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原创维基百科-MOSFET

 2009-12-28 17:42  4218 3 3 分类: 模拟

跳过字词转换说明

显微镜下的MOSFET测试用组件。图中有两个栅极的接垫（pads）以及三组源极与漏极的接垫。

金属-氧化层-半导体-场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随着半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效应晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效应晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide, SiO₂），不过有些新的高级制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。

今日半导体组件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide, GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET组件。

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表
面形成感应电荷，而这时所谓的“反转通道”（inversion
channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n-type，那么通道也会是n-type。通道形成
后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

电路符号

常用于MOSFET的电路符号有多种形式，最常见的设计是以一条垂直线代表通道（Channal），两条和通道平行的接线代表源极（Source）与漏极（Drain），左方和通道垂直的接线代表栅极（Gate），如下图所示。有时也会将代表通道的直线以虚线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。

由于集成电路芯片上的MOSFET为四端组件，所以除了源极（S）、漏极（D）、栅极（G）外，尚有一基极（Bulk
或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此组件为n-type或是p-type的MOSFET。箭头方向永远从P端指
向N端，所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET，或简称PMOS（代表此组件的通道为p-type）；反之若箭头从基极指向通道，则代
表基极为p-type，而通道为n-type，此组件为n-type的MOSFET，简称NMOS。在一般分布式MOSFET组件（discrete
device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端组件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common
bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。

几种常见的MOSFET电路符号，加上接面场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）一起比较：

			P-channel
			N-channel
JFET	增强型MOSFET	耗尽型MOSFET

上图中的MOSFET符号中，基极端和源极端均接在一起，但在集成电路中的MOSFET仍然不一定都是这样连接。因为通常一颗集成电路芯片中的MOSFET都共享同一个基极，故某些情况下的MOSFET可能会使得源极和基极并非直接连在一起，例如串叠式电流源（cascode current source）电路中的部份NMOS就是如此。基极与源极没有直接相连的MOSFET会出现基板效应（body effect）而部份改变其操作特性，将在后面的章节中详述。

[编辑] MOSFET的操作原理

[编辑] MOSFET的内核：金属—氧化层—半导体电容

主条目：金属氧化物半导体

金属—氧化层—半导体结构

MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为内核（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为N_A）形成的MOS电容，当一个正的电压V_GB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当V_GB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。

MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。

[编辑] MOSFET的结构

一个NMOS晶体管的立体截面图

左图是一个n-type
MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的内核是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须
同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义：(1)N代表掺杂
（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；（2）“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped
region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，
那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓
度不需要如源极或漏极那么高，故在左图中没有“+”。

对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至
表面，形成通道，让n-type半导体的多数载子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载子也无法在
源极与漏极之间流动。

假设操作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为p-type、基体则是n-type。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的电洞会被吸引到表
面形成通道，半导体的多数载子—电洞则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载子在源极和漏极间流
动。

特别要说明的是，源极在MOSFET里的意思是“提供多数载子的来源”。对NMOS而言，多数载子是电子；对PMOS而言，多数载子是电洞。相对的，漏极就是接受多数载子的端点。

[编辑] MOSFET的操作模式

NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同

V G S ? V t h

的关系

MOSFET在线性区操作的截面图

MOSFET在饱和区操作的截面图

依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：

截止区（次临限区）（cut-off or sub-threshold region）: 当栅极和源极间的电压V_GS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage, V_th）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。

但事实上当V_GS<V_th、MOSFET无电流通过的叙述和现实有些微小的差异。在真实的状况下，因为载子的能量依循波兹曼分布（Boltzmann distribution）而有高低的差异。虽然当V_GS<V_th的状况下，MOSFET的通道没有形成，但仍然有些具有较高能量的载子可以从半导体表面流至漏极。而若是V_GS略高于0，但小于V_th的情况下，还会有一个称为“弱反转层”（weak inversion layer）的区域在半导体表面出现，让更重载子流过。通过弱反转而从源极流至漏极的载子数量与V_GS的大小之间呈指数的关系，这样的电流又称为次临限电流（subthreshold current）。

