原创 51单片机使用点滴

TTL电平和CMOS电平总结《转》
TTL电平：
输出高电平 〉2.4V 输出低电平 〈0.4V
在室温下，一般输出高电平是3.5V 输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平
输入高电平 〉=2.0V 输入低电平 《=0.8V
它的噪声容限是0.4V.
CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v《＝＝》cmos 3。3v），所以互相连接时需要电平的转换：就
是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈哈

OC门，即集电极开路门电路，它必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和
大电流负载，所以 又叫做驱动门电路。

TTL和COMS电路比较：
1、TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2、TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3、COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生
锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：
(1)、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
(2)、芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
(3)、在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
(4)、当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电
源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

4、COMS电路的使用注意事项
(1)、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉
电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
(2)、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
(3)、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
(4)、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
(5)、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。

5、TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1、悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载
特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入
端就一直呈现高电平。这个一定要注意。
COMS门电路就不用考虑这些了。

6、TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于
0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。
开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所
以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。

OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
7、什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？

TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级 关，图腾柱也就是
两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。
一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA

TTL电平（L电平：小于等于0.8V ；H电平：大于等于2V）
COMS电平（L电平：小于等于0.3Vcc ；H电平：大于等于0.7Vcc）

CMOS 器件不用的输入端必须连到高电平或低电平, 这是因为 CMOS 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. 如果不用的输入引脚悬空, 很容易感应到干扰信号, 影响芯片的逻辑运行, 甚至静电积累永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效.
另外, 只有 4000 系列的 CMOS 器件可以工作在 15伏电源下, 74HC, 74HCT 等都只能工作在 5伏电源下, 现在已经有工作在 3伏和 2.5伏电源下的 CMOS 逻辑电路芯片了.

CMOS电平和TTL电平: CMOS电平电压范围在3～15V，比如4000系列当5V供电时，输出在4.6以上为高电平，输出在0.05V以下为低电平。输入在3.5V以上为高电平，输入在1.5V以下为低电平。而对于TTL芯片，供电范围在0～5V，常见都是5V，如74系列5V供电，输出在2.7V以上为高电平，输出在0.5V以下为低电平，输入在2V以上为高电平，在0.8V以下为低电平。因此，CMOS电路与TTL电路就有一个电平转换的问题，使两者电平域值能匹配。

有关逻辑电平的一些概念 ：
要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：
1：输入高电平（Vih）： 保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。
3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。
4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
5：阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平<Vil，而如果输入电平在阈值上下，也就是Vil～Vih这个区域，电路的输出会处于不稳定状态。
对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：
Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。
6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。
7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。
8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。
9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：
（1）： RL < （VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）
（2）：RL > （VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）
其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。
：常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。
·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。

一、硬件部分

1、一定要记得接晶振和复位电路。很多学生在Proteus上仿真成功后，焊板子的时候总是不记得把晶振和复位电路接上，这样板子是不会工作的。

2、一般没有特殊要求的话，选用11.0592MHZ的晶振。这样有利于得到没有误差的波特率。特别是当与PC机进行通信的话，选用这种晶振比较好。

3、复位电路的电容可以选择10uF或者22uF。如果是10uF的话，充电电阻R的值要高于4K欧姆，如果你的单片机工作速度很慢，可以选择8.2K欧姆。

4、每个大规模的数字IC旁边都要放一个0.1uF的电容（一端接电源，一端接地）来去除高频的干扰。

5、在板子上最好做一个ISP下载座子与单片机相连，这样调试改写程序的时候就不用把单片机拔来拔去的，调试的周期也可以缩短。

6、目前比较好用的51单片机有ATMEL公司的AT89S系列、SST公司的SST89系列，现在新出现一个公司的好51单片机，价格更便宜，听说性能也不错，就是STC系列单片机。

