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【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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阅读数:63
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资料介绍
型号: SSC8035GS6-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi

详细参数说明:
- P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- 漏极-源极电阻:47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
- 最大栅极源极电压:±20V
- 阈值电压:-1V
- 封装:SOT23

应用简介:
该产品是一款P沟道MOSFET,适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压,能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。

该产品适用于以下领域模块:
1. 电源模块:用于电源管理、电压调节、稳压等电源系统的搭建;
2. 电动工具模块:用于电动工具的电源开关、电流控制等;
3. 汽车电子模块:用于汽车电子系统的开关驱动、电路保护等;
4. 通信模块:用于通信设备的功率放大、信号开关等;
5. 工控模块:用于工业控制系统中的电流控制和开关驱动等。

总之,SSC8035GS6-VB是一款适用于多个领域模块的P沟道MOSFET,具有低电阻、高耐压等特点,广泛应用于电源、电动工具、汽车电子、通信和工控等领域。

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