在一些拥有大量MOSFET的集成电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。

线性区（三极区）（linear or triode region）

当V_GS>V_th、且V_DS<V_GS?V_th，此处V_DS为NMOS漏极至源极的电压，则这颗NMOS为导通的状况，在氧化层下方的通道也已形成。此时这颗NMOS的行为类似一个压控电阻（voltage-controlled resistor），而由漏极流出的电流大小为：

$I_D= \mu_n C_{ox}\frac{W}{L} \left( (V_{GS}-V_{th})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2} \right)$

μ_n是载子迁移率（carrier mobility）、W是MOSFET的栅极宽度、L是MOSFET的栅极长度，而C_ox则是栅极氧化层的单位电容大小。在这个区域内，MOSFET的电流—电压关系有如一个线性方程式，因而称为线性区。

饱和区（saturation region）

当V_GS>V_th、且V_DS>V_GS-V_th，
这颗MOSFET为导通的状况，也形成了通道让电流通过。但是随着漏极电压增加，超过栅极电压时，会使得接近漏极区的反转层电荷为零，此处的通道消失（如
图），这种状况称之为“夹止”（pinch-off）。在这种状况下，由源极出发的载子经由通道到达夹止点时，会被注入漏极周围的空间电荷区（space
charge region），再被电场扫入漏极。此时通过MOSFET的电流与其漏极—源极间的电压且V_DS无关，只与栅极电压有关，关系式如下：

$I_D = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{th})^2$

上述的公式也是理想状况下，MOSFET在饱和区操作的电流与电压关系式。事实上在饱和区的MOSFET漏极电流会因为通道长度调变效应（channel length modulation effect）而改变，并非与且V_DS全然无关。考虑通道长度调变效应之后的饱和区电流—电压关系式如下：

$I_D = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{th})^2(1+\lambda V_{DS})$

关于通道长度调变效应的成因与影响将在后面叙述。

[编辑] 基板效应

在集成电路中的MOSFET组件可能会出现基极与源极并不直接相连的状况，这种状况造成的副作用称为基板效应（body effect）。MOSFET受到基板效应的影响，临界电压会有所改变，公式如下：

$V_{TN} = V_{TO} + \gamma \left( \sqrt{V_{SB} + 2\phi} - \sqrt{2\phi} \right)$ ,

$V T O$ 是基极与源极之间无电位差时的临界电压， $γ$ 是基板效应参数， $2φ$ 则是与半导体能阶相关的参数。

[编辑] MOSFET在电子电路上应用的优势

MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实现成功，这种组件的操作原理和1947年萧克利（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高集成度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。

近年来由于MOSFET组件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数字讯号处理的场合上，也有越来越多模拟讯号处理的集成电路可以用MOSFET来实现，以下分别介绍这些应用。

[编辑] 数字电路

数字科技的进步，如微处理器计算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动组件中最快的一种。MOSFET在数字讯号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。

MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）
讯号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极
的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-
chip
load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的
逻辑电路（例如最常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负
载效应（loading effect）。

[编辑] 模拟电路

有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）
或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随着MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电
路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal
runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly
resistor），或是MOS电容本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容（PIP
capacitor），甚至在适当的电路控制下可以表现出电感（inductor）的特性，这些好处都是BJT很难提供的。也就是说，MOSFET除了扮
演原本晶体管的角色外，也可以用来作为模拟电路中大量使用的被动组件（passive
device）。这样的优点让采用MOSFET实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。

随着半导体制造技术的进步，对于集成更多功能至单一芯片的需求也跟着大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed
Circuit Board,
PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的模拟芯片与数字芯片被集成至同一个芯片内。MOSFET原本在数字集成电路
上就有很大的竞争优势，在模拟集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路集成起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合讯号电路（Mixed-signal circuits），如模拟/数字转换器（Analog-to-Digital Converter, ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。

近年来还有一种集成MOSFET与BJT各自优点的制程技术：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越来越受欢迎。BJT组件在驱动大电流的能力上仍然比一般的CMOS优异，在可靠度方面也有一些优势，例如不容易被“静电放电”（ESD）破坏。所以很多同时需要复噪声号处理以及强大电流驱动能力的集成电路产品会使用BiCMOS技术来制作。

