了一段时间后，一切都稳定了，电流没有什么变化了，电磁感应也就不会产生电流，这时候就稳定了，不会出现突发性的变故，从而保证了电路的安全，就像水车，一开始由于阻力转动的比较慢，后来慢慢趋于平和。 10磁珠的作用： 磁珠有很高的电阻率和磁导率，它等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。它比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果，在以太网芯片上用到过。 声明 本号所刊发文章仅为学习交流之用，无商业用途，向原作者致敬。因某些文章转载多次无法找到原作者在此致歉，若有侵权请联系小编，我们将及时删文或者付费转载并注明出处，感谢您的支持！
在电路板或者电子产品的使用过程中，难免会出现一些意外的状况，比如说某些电子元器件烧了，某些电路单元不能正常工作，导致电子产品整体不能正常使用。 对于其中一些基本的元器件故障，比如说电阻电阻电感等，它的具体表现会是怎样的呢? 对于其中的电阻故障，算是比较常见的，对于电阻的损坏，原因可以分为内部的和外部的，内部的主要是电阻本身的原因，比如说电阻的物料材料有问题，本身就是来料问题（供货的料就是坏的），外部的就可能是因为比如说电流过大导致烧毁或者阻值变化或者是焊接的电路板因为外力的缘故，所以发生了形变，从而导致电阻断裂（这种在贴片电阻里算是常见的），又或者是电阻发热的热量不能够及时的排出，使得电阻在过热的条件下就损坏了。 很多时候电阻的故障困难的不是修，而是整个排查的过程。 因为对于电阻的故障，修的路径基本上就是换电阻，而这个换的过程就是电烙铁手起刀落换就完事了，但是要知道，电阻是整个电路板中可能数量最多的一个元件了，这么多元件，如果不是有明显的烧毁痕迹，又怎么去寻找这坏掉的电阻。 电阻虽然是电路板中存在数量最多的元件，但是稳定性来说损坏率并不是最高的。它的损坏最常见的有如下几类，开路、阻值变化了，短路等等。 我们平时最常用的电阻可能有碳膜电阻，线绕电阻，金属膜电阻，保险电阻等等。实际使用时也需要考虑到电阻的材质，对于分析问题也是有一定的方向重点的。对于碳膜电阻和金属膜电阻，它的损坏特点主要表现在： a，100Ω以下等低阻值和100kΩ以上的高阻值，它的损坏率会更高，而在100Ω到100kΩ曲线的电阻相对来说电阻损坏的几率更小。 b，对于100Ω以下低阻值电阻的损坏，往往表现出来的是电阻直接被烧焦了，黑黑的表面，这种也是很容易被发现的，很可能流经电阻的功率过大而导致电阻烧毁的；对于100kΩ以上的电阻，如果电阻损坏往往从外观上看不出来什么，经常没有什么痕迹留下。 而在其他类型的电阻中，也有其相应特点，比如线绕电阻，它一般是用在大电流电路中用作限流，阻值不会很大，线绕电阻在失效时也常常是因为烧坏，表面会发黑或者爆皮，裂开等；而对于保险电阻，它的作用是为了保护电路，在电路出现故障并且超过它的额定功率的时候，它就会在规定时间内断开电路，从而起到保护电路的作用，而当保险电路损坏的时候，有点时候它的表面会炸掉一块皮，有点也没有什么痕迹，但是不会出现烧焦发黑的情况。 所以在对损坏的电阻主板进行分析的时候，对于电阻这一块可以有所侧重，分析电阻的材质，不同阻值表现特点，快速分析找到损坏的电阻。 具体实施上我们可以先观察电路板上是否有烧焦电阻的痕迹，如果没有发现，然后再根据电阻损坏时可能是出现开路或者阻值异常或者高阻值电阻容易损坏的特点，来用上万用表在电路板中去测试这些是否出现的异常的开路或者其他的异常，从而找出损坏的电阻。量的过程可能比较繁琐，但这也是排查少不了的过程。
目录： 1谐振变换器技术 2 LLC变换器的工作原理 谐振变换器之所以得到重视和研究，是因为在谐振时电流或电压周期性过零，利用这一点实现软开关，可以降低开关损耗，提高功率变换器的效率。 谐振功率变化器有以下三种：SRC（SeriesResonance Circuit）、PRC（Parallel ResonanceCircuit）、SPRC（Series-Parallel Resonance Circuit，又称LLC）。 电路中电感与电容串联，形成一个串联谐振腔。这个谐振腔的阻抗与负载串联，则由于其串联分压作用，增益总是小于1。谐振腔的阻抗与频率有关，在其谐振频率fr下阻抗最小，此时的增益也最大。 1.3 SPRC（串并联谐振电路） 2 LLC变换器的工作原理
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