二、软件部分

1、能用C语言开发就用C语言，这样开发速度比较快，而且代码也比较容易维护。

2、将你常用的芯片的服务编成函数库，这样就能重复利用了，降低开发的周期。

3、善于利用KEIL C51的开发环境与PROTEUS仿真环境的联合调试，可以降低开发的成本。

4、平常多做设计练习，多学多看，尤其要多多地收集别人公开的驱动源程序，这样可以在设计的时候少写很多代码。

5、设计完成后，要结合电路图和代码写出设计说明书，这样可以很好地保存自己的设计思路，对以后维护设计和移植设计都是很有好处的。

6、多看看《软件工程》和《数据结构与算法》，提高自己代码的可重用能力。

7、好的程序员是热爱程序的程序员，把你编写的每个源代码文件都加上自己的名字和版权说明，在能保护自己的知识产权的同时，也是对自己的一种激励。

8、大一点的设计都要写出数据词典，这样在用变量、写功能的时候就不会晕头转向。

单片机总结（硬件部分） 
一、8051系列微控制器 …………………………………………………………………… 1
1、单片机性能
2、存储器问题
3、功耗
4、精简8051器件

二、振荡器硬件 …………………………………………………………………… 1
1、在满足系统所需的性能的要求的前提下，应使用尽可能低的振荡器频率
2、晶振：

三、硬件复位 …………………………………………………………………… 2
1、8051的“复位脚”
2、阻容复位电路：

四、存储器问题 ……………………………………………………………………2
1、存储器类型：
2、单片机存储器分布
3、片外数据存储器（最大64K）
4、片外程序存储器（最大64K）

五、直流负载驱动 ……………………………………………………………………5
1、直接LED驱动
2、关于51单片机的上拉的心得
3、IC缓冲放大器
4、BJT（双极结性晶体管）驱动器
5、IC驱动器
6、MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）驱动器
7、SSR驱动

六、交流负载驱动 ……………………………………………………………………9
电磁继电器驱动

一、8051系列微控制器
1、单片机性能

●MIPS:百万次指令运行每秒，12MHz的8051性能：1MIPS。
●提高性能手段：(1)提高时钟频率 (2)改变微控制器的内部实现，使执行每个机器指令要求的振荡时钟周期数减少。
DALLAS 89C420：每个振荡时钟周期执行1条指令，振荡频率50MHz，40~50MIPS。
●振荡周期/12=机器周期;机器周期/n=指令周期

2、存储器问题
●标准8051内存--64KB程序存储器，256字节数据存储器（80C51）。
●其中数据存储器中的前128个单元可供用户使用，后128个单元被专用寄存器占用。

3、功耗
8051运行模式
●正常模式(Normal) 电流：20mA
●空闲模式(Idle) 振荡器继续运行，CPU与时钟信号断开，但中断系统、串行端口以及所有定时器仍然连接到时钟，CPU的状态被全面保存 。 电流：5mA
结束空闲模式：激活任意已使能的中断；硬件复位。
●省电模式(Power Down) 只有片内RAM内容被保持，其余所有功能被停止。 电流：50uA。
结束空闲模式：硬件复位。

4、精简8051器件
●特性：不支持外部存储器，一般省略P0，P2口； 比较宽的工作电压范围（3~7V），适于创建电池供电的系统。
●89C2051：4K程序存储器，256字节数据存储器
●功耗：Normal 10mA Idle 5mA PowerDown 10uA
二、振荡器硬件
1、在满足系统所需的性能的要求的前提下，应使用尽可能低的振荡器频率
●给予CMOS的8051中，振荡器频率和电源电流之间呈几乎线性的关系。
●芯片以较低速度运行时，存取低速外设的编程和硬件设计将极大地简化，而外部器件的成本也将降低。
●电磁干扰(EMI)随着时钟频率的增加而增加。

2、晶振：
●误差表征 "±20ppm"，百万分之二十，每过100万秒，晶体误差20秒。
●晶体易碎，对震动敏感。
●大多数晶振能驱动1~5个微控制器，可使多个微处理器同步。
三、硬件复位
1、8051的“复位脚”
当引脚=“0”，芯片正常工作；当引脚=“1”且保持两个机器周期以上，芯片将被复位。

2、阻容复位电路：
●微控制器输入电压的阈值为1.1V~1.3V，低于此阈值认为是逻辑0，高于则为逻辑1。

2、单片机存储器分布

2-1 程序代码区(CODE)：存放可执行程序代码，一般大小为64K，ROM。
●程序直接在ROM中运行，不复制到RAM中。
●将只读数据（例如数据表）放入ROM中可降低RAM负担，同时可提高MCU效率（例如正弦运算，运算需要3000次CPU操作，利用查表法只需数次CPU操作）

