标签: SQ9945BEYT1GE3

型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.5Vth-封装：SOP8应用简介：SQ9945BEY-T1-GE3是一款具有双N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为60V，最大电流为6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：可用于DC-DC变换器、稳压器和电源开关等。2.高效逆变器模块：适用于太阳能逆变器、UPS电源和电动车充电器等。3.电机驱动模块：可用于驱动大功率电机和步进电机等。总之，SQ9945BEY-T1-GE3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、逆变器和电机驱动模块等。