[编辑] MOSFET的尺寸缩放

过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的集成电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米（micrometer）的等级。但是到了今日的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2008年初，Intel开始以45纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，实际的组件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有着密不可分的关系。

[编辑] 为何要把MOSFET的尺寸缩小

基于以下几个理由，我们希望MOSFET的尺寸能越小越好。

越小的MOSFET象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让更多电流通过。虽然通道宽度也可能跟着变小而让通道等效电阻变大，但是如果能降低单位电阻的大小，那么这个问题就可以解决。
MOSFET的尺寸变小意味着栅极面积减少，如此可以降低等效的栅极电容。此外，越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层，这可以让前面提到的通道单
位电阻值降低。不过这样的改变同时会让栅极电容反而变得较大，但是和减少的通道电阻相比，获得的好处仍然多过坏处，而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度
也会因为上面两个因素加总而变快。
MOSFET的面积越小，制造芯片的成本就可以降低，在同样的封装里可以装下更高密度的芯片。一片集成电路制程使用的晶圆尺寸是固定的，所以如果芯片面积越小，同样大小的晶圆就可以产出更多的芯片，于是成本就变得更低了。

虽然MOSFET尺寸缩小可以带来很多好处，但同时也有很多负面效应伴随而来。

[编辑] MOSFET的尺寸缩小后出现的困难

把MOSFET的尺寸缩小到一微米以下对于半导体制程而言是个挑战，不过现在的新挑战多半来自尺寸越来越小的MOSFET组件所带来过去不曾出现的物理效应。

[编辑] 次临限传导

由于MOSFET栅极氧化层的厚度也不断减少，所以栅极电压的上限也随之变少，以免过大的电压造成栅极氧化层崩溃（breakdown）。为了维持
同样的性能，MOSFET的临界电压也必须降低，但是这也造成了MOSFET越来越难以完全关闭。也就是说，足以造成MOSFET通道区发生弱反转的栅极
电压会比从前更低，于是所谓的次临限电流（subthreshold current）造成的问题会比过去更严重，特别是今日的集成电路芯片所含有的晶体管数量剧增，在某些VLSI的芯片，次临限传导造成的功率消耗竟然占了总功率消耗的一半以上。

不过反过来说，也有些电路设计会因为MOSFET的次临限传导得到好处，例如需要较高的转导／电流转换比（transconductance-to-current ratio）的电路里，利用次临限传导的MOSFET来达成目的的设计也颇为常见。

[编辑] 芯片内部连接导线的寄生电容效应

传统上，CMOS逻辑门的切换速度与其组件的栅极电容有关。但是当栅极电容随着MOSFET尺寸变小而减少，同样大小的芯片上可容纳更多晶体管时，
连接这些晶体管的金属导线间产生的寄生电容效应就开始主宰逻辑门的切换速度。如何减少这些寄生电容，成了芯片效率能否向上突破的关键之一。

[编辑] 芯片发热量增加

当芯片上的晶体管数量大幅增加后，有一个无法避免的问题也跟着发生了，那就是芯片的发热量也大幅增加。一般的集成电路组件在高温下操作可能会导致切换速度受到影响，或是导致可靠度与寿命的问题。在一些发热量非常高的集成电路芯片如微处理器，目前需要使用外加的散热系统来缓和这个问题。

在功率晶体管（Power
MOSFET）的领域里，通道电阻常常会因为温度升高而跟着增加，这样也使得在组件中pn-接面（pn-junction）导致的功率损耗增加。假设外置
的散热系统无法让功率晶体管的温度保持在够低的水平，很有可能让这些功率晶体管遭到热破坏（thermal runaway）的命运。

[编辑] 栅极氧化层漏电流增加

栅极氧化层随着MOSFET尺寸变小而越来越薄，目前主流的半导体制程中，甚至已经做出厚度仅有1.2纳米的栅极氧化层，大约等于5个原子叠在一起的厚度而已。在这种尺度下，所有的物理现象都在量子力学所规范的世界内，例如电子的穿隧效应（tunneling effect）。因为穿隧效应，有些电子有机会越过氧化层所形成的位能障壁（potential barrier）而产生漏电流，这也是今日集成电路芯片功耗的来源之一。