2-2 DATA,BDATA,IDATA,SFR区
bdata指可位寻址的内存空间 ，data指一般内存空间 ，xdata外部内存空间
内部数据存储器分成三个部分：RAM的低128个字节（可以直接/间接寻址）；RAM的高128个字节（和128字节的SFR共用同样的地址空间，但寻址方式不同）。

(1)DATA区：指前面0x00-0x7f的128个RAM，可以直接寻址访问,可以用acc直接读写的，速度最快，生成的代码也最小。
●0x00H-0x1FH为4组工作寄存器（reg0-reg7，R0-R7），每组8个字节，通过PSW选择其中一组使用。
0x20H-0x2FH为可位寻址存储器，即bdata区，既可以位寻址，也可以字节寻址
0x30H-0x7FH为字节寻址寄存器
●Keil中使用data关键字来明确规定某个变量存储在data区(char data input_data)
●对DATA区访问需要一个周期
(2)IDATA区：固定指前面0x00-0xff的256个RAM，其中前128和data的128完全相同，只是访问的方式不同（间接寻址）。
●idata是用类似C中的指针方式访问的。汇编中的语句为：mox ACC,@Rx.(不重要的补充：c中idata做指针式的访问效果很好)
●Keil中使用idata关键字来明确规定某个变量存储在idata区(char idata input_data)
●对IDATA访问需要2个周期[复制8位地址(1个周期)，移动指令(1个周期)]
(3)BDATA区：从20H到2FH可位寻址，与DATA区重叠。
●Keil中使用bdata关键字来明确规定某个变量存储在bidata区
(char bdata input_data //定义无符号字符型变量，可以取值0-255
Bit flag //定义位变量flag，可以取值0、1)

(4)SFR区：从0x80H-0xffH，该区域可位寻址、字节寻址或字寻址，用以控制定时器、计数器、串口、I/O及其它部件。
●128-255字节的IDATA区和SFR区共用同样的地址空间，但是这两个存储器区域使用不同的寻址方式访问。（IDATA间接寻址，SFR直接寻址）

(5)外部存储区：最大64K，访问较慢
xdata:外部扩展RAM，一般指外部0x0000-0xffff空间，用DPTR访问。
pdata:外部扩展RAM的低256个字节，地址出现在A0-A7的上时读写，用movx ACC,@Rx读写。
●对PDATA访问需3个周期[复制8位地址(1个周期)，移动指令(2个周期)]
●对XDATA访问需4个周期[复制16位地址(2个周期)，移动指令(2个周期)]

2-3避免各种程序和数据区之间的混乱
●8051具有64K存储区，程序数据共用，最大可扩展为64K程序区和64K数据区。
●/EA为低，片内程序（而不是数据）存储器被禁用，64K程序地址全部供外部存取使用；/EA为高，使用片内程序存储器，只有在程序需要存取超过存储器地址范围的存储单元时，才会访问外部存储器。

3、片外数据存储器（最大64K）

●（P0.0-P0.7）用于多路复用的地址/数据总线，输出低8位地址（A0-A7）和8位数据线(D0-D7)
●（P2.0-P2.7）用于输出高8位地址
●ALE（地址锁存选通）用来解复用AD0-AD7总线，在外部存取周期开始时，ALE为高，则CPU产生A0-A7，当ALE变低时，AD0-AD7总线被外部锁存。
ALE频率=1/6振荡器频率。
●PSEN（程序存储器使能）用于外部指令（程序存储器）访问的读选通。
●RD（读使能）WR（写使能）

