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本文分享 可控硅材料介绍、 作用、 可控硅和igbt优缺点对比 可控硅是什么材料，有哪些作用 可控硅，又称为晶闸管（SCR），是一种电子器件，常用于控制交流电的电压和功率。可控硅由四层半导体材料组成，其中P型半导体和N型半导体交替排列形成P-N-P-N结构。 可控硅的主要作用是将交流电转换成可控的直流电。可控硅能够控制电路的通断，使电路中的电流、电压等参数得到精确的控制和调节。可控硅通常被用于调光、电磁炉、电焊机、电动机控制、交流变直流等场合。 此外，可控硅还具有以下作用： 稳定电源：可控硅能够控制电路的通断和电流的大小，从而使电路中的电源输出稳定。 节能减排：可控硅能够将电源输出调整到最适宜的状态，从而达到节能减排的目的。 增强电路控制能力：可控硅可以控制电路中的电流、电压等参数，从而增强了电路的控制能力。 总的来说，可控硅是一种广泛应用的电子器件，其作用非常重要，可以使电路得到精确的控制和调节，从而提高了电路的稳定性和可靠性。 可控硅和IGBT都是重要的半导体器件，用于电力电子应用中。两者有各自的优缺点，以下是它们的比较： 可控硅和igbt优缺点，未来应用那个更广？ 可控硅的优点： 开关速度较快； 电流承载能力高，适用于高电压、大电流场合； 价格相对便宜。 可控硅的缺点： 开通电压较高，通常需要较高的触发电流； 无法实现高频调节； 只能控制电路的一半，即只能控制交流电的正半周期或负半周期。 IGBT的优点： 开通电压较低，触发电流较小； 可以实现高频调节； 可以控制电路的全波周期。 IGBT的缺点： 开关速度较慢； 电流承载能力比可控硅略低； 价格相对较高。 未来应用范围方面，IGBT应用更广。随着科技的进步和工业自动化的发展，越来越多的电子设备需要高速开关和高效控制，IGBT作为高频调节的理想选择，被广泛应用于电力电子、新能源、照明等领域。虽然可控硅在高电压、大电流场合仍有其应用价值，但其受限于只能控制电路的一半和开通电压较高等缺点，未来的应用前景相对较为有限。

​ 转载---原创刘小舒 玩转嵌入式 2020-04-23 00:00 为什么万用表无法触发BT137的导通？这是一位朋友的疑问。 BT137是一颗双向可控硅，想用万用表来触发导通双向可控硅BT137，这样做是不可行的。因为可控硅的导通条件不同于二极管、三极管、MOS管等，稍微复杂。双向可控硅是一个三端元器件，具有三个电极，分别为T1极、T2极和G控制极。双向可控硅如果要导通，需要满足如下几个条件： 1)控制极加正向电压；2)T1和T2之间的电压满足一定的条件。由于双向可控硅能双向导通，所以具有四种工作条件，也就是双向可控硅的四个工作象限。如下图所示。 ​ VT1-T2为负，VG为正。此时，给可控硅的控制极G加上正向电压，而T1极上加负向电压，T2极上加正向电压，可控硅会由T2向T1导通，这种方式称之为第一象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 VT1-T2为负，VG为负。此时，给可控硅的控制极G加上负向电压，而T1极上加负向电压，T2极上加正向电压，可控硅会由T2向T1导通，这种方式称之为第二象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 ​ VT1-T2为正，VG为负。此时，给可控硅的控制极G加上负向电压，而T1极上加正向电压，T2极上加负向电压，可控硅会由T1向T2导通，这种方式称之为第三象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 VT1-T2为正，VG为正。此时，给可控硅的控制极G加上正向电压，而T1极上加正向电压，T2极上加负向电压，可控硅会由T1向T2导通，这种方式称之为第四象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 ​ 由此可见，仅仅在控制极G上加控制信号双向可控硅是没有办法导通，必须在T1和T2上加上一定的电压。可控硅一旦导通之后，将控制信号移除，可控硅仍然处于导通状态，除非将T1和T2的电流小于维持电流。 所以，想单纯的通过万用表来触发BT137并不可行，不许将T1和T2也接入控制回路中，并满足电压条件才可以。 ​---end---

