原创 暂态分析和拉普拉斯变换3-Reset

这篇文章主要介绍Reset的计算，一般我们的LDO都有reset的功能，举个例子TLE4299框图如下：

MCU的reset分好多种，这里主要先讨论两种reset的计算，
第一种是内部reset，watchdog（内部或外部）检测到单片机的异常Reset。
第二种是LDO在启动的时候的reset，或者电压过低的时候的reset。
一般单片机对于reset都有规定，随着晶振的不同而不同。因此我们需要知道我们所增加的被动元件的取值是否合理，下拉时间是否合理，上升的过程的电压变化率是否合适。
第一步建立模型图：

然后用网孔电流法（我还是觉得节点电压比较方便）

注意要化解下面的因子到最简化的状态，这里有个巨大的bug，以后我整理一下。（浪费了我好多时间）


最后判断Reset的时间是否满足单片机的要求：

上面是放电时间的要求，下面要计算充电时间：

以上计算主要是通过Lapalas变换和反变换进行的
如果要计算外部Reset，按照下图同计算方法，不详细叙述了。唯一的区别是通过LDO内部三极管控制的。

这里把所有的暂态分析过程都做完了，起始也很简单了，如果想看瞬时特性就这么分析。如果想更简单一些，就做仿真吧。