●注意，如果MCU不是CMOS芯片而存储器件是CMOS芯片，则需要在P0口加10K上拉（为什么？？？）

可靠性和安全性：在使用外部存储器时，不能将P0,P2,P3再作为普通的输入口，
只能用sbit来保证只写“安全的”端口引脚。

4、片外程序存储器（最大64K）

扩展外部ROM存储器
●注意，如果MCU不是CMOS芯片而存储器件是CMOS芯片，则需要在P0口加10K上拉（为什么？？？）
五、直流负载驱动
1、直接LED驱动
●单片机每个引脚一般可以源出/灌入 10ma电流，P0端口总共能够吸收26mA的电流，P1,P2,P3每个端口总共能够吸收15mA的电流。当端口直接连接多个负载（例如8个LED），会超出微控制器的总端口驱动能力，应使用缓冲IC，对于低电流的LED（2mA）可以不用缓冲IC。
●LED大约有2V正向压降，一般需要5-15mA电流，传统硅二极管需要0.7V，这个差异是由于LED材料为磷砷化镓。

● 该电路需要在微控制器内部有上拉电阻的端口引脚上才能正常工作，否则需要在引脚上拉一个1K-10K的电阻，以确保端口能正常置“0”、“1”。 ●LED消耗大量的电能，且用于报警时在强光下不可见，需要再加声音报警。

●MOS工艺的微处理器拉/灌电流能力差不多，但是TTL工艺的器件拉电流能力要差很多（灌电流能力与MOS器件差不多）。因此，基于灌电流的设计比拉电流的设计有更好的可移植性。

2、关于51单片机的上拉的心得
● 当用作输出，所有口线的状态都与SFR锁存位的设置有密切的联系。P0口为低除外。当P0口的一个位写入0时，这个位被拉低。但是对P0口的其中一个位写入1时，这个位呈现高阻，也就是未能连机，不能使用。要想获得1输出，你必须在P0口外加上拉电阻。一般驱动LED的上拉电阻为470Ω，外接逻辑电路的上拉电阻为4.7K。

● 补充：一些口线被作为简单的高电平输入也与SFR锁存位有关。因为P1、P2、P3有内部上拉电阻，可以随意被拉高，拉低。而P0口作为高电平输入时，也会呈现高阻态。

● P0口和P2口的输入缓冲被用来作存取外部存贮用，P0口用作外部存贮器的低位字节的位址，并与数据读写多工。输出第一位元址，当位置线是16位时，P2口用作高8位的位址线，因此当对外面存贮时，P0口、P2口没法当作I/O口线。

● P1口具有内部上拉电阻，当端口用作输入时，必须通过指令将端口的位锁存器置1，以关闭输出驱动场效应管，这时P1口的引脚由内部上拉电阻拉为高电平，所以向P1写入1，工作正常。
P0则不同，它没有内部上拉电阻，在驱动场效应管的上方有一个提升场效应管，它只是在对外存储器进行读写操作，用作地址/数据时才起作用，当向位锁存器写入1，使驱动场效应管截止，则引脚浮空，所以写入1而未获得。

3、IC缓冲放大器

3-1 使用74x04，74x240，74x241，74x244作为缓冲放大器。
这些74x缓冲放大器每个引脚可以承受20mA的电流，240/241/244的总驱动电流是70mA，04的总驱动电流是50mA，最大延时时间为1微秒。

3-2 CMOS器件和TTL器件
●TTL器件通常在名称上带有”S”(74ALS04) ，速度快，功耗大
CMOS器件通常在名称上带有”C”(74HC04)，功耗低，速度较快
●CMOS芯片：逻辑0输出电平为0V，逻辑1输出电平为5V；输入在3.5V以上为高电平，输入在1.5V以下为低电平。
TTL芯片：逻辑0输出电平为0-1.5V，逻辑1输出电平为3.5-5V；输入在2V以上为高电平，在0.8V以下为低电平。

比较：◆在使用CMOS逻辑门缓冲放大LED输出时（图1），这种驱动方式可有效工作，因为电压摆幅足够大且固定。

◆在使用TTL逻辑们缓冲放大LED输出时（图2），有2个缺点，一是需要一个上拉电阻，将输出拉到5V，二是，输出低在0-1.5V的范围间变化，LED上的电阻参数不易确定

结论：在设计中应该尽可能使用CMOS电路，有TTL逻辑的缓冲器的输出端应使用上拉电阻。

3-3 可靠性和安全性
LED直接与微控制器相连的话会增加微控制器的损坏几率，增加缓冲放大器
可被优先损坏（保护微控制器），但会增加生产成本。
4、BJT（双极结性晶体管）驱动器

