标签: NCE30H10KVB

型号:NCE30H10K-VB丝印:VBE1303品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:100A-静态导通电阻(RDS(ON)):2mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):3mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):1.9V-封装:TO252应用简介:NCE30H10K-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于高电流、低导通电阻的高功率应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**NCE30H10K-VB可用作电源开关，用于控制高电流电路中的电流流动。它的低导通电阻和高电流容忍能力使其在高功率应用中非常有效。2.**电机驱动：**在电机控制和驱动器应用中，这种N沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制，例如直流电机驱动、步进电机驱动和电动汽车控制系统。3.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等高功率逆变器。4.**电源放大器：**可以用于音频放大器和其他功率放大器，以增强音频信号的输出功率。5.**电池保护：**在高电流锂电池保护电路中，NCE30H10K-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，NCE30H10K-VB的高性能和高电流容忍能力使其成为用于高功率应用的理想元件。它可以在各种高电流、高功率、低导通电阻的电路中实现高效率和可靠性。