全部
  • 资料
  • 专题
  • 首页
  • 白皮书列表
  • 【 电子技术设计2022年3月杂志】从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么?
【 电子技术设计2022年3月杂志】从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么?
资料介绍

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化,它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上,演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

主要内容

封面特写 从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么? 技术纵横 如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器 细说车载充电机的功能与趋势 设计实例 小型太阳能光伏电源的串联与并联线性稳压对比 利用继电器迟滞特性实现开关功能 两线多点控制的负载开关定时器 一种低成本精密电源设计 为光学反射瞄准具电路增加自动断电 提高信息娱乐系统功率密度的设计考虑 用于太阳能日光灯的市电供电备用灯 对温度变化不敏感的AB类20W电流增强器 为什么在DDR5设计中兼顾电源影响的信号完整性分析至关重要? 产品精选 “中国IC设计成就奖”热门产品推荐 双语音频

查看完整文档,请立即下载
  • 可能感兴趣