原创 对MOSFET学习的理解

对P_MOSFET（图6-1

 ）的理解 

图6-2

在图6-2所示电路中，Q5低导通。Q6恒导通，一个二极管的压降。

对导通压降测试电路控制导通如图6-3,所示，恒导通如图6-4，当使用不同FET，在不同电流下导通压如表6-1所示。

图6-3

图6-4

表6-1

一个简单的驱动实例如图6-5，在这个电路中，用V1来驱动FET，V2的电压从0.5V到20V都能完成很好的动作。

图6-5

驱动FET双向导流的电路

如图6-6，在这个电路中当在2点加入驱动电压（本电路为高电压），则电流即可由3到4，也可以由4到3，成为无极性开关，3,4之间的电压可以高于或低于驱动电压，当U2=10V时，U3,4从0.2V-20V之间都有良好导通。

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图6-6

对与此模式电路的驱动如图6-7，当Q3不导通时，FET栅极为高，当Q3导通时，FET栅极为中点位，此处因为V2极性是可以变向，不确定的，所以地电位也是不确定的，A点作为“中”电位，与任意情况下的地相差一个导通电阻或寄生二极管的电位差，接近地电位。电阻选用上表示功能，如上拉使用100k，基极驱动使用10k，栅极驱动使用1k，射极负载使用1k。R1、R2的选取决定静态功耗，对后级电流（即FET开合程度）也有一定影响。

！! 注意：当V2与图示极性反接，导通没问题，但是不能完全截止，图示值下，负载有21mA电流！求解!

图6-7

图6-8是模拟与单片机接口控制的电路，上半部分电路较多用，很易理解，注意考虑单片机上电时不确定态（高阻）时系统状态，根据希望具有的状态，改变R9上下拉状态。

图6-8

如图6-8下

R5=1Ω  时导通电流9.1A，  截止电流1.8uA，V2换向时，导通电流9.1A，截止电流20mA，

R5=10Ω 时导通电流990mA，截止电流0A，V2换向时，导通电流990mA，截止电流19.8mA，

R5=100Ω时导通电流100mA，截止电流0A，V2换向时，导通电流100mA，截止电流18mA，

R5=1kΩ 时导通电流10mA， 截止电流1.7uA，V2换向时，导通电流10mA，截止电流9.8mA，