【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
时间:2023-12-27
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资料介绍
型号:SQ9945BEY-T1-GE3
丝印:VBA3638
品牌:VBsemi
详细参数说明:
- 类型:2个N沟道MOSFET
- 最大耐压:60V
- 最大电流:6A
- 导通电阻:27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:1.5Vth
- 封装:SOP8
应用简介:
SQ9945BEY-T1-GE3是一款具有双N沟道MOSFET的器件,适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为60V,最大电流为6A,具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:可用于DC-DC变换器、稳压器和电源开关等。
2. 高效逆变器模块:适用于太阳能逆变器、UPS电源和电动车充电器等。
3. 电机驱动模块:可用于驱动大功率电机和步进电机等。
总之,SQ9945BEY-T1-GE3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计,包括电源管理、逆变器和电机驱动模块等。
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