原创 研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管(图)

作为一种有机半导体材料，碳60由于具有极高的电子迁移率（一种测量电流有多快的指标）而备受关注。先前的研究报道表明，碳60可以实现高达6cm2/V/s的电子迁移率，但是，这个纪录是采用温度达250℃的热-墙外延附生工艺（hot-wall epitaxy process ）获得的，显然，250℃的温度对于大多数柔性塑料基底都太高了。佐治亚理工大学的研究者这次制造的场效应晶体管的电子迁移率稍低一些：2.7～5cm2/V/s，不过，他们采用的是常温工艺。

佐治亚理工大学的研究者采用碳60薄膜制造出高性能场效应晶体管

现在，佐治亚理工大学的研究者已经向外界展示了这种碳60场效应晶体管，他们还计划制造其他电子元器件，比如反向换流器、环形振荡器、逻辑门，以及其他有源阵列显示器和成像器件的驱动器等。更多信息，请参考http://www.gatech.edu。