为了解决这个问题，有一些介电常数比二氧化硅更高的物质被用在栅极氧化层中。例如铪（Hafnium）
和锆（Zirconium）的金属氧化物（二氧化铪、二氧化锆）等高介电常数的物质均能有效降低栅极漏电流。栅极氧化层的介电常数增加后，栅极的厚度便能
增加而维持一样的电容大小。而较厚的栅极氧化层又可以降低电子通过穿隧效应穿过氧化层的机率，进而降低漏电流。不过利用新材料制作的栅极氧化层也必须考虑
其位能障壁的高度，因为这些新材料的传导带（conduction band）和价带（valence band）和半导体的传导带与价带的差距比二氧化硅小（二氧化硅的传导带和硅之间的高度差约为8ev），所以仍然有可能导致栅极漏电流出现。

[编辑] 制程变异更难掌控

现代的半导体制程工序复杂而繁多，任何一道制程都有可能造成集成电路芯片上的组件产生些微变异。当MOSFET等组件越做越小，这些变异所占的比例就可能大幅提升，进而影响电路设计者所预期的效能，这样的变异让电路设计者的工作变得更为困难。

[编辑] MOSFET的栅极材料

理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。目前MOSFET使用多晶硅作为的理由如下：

1. MOSFET的临界电压（threshold voltage）主要由栅极与通道材料的功函数（work function）之间的差异来决定，而因为多晶硅本质上是半导体，所以可以借由掺杂不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是，因为多晶硅和底下作为通道的硅之间能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以借由直接调整多晶硅的功函数来达成需求。反过来说，金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFET的临界电压就变得比较困难。而且如果想要同时降低PMOS和NMOS的临界电压，将需要两种不同的金属分别做其栅极材料，对于制程又是一个很大的变量。

2. 硅—二氧化硅接面经过多年的研究，已经证实这两种材料之间的缺陷（defect）是相对而言比较少的。反之，金属—绝缘体接面的缺陷多，容易在两者之间形成很多表面能阶，大为影响组件的特性。

3. 多晶硅的融点比大多数的金属高，而在现代的半导体制程中习惯在高温下沉积栅极材料以增进组件效能。金属的融点低，将会影响制程所能使用的温度上限。

不过多晶硅虽然在过去二十年是制造MOSFET栅极的标准，但也有若干缺点使得未来仍然有部份MOSFET可能使用金属栅极，这些缺点如下：

1. 多晶硅导电性不如金属，限制了讯号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。目前有些融点比较高的金属材料如：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物（silicide）。加上了金属硅化物的多晶硅栅极有着比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。

在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物的制程称为“自我对准金属硅化物制程”（Self-Aligned Silicide），通常简称salicide制程。

2. 当MOSFET的尺寸缩的非常小、栅极氧化层也变得非常薄时，例如现在的制程可以把氧化层缩到一纳米左右的厚度，一种过去没有发现的现象也随之产生，这种现象称为“多晶硅空乏”。当MOSFET的反转层形成时，有多晶硅空乏现象的MOSFET栅极多晶硅靠近氧化层处，会出现一个空乏层（depletion layer），影响MOSFET导通的特性。要解决这种问题，金属栅极是最好的方案。目前可行的材料包括钽（Tantalum）、钨、氮化钽（Tantalum Nitride），或是氮化钛（Titalium Nitride）。这些金属栅极通常和高介电常数物质形成的氧化层一起构成MOS电容。另外一种解决方案是将多晶硅完全的合金化，称为FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。

[编辑] 各种常见的MOSFET技术

[编辑] 双栅极MOSFET

双栅极（dual-gate）MOSFET通常用在射频（Radio Frequency, RF）集成电路中，这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极MOSFET的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。