4-1 在微控制器与BJT连接之间加入缓冲器会比较安全（运用TTL芯片时，BJT基极处应加上拉电阻），另外对于微控制器而言，使用PNP型BJT的电路连接是灌入型，可靠性比NPN型的电路略高。

4-2 可靠性和安全性
因为系统复位后，许多端口的SFR被设为0Xff必须确保有安全性要求的设备连接至微控制器时是低电平有效的，即相应端口引脚输出为0时启动设备。

4-3 接通灯和直流电动机
当上图中负载为灯或电机时，电路的初始电流非常大，约为稳态电流的10倍，延续数百ms，应选择驱动能力足够大的BJT。让BJT驱动超过额定功率的负载，可能可以可靠工作，但会大大缩短其寿命。

4-4 连接感性负载
◆感性负载两端电压遵循V=L*dI/dT，当突然切断电流，电压会急剧上升，产生感应冲击，应加上续流二极管吸收感应冲击。

◆如果电流在切断后迅速衰减，可用电阻代替（为什么？？？） 切断时，电阻两端电压Vres=Iturnoff * R 切断负载时，BJT两端的电压Vbjt=Icc * Vres，必须选择合适阻值，以保证 Vbjt不超过允许的限制。

◆BJT相对IC驱动芯片是高性价比的解决方案；可以与低电压的微控制器兼容；BJT放大系数为100左右，驱动电流被限制在1-2A；开关速度为0.5uS，在一些PWM中可能不够快。

5、IC驱动器
5-1 通用灌（ULN2803）/拉(UDN2585)电流IC驱动器
●ULN2803：每个开关50V，0.5A（直流），包含了二极管以保护芯片免受“感应冲击”；不需要单独的电源接线，9脚接地，开关速度为1uS。

●UDN2585：源电流驱动器件，每个引脚提供最大120mA的电流，输出电压达25V。
9脚应接大功率电源（最大25V）的正端；用于感性负载，引脚10应该接地；开关速度5uS。

5-2 可靠性和安全性
●最好在微控制器和IC驱动芯片间使用一片IC缓冲器。

6、MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）驱动器
6-1 背景知识

●电压控制型开关，导通时间与BJT相同，“关断”时间快（50ns），可应用于高开关频率的系统（最高约1MHz）。
●具有极高的输入阻抗，栅极上基本没有电流，对静电敏感。
●可驱动大电流负载，达100A。

6-2 微控制器与MOSFET接口
●MOSFET可以直接用微控制器端口驱动，但一般需要12V+电压，可以使用74F06（输出端最大可达30V，输出电流达100mA）进行电压转换。

●IRF540最大可以开关100V，3A（直流）负载,但对于N沟道版本，其具有一个约0.04欧姆的导通电阻，该电阻决定了MOSFET的功率损耗（P=I*I*R） 6-3 其他

●对于电机控制（H桥），使用MOSFET可减少内部电压的压降，加上MOSFET的低成本和高开关速度，故使用较为普遍。
●IGBT结合了BJT和MOSFET的优势，具有低的通态电阻和约1uS的开关时间，是个较好的选择。

7、SSR驱动
●有直流和交流SSR，直流SSR不能控制交流电源，交流SSR不能控制直流电源
●SSR的典型损坏方式为输出短路，这是非常危险的。
●交流SSR不能用于开关直流电，因为交流SSR包含过零传感电路，而直流从不过零，所以SSR永远无法接通。
直流SSR基于MOSFET，而MOSFET不能用于开关交流电，所以SSR最多以整流器方式工作一会儿 ，然后就会过热。
六、交流负载驱动
电磁继电器驱动

1-1过零点检测

	如果在A点开关负载，将会引起最大的干扰，如果在B点开关则可大大减少干扰。因此，为使干扰最小，需要检测出波形的过零点，并在这一点切换负载。但电磁继电器不能与过零检测电路配合使用。
1-2切断电感性交流负载
	开关感性交流负载时使用RC冲击吸收电路保护电磁继电器。