标签: SSC8035GS6VB

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极源极电压：±20V-阈值电压：-1V-封装：SOT23应用简介：该产品是一款P沟道MOSFET，适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压，能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。该产品适用于以下领域模块：1.电源模块：用于电源管理、电压调节、稳压等电源系统的搭建；2.电动工具模块：用于电动工具的电源开关、电流控制等；3.汽车电子模块：用于汽车电子系统的开关驱动、电路保护等；4.通信模块：用于通信设备的功率放大、信号开关等；5.工控模块：用于工业控制系统中的电流控制和开关驱动等。总之，SSC8035GS6-VB是一款适用于多个领域模块的P沟道MOSFET，具有低电阻、高耐压等特点，广泛应用于电源、电动工具、汽车电子、通信和工控等领域。