[编辑] 耗尽型MOSFET

一般而言，耗尽型（depletion mode）MOSFET比前述的增强型（enhancement
mode）MOSFET少见。耗尽型MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度，使得这种MOSFET的栅极就算没有加电压，通道仍然存在。如果
想要关闭通道，则必须在栅极施加负电压（对NMOS而言）。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”（normally-closed）（ON）的开
关，而相对的，增强型MOSFET则用在“常断型”（normally-open）（OFF）的开关上。

[编辑] NMOS逻辑

同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。

[编辑] 功率MOSFET

功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。

主条目：功率晶体管

功率MOSFET和前述的MOSFET组件在结构上就有着显著的差异。一般集成电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的
距离。而所有的功率组件都是垂直式（vertical）的结构，让组件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺
杂浓度与n-type磊晶层（epitaxial
layer）厚度的函数，而能通过的电流则和组件的通道宽度有关，通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言，能承受的电流以及崩溃
电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说，组件的面积和其能容纳的电流成大约成正比，磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。

值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在，这类组件主要用在高级的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直
结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。

[编辑] DMOS

DMOS是双重扩散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的缩写，大部分的功率MOSFET都是采用这种制作方式完成的。

[编辑] 以MOSFET实现模拟开关

MOSFET在导通时的通道电阻低，而截止时的电阻近乎无限大，所以适合作为模拟讯号的开关（讯号的能量不会因为开关的电阻而损失太多）。
MOSFET作为开关时，其源极与漏极的分别和其他的应用是不太相同的，因为讯号可以从MOSFET栅极以外的任一端进出。对NMOS开关而言，电压最负
的一端就是源极，PMOS则正好相反，电压最正的一端是源极。MOSFET开关能传输的讯号会受到其栅极—源极、栅极—漏极，以及漏极到源极的电压限制，
如果超过了电压的上限可能会导致MOSFET烧毁。

MOSFET开关的应用范围很广，举凡需要用到取样持有电路（sample-and-hold circuits）或是截波电路（chopper
circuits）的设计，例如模拟数字转换器（A/D converter）或是切换电容滤波器（switch-capacitor
filter）上都可以见到MOSFET开关的踪影。

[编辑] 单一MOSFET开关

当NMOS用来做开关时，其源极接地，栅极为控制开关的端点。当栅极电压减去源极电压超过其导通的临界电压时，此开关的状态为导通。栅极电压继续升高，则NMOS能通过的电流就更大。NMOS做开关时操作在线性区，因为源极与漏极的电压在开关为导通时会趋向一致。

PMOS做开关时，其源极接至电路里电位最高的地方，通常是电源。栅极的电压比源极低、超过其临界电压时，PMOS开关会打开。

NMOS开关能容许通过的电压上限为（V_gate-V_thn），而PMOS开关则为（V_gate+V_thp），这个值通常不是讯号原本的电压振幅，也就是说单一MOSFET开关会有让讯号振幅变小、讯号失真的缺点。

[编辑] 互补式MOSFET（CMOS, Complementary MOS）开关

为了改善前述单一MOSFET开关造成讯号失真的缺点，于是使用一个PMOS加上一个NMOS的CMOS开关成为目前最普遍的做法。CMOS开关将PMOS与NMOS的源极与漏极分别连接在一起，而基极的接法则和NMOS与PMOS的传统接法相同。当输入电压在（V_DD-V_thn）和（V_SS+V_thp）时，PMOS与NMOS都导通，而输入小于（V_SS+V_thp）时，只有NMOS导通，输入大于（V_DD-V_thn）时只有PMOS导通，这样做的好处是在大部分的输入电压下，PMOS与NMOS皆同时导通，如果任一边的导通电阻上升，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少讯号失真。

[编辑] 参考资料

Sze, S. M.，Physics of Semiconductor Devices 2nd ed. New York:Wiley, 1981
Donald A. Neamen, Semiconductor Physics & Devices, 3rd ed. McGraw Hill, 2003
Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 1st ed. McGraw Hill, 2002
B. Jayant Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS publishing Company, Boston.ISBN 0-534-94098-6
Adel. S. Sedra and Kenneth. C. Smith, Microelectronics Circuits, 5th ed., Oxford, 2003