丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数说明：
- 极性：P沟道
- 额定电压：-20V
- 最大连续漏极电流：-4A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V
- 门极-源极电压（Vgs）：12V（±V）
- 開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V
- 封装：SOT23
应用简介：
FDN336P-NL-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有低漏极-源极电阻和低功耗，适用于多种低压低功率电子应用。
应用领域：
1. **便携式设备**：FDN336P-NL-VB常用于便携式设备中，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备，用于电源管理、电池保护和信号开关。
2. **电池管理**：在便携式设备和低功耗传感器中，这种MOSFET器件可用于电池保护、电池均衡和低功耗电池管理。
3. **信号开关**：FDN336P-NL-VB可用于低压低功耗信号开关和模拟开关，用于控制电路的开关和信号传输。
4. **嵌入式系统**：在嵌入式系统、传感器接口和小型控制器中，这款MOSFET也可用于低功耗电子应用。
总之，FDN336P-NL-VB是一款低压低功耗的P沟道MOSFET，适用于需要低漏极-源极电阻和低功耗的各种低压低功率电子应用领域。它可以用于便携式设备、电池管理、信号开关和嵌入式系统等模块。
