原创 三极管特性

2010-8-7 14:11 2185 2 2 分类: 工程师职场

三极管的特性通常用 输入特性和输出特性来表征:


输入特性--iB=f(uBE)|uCE=const


输出特新--ic=f(uCE)|ib=const     这两个特性是针对三极管共发射级接法的


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首先来看输入特性曲线:


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随着UCE电压增大,说明集电解收集电子的能力在增强,注意的是,随着UCE增强,曲线左移。


再来看看输出特性曲线:


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输出特性很容易分析,就不讲了


一般在选型的时候,考虑以下几个参数;


1。直流参数


2。交流参数


3极限参数


(1)直流参数:


直流电路放大系数 


1共发射极直流放大系数:


(IC-Icbo)/Ib|uCE=const


2共基极直流放大系数:


(IC-ICBO)/IE


~2极间反向电流:


1。集电极基极间反向饱和电流ICBO


ICBO符号的C,B代表集电极,基极。O是OPEN的意思,代表第三个电极E开路,相当于集电极的反向饱和电流。


由于ICBO很小,不容易测量到,所以一般用ICEO来表示ICEO=(1+B)Icbo


2.特征频率


三极管的B值不仅与工作电流有关,还与工作频率有关。由于结电容的影响(PN接的扩散电容等),频率增加时,三极管的B值会下降,当B下降到1时,所对应的频率为特征频率。用fT表示


3极限参数:


当集电极电路增加时,B就要下降,当B值下降到线性放大区B值的70%~30%,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM,当IC>ICM时,并不表示三极管已经损坏。


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4。集电极最大允许功率损耗PCM


集电极电流通过集电结时,所产生的功耗:


PCM=IC*VCB约等于IC*VCE


因为发射极正偏,呈低阻,所以一般用VCE代替VCB


5反向击穿电压:


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由PCM和ICM和V(br)CEO在输出曲线上可以确定过损耗区,过电流区和击穿区,见图


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