随着新一代宽禁带半导体器件(如 SiC 和 GaN)的普及，与传统的 MOSFET 和 IGBT 相比，设备和应用需要更高的开关频率， 在导通 / 关断瞬变期间会出现更高瞬变电压的边沿速率。高性 能隔离器的 CMTI 额定值很容易达到 100V/ns，许多 CMTI 测试 的结果都超过 200V/ns。
使用低 CMTI 隔离器在高 dVcm/dt 环境中预期会出现信号完整性问题，这在特定的环境比如电机驱 动或太阳能逆变器等应用场景中，任何的脉冲抖动、失真、运行不稳定或脉冲信息丢失都会对数据完整性产生重大影响，可能导致危险的短路事件。
CMTI 的测试在这类隔离电路中尤其是在具备隔离功能的芯片指标测试中变得非常重要。
