标签: HFD4N50VB

型号：HFD4N50-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-开态电阻(RDS(ON))：2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：3.5V-封装：TO252应用简介：HFD4N50-VB是一款N沟道MOSFET，具有高额定电压和中等电流承受能力，适用于高电压高效率应用。这款MOSFET可用于电源开关、电机控制、电池保护和其他需要高性能的电路。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：HFD4N50-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高额定电压和适中电流承受能力使其适用于高电压电源。2.**电机控制**：在电机驱动器和控制系统中，这款MOSFET可用于电机控制，例如直流电机、步进电机和电动汽车电机控制。3.**电池保护**：在电池管理系统中，HFD4N50-VB可以用于电池充放电控制、保护和平衡，确保电池组的安全运行。4.**高电压应用**：由于其高额定电压，该MOSFET适用于需要高性能和高电压的电路设计。5.**电流开关**：这款MOSFET可用于电流开关应用，例如电流限制和保护电路。总之，HFD4N50-VB适用于多个领域，包括电源开关、电机控制、电池保护、高电压应用和电流开关等模块。其N沟道特性和高额定电压等特性使其成为处理高电压应用的理想选择，同时也可用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电路设计。