​ 转载-- 工控维修那些事儿 2015-11-26 06:46 可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。 可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。 可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 ​ 我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E，又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基极电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2 倍的集电极电流IC2 。因为BG2集电极与BG1基极相连，IC2又是BG1 的基极电流Ib1 。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2 ，而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2)，这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降低E的输出电压，使BG1、BG2 的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果E极性反接，BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，E接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。 可控硅这种通过触发信号(小触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1 表1 可控硅导通和关断条件 状态 条件 说明 从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可 维持导通 1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 应用举例： 可控硅在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路，概括起来有直流触发电路，交流触发电路，相位触发电路等等。 1、直流触发电路： 如图2是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高时A点电压也变高，当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通，可控硅D受触发而道通将E+短路，使保险丝RJ熔断，从而起到过压保护的作用。 ​ 2、相位触发电路： 相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图3，这个电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。当R值较少时，RC时间常数较少，触发信号的相移A1较少，因此负载获得较大的电功率；当R值较大时，RC时间常数较大，触发信号的相移A2较大，因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。 ​ 可控硅主要参数有： 1、 额定通态平均电流 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 2、 正向阻断峰值电压 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。 3、 反向阴断峰值电压 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 4、 控制极触发电流 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加一定电压，使可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。 5、 维持电流 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。 采用可控硅技术对照明系统进行控制具有:电压调节速度快，精度高，可分时段实时调整，有稳压作用，采用电子元件，相对来说体积小、重量轻、成本低。但该调压方式存在一致命缺陷，由于斩波，使电压无法实现正弦波输出，还会出现大量谐波，形成对电网系统谐波污染，危害极大，不能用在有电容补偿电路中。(现代照明设计要求规定，照明系统中功率因数必须达到0.9以上，而气体放电灯的功率因数在一般在0.5以下，所以都设计用电容补偿功率因数)在国外发达国家，已有明文规定对电气设备谐波含量的限制，在国内，北京、上海、广州等大城市，已对谐波含量超标的设备限制并入电网使用。 采用可控硅技术对照明系统进行照度控制时,可通过加装滤波设备来有效降低谐波污染。 近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。 应用介绍------可控硅在调光器中的应用： 可控硅调光器是目前舞台照明、环境照明领域的主流设备。 在照明系统中使用的各种调光器实质上就是一个交流调压器，老式的变压器和变阻器调光是采用调节电压或电流的幅度来实现的，如下图所示。u1是未经调压的220V交流电的波形，经调压后的电压波形为u2，由于其幅度小于u1，使灯光变暗。在这种调光模式中，虽然改变了正弦交流电的幅值，但并未改变其正弦波形的本质。 ​ 与变压器、电阻器相比，可控硅调光器有着完全不同的调光机理，它是采用相位控制方法来实现调压或调光的。对于普通反向阻断型可控硅，其闸流特性表现为当可控硅加上正向阳极电压的同时又加上适当的正向控制电压时，可控硅就导通；这一导通即使在撤去门极控制电压后仍将维持，一直到加上反向阳极电压或阳极电流小于可控硅自身的维持电流后才关断。普通的可控硅调光器就是利用可控硅的这一特性实现前沿触发相控调压的。在正弦波交流电过零后的某一时刻t1(或某一相位角wt1)，在可控硅控制极上加一触发脉冲，使可控硅导通，根据前面介绍过的可控硅开关特性，这一导通将维持到正弦波正半周结束。因此在正弦波的正半周(即0~p区间)中，0~wt1范围可控硅不导通，这一范围称为控制角，常用a表示；而在wt1~p间可控硅导通，这一范围称为导通角，常用j表示。同理在正弦波交流电的负半周，对处于反向联接的另一个可控硅(对两个单向可控硅反并联或双向可控硅而言)在t2时刻(即相位角wt2)施加触发脉冲，使其导通。如此周而复始，对正弦波每半个周期控制其导通，获得相同的导通角。如改变触发脉冲的施加时间(或相位)，即改变了导通角j(或控制角a)的大小。导通角越大调光器输出的电压越高，灯就越亮。从上述可控硅调光原理可知，调光器输出的电压波形已经不再是正弦波了，除非调光器处在全导通状态，即导通角为180°(或p)。正是由于正弦波被切割、波形遭受破坏，会给电网带来干扰等问题…… 好的调光设备应采取必要措施，努力降低使用可控硅技术后产生的干扰。 ​---END---

过去的几个智能开关项目中，频繁使用可控硅作为无触点开关，期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因，跳入了好几个“坑”，现在对可控硅设计知识要点进行总结，罗列如下： 可控硅类别： a.单向可控硅：门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······ b.双向可控硅：标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······ c.电力电子可控硅：电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件 可控硅等效结构： 单向可控硅 双向可控硅 对于一个可控硅，主要看其5个参数： 额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压 案例1：该电路能否将灯点亮？ 解析： 不能，由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路 案例2：该电路负载通断不受MOC3021控制？ 解析： 不受控制，对于交流电，可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态 理解可控硅的“象限”—— 1、为何需要有“象限”这个概念？“象限”通用命名法？（个人认为：对于象限概念的提出，是为了更好地描述、理解可控硅的特性，就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据） 2、不同象限可控硅可靠性探究？ 第一象限：MT2+ Igt+ 第二象限：MT2+ Igt- 第三象限：MT2 - Igt- 第四象限：MT2 - Igt+ 可控硅从导通到底关断的条件？ 1、单独撤去控制极电压？ 2、MT1，MT2电流小于导通维持电流？ 解析：可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时，可控硅关断，但是单独撤去可控硅控制极电压时，需等到第2个条件满足时才会关断 可控硅JST24、BTA16驱动电流Igt 一个改进型的可控硅例子 可控硅设计十条黄金规则 1.为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑； 2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 　 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电 极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅 使饱和导通。 　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 　 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 　 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。 一、可控硅的概念和结构？ 晶 闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸 管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图 2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图 2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。 二、晶闸管的主要工作特性 为 了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正 极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正 极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没 有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢? 这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。 晶 闸管的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么， 用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果 晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。 三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢? 普 通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负 极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就 是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的 四、晶闸管在电路中的主要用途是什么? 普 通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单 的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半 周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有 电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时 间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正 半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受 正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢? 在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。 六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢? 晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。 七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢? 单 结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个 电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可 以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值 会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压 UEUA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的 阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到 谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。 八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢? 单 结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是 由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶 体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡 峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。 此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。 九、在可控整流电路的波形图中 ，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢? ​为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。   怎 样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有 导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此 同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过 程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C 的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。 双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。