MOSFET的发明人--马丁·阿塔拉(Martin M. "John" Atalla)博士
MOSFET宣告了电子技术的统治地位,并且支撑了当今信息社会的基石——大规模集成电路(LSIs)。——Wikipedia
马丁·阿塔拉(Martin M. "John" Atalla(1924.08.04 - ))博士在两个截然的领域内同时受人尊敬。他是MOS场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的发明人之一,又被尊称为个人身份号码系统PIN(Personal Identification Number)之父。
阿塔拉博士出生在埃及塞得港(Port Said),之后赴美留学。1949年从普度(Purdue)拿到博士学位后,阿塔拉进入贝尔实验室(Bell Laboratories)研究半导体材料的表面特性。通过在硅片晶圆(Wafer)上培养出二氧化硅表层,他终于找到了帮助电流摆脱电子陷阱和散射(electron trapping and scattering)的方法。后人称之为表面钝化(surface passivation)的这项技术,因其低成本和易生产,而成为硅集成电路发展史上的里程碑。
其后,阿塔拉博士建议在场效应晶体管(于19世纪20年代被构想,并于40年代被实验验证,却远非完美的产物)表面运用金属氧化物(metal-oxide-semiconductor)。他把这项任务指派给了组内的韩裔科学家江大原(Dawon Kahng),并一起在1960年的某次学术会议上宣布了他们的成果。
离开贝尔实验室后,阿塔拉博士又曾先后为惠普和仙童半导体工作。1973年,他离开半导体业,创建了自己的公司阿塔拉(Atalla Corporation),专为银行和金融系统提供系统安全方面的解决方案。他发明的后人称之为阿塔拉盒(Atalla Box)的技术,至今仍被世界上80%的自动柜员机使用。与此同时,他发明的个人身份号码系统,亦成为银行业关于身份认证的基本标准。
现在,阿塔拉博士是A4系统公司(A4 System)的主席,并先后被评为普度大学2002年度工程杰出人物(Distinguished Engineering Alumnus),和美国发明家名人堂2009年度集成电路殿像(Honors Sultans Of Silicon)。
美国发明家名人堂(the National Inventors Hall of Fame)背景知识
为了纪念Jack S. Kilby (前德州仪器科学家,2000年荣获诺贝尔物理学奖,2005年在美国达拉斯因癌症逝世,享年81岁)和Robert Noyce(前飞兆半导体科学家,1959年申请IC专利,1990年逝世)发明集成电路(Integrated Circuit)50周年,美国发明家名人堂(the National Inventors Hall of Fame)将2009年的所有15项大奖,全部颁给了集成电路界的先驱们,并在历史上首次举办的硅谷狂欢庆典上,授予了前Intel总裁安迪?葛洛夫(Andy Grove)终生成就奖(Lifetime Achievement Award)。
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论