原创 英诺赛科/英飞凌GaN创新：1200V；集成二极管

4月14日，英诺赛科（02577）发布公告，宣布自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品已实现量产。

据介绍，该产品凭借其宽禁带特性，在高压高频场景中展现出显著优势，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源车、工业及AI数据中心等领域。具体来看，该产品的突破性设计不仅解决了800V电动汽车平台的车载充电系统效率瓶颈——通过缩小设备体积延长续航里程，还支持AI数据中心的高压总线架构，实现服务器电源的高密度电能转换。目前，该产品已经过客户验证，并在中大功率电源方面实现量产，未来将进一步应用于新能源汽车和AI数据中心等领域。

同日，英飞凌官网宣布推出全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。

据介绍，该产品通过消除传统方案中的死区时间损耗，将系统效率额外提升5%；该集成解决方案简化了功率级设计并降低了 BOM 成本。

英飞凌透露，首款量产的100V/1.5mΩ型号采用紧凑的3×5mm封装，适用于服务器和电信 IBC、DC-DC 转换器、USB-C 电池充电器的同步整流器、大功率 PSU 和电机驱动器。

来源：行家说三代半

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。