原创 逻辑电平的一些概念

2008-3-18 00:08 3203 7 7 分类: 模拟

要了解逻辑电平的内容,首先要知道以下几个概念的含义: <?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />


1:输入高电平(Vih): 保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平,当输入电平高于Vih时,则认为输入电平为高电平。


2:输入低电平(Vil):保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,当输入电平低于Vil时,则认为输入电平为低电平。


3:输出高电平(Voh):保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值,逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh


4:输出低电平(Vol):保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值,逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol


5:阀值电平(Vt) 数字电路芯片都存在一个阈值电平,就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于VilVih之间的电压值,对于CMOS电路的阈值电平,基本上是二分之一的电源电压值,但要保证稳定的输出,则必须要求输入高电平> Vih,输入低电平<VIL< span>,而如果输入电平在阈值上下,也就是VilVih这个区域,电路的输出会处于不稳定状态。


对于一般的逻辑电平,以上参数的关系如下:


Voh > Vih > Vt > Vil > Vol


6Ioh:逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)。


7Iol:逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)。


8Iih:逻辑门输入为高电平时的电流(为灌电流)。


9Iil:逻辑门输入为低电平时的电流(为拉电流)。


 


门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端,这种形式的门称为开路门。开路的TTLCMOSECL门分别称为集电极开路(OC)、漏极开路(OD)、发射极开路(OE),使用时应审查是否接上拉电阻(OCOD门)或下拉电阻(OE门),以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路(OC)门,其上拉电阻阻值RL应满足下面条件:


1): RL < VCCVoh/n*Iohm*Iih


2):RL > VCCVol/Iolm*Iil


其中n:线与的开路门数;m:被驱动的输入端数。


 


常用的逻辑电平


·逻辑电平:有TTLCMOSLVTTLECLPECLGTLRS232RS422LVDS等。


·其中TTLCMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:5V系列(5V TTL5V CMOS)、3.3V系列,2.5V系列和1.8V系列。


·5V TTL5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。


·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平,常用的为LVTTL电平。


·低电压的逻辑电平还有2.5V1.8V两种。


·ECL/PECLLVDS是差分输入输出。


·RS-422/485RS-232是串口的接口标准,RS-422/485是差分输入输出,RS-232是单端输入输出。


 


1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。 同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V3.5V的样子,CMOS一般是2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。


2。电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而 CMOS一般在10毫安左右。 3。需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS 几乎不需要电流输入。


 


4。很多器件都是兼容ttlCMOS的,datasheet会有说明。如果不考虑 速度和性能,一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能 引起电路工作不正常,因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为 负载才能正常工作。


1ttl门限电平比较低,固定,对于Vcc的变化门限电平基本不变;


cmos门限电平为Vcc/2,跟随Vcc的变化而变化。


所以在Vcc相同时,cmosttl噪声容限高,抗干扰能力强。


24000系列cmos器件供电范围更宽


3)通常(Vcc=5V)cmos逻辑电路可以直接驱动ttl逻辑电路,而ttl逻辑电路


直接驱动cmos逻辑电路会发生逻辑高电平识别错误,需调整逻辑电平的输出幅度。


 


TTl器件工作在5V 其输出为Voh-3.6V Vol-0.2V。而CMOS器件工作与3-15V,其输出为Voh=0.7-0.8VccVol=0.2Vcc


 


还有不同之处如下


TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大,负载以mA计,不用端多半可不做处理。


CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS,功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计,不用端必须处理。


设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片,对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。


通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。


 


1TTL电平:


输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V


 


2CMOS电平:


1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。


 


3,电平转换电路:


因为TTLCOMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。


 


4OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。


 


5TTLCOMS电路比较:


1TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。


2TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。


3COMS电路的锁定效应:


COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。


防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。


2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。


3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。


4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。


 


6COMS电路的使用注意事项


1COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。


2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。


3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。


4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。


5COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS


 


7TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):


1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。


2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。


 


8TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。


 


9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?


TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出,高电平400UA,低电平8MA 

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