丝印：VBE165R04
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 额定电压：650V
- 最大电流：4A
- 开态电阻 (RDS(ON))：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：3.5V
- 封装：TO252
应用简介：
HFD4N50-VB是一款N沟道MOSFET，具有高额定电压和中等电流承受能力，适用于高电压高效率应用。这款MOSFET可用于电源开关、电机控制、电池保护和其他需要高性能的电路。
主要特点和应用领域：
1. **电源开关**：HFD4N50-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高额定电压和适中电流承受能力使其适用于高电压电源。
2. **电机控制**：在电机驱动器和控制系统中，这款MOSFET可用于电机控制，例如直流电机、步进电机和电动汽车电机控制。
3. **电池保护**：在电池管理系统中，HFD4N50-VB可以用于电池充放电控制、保护和平衡，确保电池组的安全运行。
4. **高电压应用**：由于其高额定电压，该MOSFET适用于需要高性能和高电压的电路设计。
5. **电流开关**：这款MOSFET可用于电流开关应用，例如电流限制和保护电路。
总之，HFD4N50-VB适用于多个领域，包括电源开关、电机控制、电池保护、高电压应用和电流开关等模块。其N沟道特性和高额定电压等特性使其成为处理高电压应用的理想选择，同时也可用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电路设计。
