原创 新型存储器技术有望达到最高速度(图)

图4 基于电流变化 而不是电压变化的新型存储器技术能实现2Gb/s吞吐率

  这种叫PSiRAM的器件采用能感知电流变化而不是电压变化的专利三晶体管单元。它由2Mb×16bit组成32Mb器件，工作电压1.2V。0.8V下的工作情况也进行了测试，在0.8V电压下，该器件速度超过400MHz，功耗不到0.125W。
  因为PSiRAM采用标准CMOS逻辑工艺，Tezzaron计划出售该技术许可证，允许该技术用于SoC应用。成批生产预计明年开始，计划明年上半年采用130nm工艺，明年晚些时候采用90nm工艺。
  更多信息请浏览http://www.tezzaron.com。