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    2021-11-17 13:32
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    半导体制造领域之平板显示前端制造TFT-Array Fab中的静电风险等级远甚于集成电路制造Wafer Fab
    广义而言,当今的FPD(Flat Panel Display,平板显示)制造亦属于半导体制造领域,因为平板显示的显示控制驱动基本电气器件就是数以万计的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管),就属于集成电路中的一类器件。而FPD中的TFT Array玻璃制造工艺完全使用了集成电路制造Wafer Fab的生产工艺与同类半导体制造设备,只是工艺技术等级相比wafer fab低了很多(如FPD TFT的channel膜层相当一部分处于200nm及以上的厚度,Gate Insulator也大都超过200nm的膜厚,而当今集成电路的工艺制程大部分低于65nm)。 图1. FPD制造TFT Array Fab的主要工艺制程 由于FPD制造在TFT Array Fab段都采用了绝缘基板(绝大多数采用了玻璃,一小部分采用了柔性塑料基板),使得FPD TFT Array Fab生产工序的静电风险等级远远高于集成电路制造Wafer Fab(采用半导体的Si作为基板/衬底)。 在早期的LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示) FPD TFT Array Fab工厂,以及当今的某些TFT Array Fab工厂,静电导致的TFT器件损坏仍在持续发生,其中不乏存在静电损坏程度非常严重的案例(TFT器件结构严重烧毁:金属短路漏流,甚至是金属线路烧断开路)。 图2. a-Si TFT LCD Array Fab工厂的静电损坏实例:TFT器件大面积烧毁,data线路烧断。