原创 开关控制的改进

三极管的开关电路分析（12V—SW）
介绍过一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以上的电路存在着几个缺点：
1.管压降较大
我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0～0.3V，这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V，某些1.5V的电源变成1.2V，这会导致由此供电的芯片损坏。
PMOS的管子压降为Vdrop=Id×Rdson，Rdson可选择，实际的值在1欧以内。
2.控制电流
我们知道Ib和Ic是相关的，饱和放大系数一般的设计为30，因此我们通过200mA的电流的时候，Ib=200/30=7mA，这样导致了控制电路功耗较大。
3.开关管功耗
我们知道三极管的功耗计算公司为Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec饱和时0～0.3V的条件下，当通过电流较大的时候，开关管的功耗就很大。
比较而言，PMOS的导通电阻Rdson较小（也可选择），P=Rdson×Id^2。
PMOS高压电路设计（12V）电路

对比PNP电路设计

低压开关（NMOS）【5V，3.3V，1.5V】

NMOS导通关闭条件：

PMOS导通关闭条件：