丝印: VBE1303
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 30V
- 最大电流: 100A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 2mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 3mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.9V
- 封装: TO252
应用简介:
NCE30H10K-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于高电流、低导通电阻的高功率应用领域，具有以下主要应用：
1. **电源开关：** NCE30H10K-VB可用作电源开关，用于控制高电流电路中的电流流动。它的低导通电阻和高电流容忍能力使其在高功率应用中非常有效。
2. **电机驱动：** 在电机控制和驱动器应用中，这种N沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制，例如直流电机驱动、步进电机驱动和电动汽车控制系统。
3. **电源逆变器：** 在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等高功率逆变器。
4. **电源放大器：** 可以用于音频放大器和其他功率放大器，以增强音频信号的输出功率。
5. **电池保护：** 在高电流锂电池保护电路中，NCE30H10K-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。
这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，NCE30H10K-VB的高性能和高电流容忍能力使其成为用于高功率应用的理想元件。它可以在各种高电流、高功率、低导通电阻的电路中实现高效率和可靠性。
