标签: FDN336PNLVB

型号：FDN336P-NL-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门极-源极电压（Vgs）：12V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V-封装：SOT23应用简介：FDN336P-NL-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有低漏极-源极电阻和低功耗，适用于多种低压低功率电子应用。应用领域：1.**便携式设备**：FDN336P-NL-VB常用于便携式设备中，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备，用于电源管理、电池保护和信号开关。2.**电池管理**：在便携式设备和低功耗传感器中，这种MOSFET器件可用于电池保护、电池均衡和低功耗电池管理。3.**信号开关**：FDN336P-NL-VB可用于低压低功耗信号开关和模拟开关，用于控制电路的开关和信号传输。4.**嵌入式系统**：在嵌入式系统、传感器接口和小型控制器中，这款MOSFET也可用于低功耗电子应用。总之，FDN336P-NL-VB是一款低压低功耗的P沟道MOSFET，适用于需要低漏极-源极电阻和低功耗的各种低压低功率电子应用领域。它可以用于便携式设备、电池管理、信号开关和嵌入式系统等模块。