原创 Nios II系统外扩FLASH

这几天一直在调试外部存储器，也积累了一些经验和教训，养成良好的习惯，将这些记录下来。我用的FLASH是AM29LV160DB-90EC，主要管教功能：

A：地址线

DQ：数据线

DQ15/A-1：如果是字（16位）读写模式，该位作为数据最高位，如果是字节（8位）读写模式，该位作为地址最低位，在我的电路中采用字节读写模式，所以作为地址最低位。

CE：片选信号

OE：输出使能信号

RESET：复位信号

BYTE：选择8位还是16位读写模式，低电平是8位。

RY/BY：Ready/Busy输出

DQ15/A-1,即字模式下数据的bit15和字节模式下地址线的bit0
字模式下地址为A22:A0共23位
字节模式下地址为A22:A0,A-1共24位

使用字模式，也就是16位的数据线是，如果指定20位宽的地址总线，SOPC Builder会产生21位的地址总线，不要觉得奇怪，avalon的最低位A0应空着不用，A20：A1对应FLASH芯片的A19：A0

如果是字节模式，那么avalon的最低位A0应接FLASH的DQ15/A1，A1接FLASH的A0...

这两种方式我都试过了，用flash programmer都能成功将软件下载进外部FLASH